半导体硅晶片的制造方法技术

技术编号:35093313 阅读:79 留言:0更新日期:2022-10-01 16:53
本发明专利技术提供可抑制P聚集缺陷(Si

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体硅晶片的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体硅晶片的制造方法,特别是涉及在掺杂剂为磷(P)、电阻率调整为1.05mΩcm以下、且固溶氧浓度调整为0.9
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atoms/cm3以下的基板上将Si单晶外延膜予以成膜的半导体硅晶片的制造方法。

技术介绍

[0002]功率MOS (Metal Oxide Semiconductor:金属氧化物半导体)用外延晶片的基板电阻率在最先进的晶片中为1mΩcm以下。为了降低该基板电阻率,需要增加掺杂剂浓度。为此,n型掺杂剂种类由砷或锑向挥发性较低的磷(P)转移,其浓度成为约1
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atoms/cc左右。
[0003]如此,若增加掺杂剂浓度以使外延膜生长,则如专利文献1~3所述,在外延膜中会产生层叠缺陷(stacking fault:堆垛层错,以下也称作SF)。特别是,在电阻率为1.1mΩcm以下的基板中容易产生SF。
[0004]在专利文献1~3中报道了:成为该SF原因的晶体缺陷推测是P和氧(O)的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.硅晶片的制造方法,其是在基板表面设置有Si单晶外延膜的硅晶片的制造方法,该基板是由通过直拉法培育的Si单晶铸锭制造的,其中,掺杂剂为磷(P),电阻率调整为1.05mΩcm以下,固溶氧浓度调整为0.9
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atoms/cm3以下,并且,在该单晶生长中,将提拉速度设为0.5以上且1.0mm/分钟以下,再将磁场施加设为2000以上且4000Gauss,在提拉炉内设置水冷体以强制性地冷却已生长的晶体,从而包含P在晶体中聚集而形成的缺陷的实体为Si

P晶体缺陷的缺陷,该制造方法的特征在于,具备以下工序:镜面加工工序,对上述基板进行镜面加工;热处理工序,在上述镜面加工工序后,将上述基板在700℃以上且低于850℃的一定温度下保持30分钟以上且120分钟以下,之后进行升温,然后在1100℃以上且1250℃以下的一定温度下保持30分钟以上且120分钟以下,将之后的降温时的700℃以下和450℃以上的晶片的体验时间设为少于10分钟,并且将这一系列的炉内气氛均设为由H2和Ar构成的混合气体;以及外延膜成膜工序,在上述热处理工序后,将Si单晶外延膜以1.3μm以上且10.0μm以下的厚度成膜。2.权利要求1所述的硅晶片的制造方法,其特征在于:上述Si

P缺陷的...

【专利技术属性】
技术研发人员:仙田刚士成松真吾
申请(专利权)人:环球晶圆日本股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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