干刻设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种干刻设备，其包括下部电极，该下部电极包括基座和设置在基座上的支撑构件，其中，支撑构件在顶面上形成有多个浮雕，浮雕的硬度范围为450至500维氏硬度；本实用新型专利技术实施例通过规范浮雕的硬度，实现减少玻璃基板在干刻制程中造成的基板背面刮伤。玻璃基板在干刻制程中造成的基板背面刮伤。玻璃基板在干刻制程中造成的基板背面刮伤。

【技术实现步骤摘要】
干刻设备


[0001]本技术涉及显示器件的制备
，尤其涉及一种干刻设备。

技术介绍

[0002]液晶显示面板(Liquid crystal display，LCD)的制造需要使用蚀刻工艺。根据蚀刻剂的物理状态可以将蚀刻工艺分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺。其中，湿蚀刻工艺利用蚀刻液体对基板进行蚀刻。干蚀刻工艺是利用干蚀刻机使蚀刻气体在RF射频电极的作用产生等离子体，在基板上把没有被光阻覆盖或保护的薄膜层以化学反应和物理反应的方式去除，而被光阻覆盖或保护的薄膜层因不被等离子体蚀刻而保留下来。
[0003]现有的干蚀刻设备包括：反应腔体、位于反应腔体内的上部电极和下部电极。将待刻蚀基板至于下部电极上，反应腔内通入等离子气体接着将反应腔密闭，向上部电极和下部电极施加电压，二者之间形成电势差；在电场作用下，等离子体获得很高的能量并以很高的速度轰击待刻蚀基板从而实现刻蚀。
[0004]随着液晶面板产业高速发展，液晶面板制造由G8.5世代向G11世代快速发展，发展过程中的TFT干蚀刻技术面临挑战，其中最重要的就是干蚀刻设备下部电极所造成的E本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干刻设备，其特征在于，所述干刻设备包括下部电极，所述下部电极包括：基座；设置在所述基座上的支撑构件；其中，所述支撑构件在顶面上形成有多个浮雕，所述浮雕的硬度范围为450至500维氏硬度。2.根据权利要求1所述的干刻设备，其特征在于，所述浮雕的形状为半球状凸起。3.根据权利要求2所述的干刻设备，其特征在于，所述多个浮雕呈阵列分布，相邻所述浮雕之间的距离范围为2至4毫米。4.根据权利要求2所述的干刻设备，其特征在于，所述浮雕的直径范围为0.5至1毫米。5.根据权利要求1所述的干刻设备，其特征在于，所述浮雕的涂层材料包括三氧化二钇。6.根据权利要求1所述的干刻设备，其特征在于，所述下部电极还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：任武峰，徐俊，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：新型
国别省市：