一种超硬膜层制造方法技术

本发明专利技术公开了一种超硬膜层制造方法。本发明专利技术采用Cr靶、Ti靶、W靶作为靶材制备膜层，按不同的膜层硬度进行交替成膜。使用多弧沉积膜层和磁控溅射沉积交替制备超硬膜，形成软硬膜层交替生长，有利于形成高密度位错，有效阻止晶面滑移，有利于膜层组成元素扩散，改善了内应力集中现象，提高了超硬膜的总体强度，硬度。通过改良膜层组织结构达到提高显微硬度的效果，避免单纯依靠膜厚提高性能，节省生产时间与资源，有较好的经济与社会效益。有较好的经济与社会效益。

【技术实现步骤摘要】
一种超硬膜层制造方法


[0001]本专利技术涉及真空镀膜
，具体为一种超硬膜层制造方法。

技术介绍

[0002]真空镀膜是关于材料表面处理，运用于材料合成与加工的技术。真空镀膜可以运用于各种不同的领域，例如光学、集成电路、钟表、建筑、汽车、包装、机械生产等。真空镀膜运用的领不同，对材料表面的要求也会随之变化，因此也诞生了多种具备各种不同功能的膜层组合。随着设备制造和镀膜工艺技术的不断改善，真空镀膜技术迅速发展，镀膜不再仅起到了单纯的装饰效果，膜层性能指标也在不断进步提高。膜层性能指标中包括提高产品表面硬度，使得产品具有抗刮伤的性能，不仅仅优化了产品的外观品质，而且延长了膜层的使用寿命。
[0003]目前，提高膜层表面硬度通常依靠增加膜厚来实现，但是膜层厚度增加，会导致靶材成本上升，能耗增大，破坏表面的光亮度，甚至造成货件必须再进行二次抛光打磨。另外，膜厚增厚会造成膜层内应力加大，使得产品边角位膜层发生剥落的风险上升。
[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种超硬膜层制造方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种超硬膜层制造方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]一种超硬膜层制造方法，该方法包括以下步骤：
[0008]步骤一：弧靶轰击清洗：
[0009]S11：取基材，清洗，烘干，得到处理后的基材，通入氩气，气压为1.5
×
10
‑1Pa，开Cr弧靶，电流为55
‑
70A，对处理后的基材进行轰击清洗；
[0010]S12：清洗结束，关Cr弧靶；
[0011]步骤二：制备纯金属底层：
[0012]S21：开Cr靶打底层，沉积6
‑
8min；
[0013]S22：开Ti靶预启动，沉积2
‑
3min；
[0014]S23：开W靶预启动，沉积2
‑
3min；
[0015]步骤三：制备硬化层：
[0016]S31：通入乙炔，将乙炔气量由20
‑
30sccm升至80
‑
90sccm，保持10
‑
12分钟，偏压为100
‑
200V；降乙炔气量至20
‑
30sccm；
[0017]S32：重复步骤S314
‑
6次，降乙炔气量至30
‑
40sccm，关Ti靶，Cr靶；
[0018]步骤四：制备加硬层：保持W靶开启，电流为10
‑
20A，开Cr弧靶，沉积8
‑
10min；
[0019]步骤五：制备颜色层：关Cr弧靶，保持W靶开启，沉积颜色层，偏压为100
‑
200V。
[0020]较为优化地，步骤S11中，轰击清洗工艺参数为：偏压为400
‑
600V，清洗时间为4
‑
8min。
[0021]较为优化地，步骤一中，基材为铜、铁、锌、铝、合金中的一种或多种。
[0022]较为优化地，步骤二中，Cr靶、Ti靶、W靶的靶电流均为10
‑
20A，沉积时维持气压为0.4
‑
0.5Pa，偏压为100
‑
120V。
[0023]较为优化地，步骤S31中，乙炔气量由20
‑
30sccm升至80
‑
90sccm的时间控制为10min以内。
[0024]较为优化地，步骤四中，开Cr弧靶，靶电流为60
‑
70A。
[0025]较为优化地，步骤二中，制备纯金属底层时，将氩气气压升高至4.5
×
10
‑1Pa。
[0026]较为优化地，所述Cr靶的靶电流为10
‑
20A，Ti靶的靶电流为10
‑
18A、W靶的靶电流为10
‑
20。
[0027]与现有技术相比，本专利技术所达到的有益效果是：
[0028](1)本专利技术采用Cr靶、Ti靶、W靶作为靶材制备膜层，按不同的膜层硬度进行交替成膜，既能有效利用WC高硬度的材料性能，又减缓硬度梯度陡变状态，降低内应力集中风险。
[0029](2)普通专利技术中的膜层由单纯磁控溅射膜层构成，本专利技术提出的新膜层组合由多弧沉积膜层和磁控溅射沉积组成，具体为按照阴极弧沉积膜层+溅射沉积膜层+阴极弧沉积膜层+溅射沉积膜层交替组成，有利于形成高密度位错，有效阻止晶面滑移，从微观结构层面提高膜层总体强度，硬度。
[0030](3)本专利技术膜层在生长过程中，会形成软硬膜层交替生长，有利于膜层组成元素扩散，进一步改善内应力集中现象。
[0031](4)本专利技术通过改良膜层组织结构达到提高显微硬度的效果，拓展了膜层性能，避免单纯依靠膜厚提高性能，节省了生产时间与资源，有较好的经济与社会效益。
具体实施方式
[0032]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]实施例1
[0034]步骤一：弧靶轰击清洗：
[0035](1)取基材，清洗，烘干，得到处理后的基材，通入氩气，气压为1.5
×
10
‑1Pa，开3只Cr弧靶，对处理后的基材进行轰击清洗，靶电流为70A，偏压为500V，时间为3min，关Cr弧靶；
[0036](2)再次开另外3只Cr弧靶，对处理后的基材进行轰击清洗，靶电流为70A，偏压为500V，时间为3min；
[0037](3)清洗结束，关Cr弧靶；
[0038]步骤二：制备纯金属底层：
[0039](1)开Cr靶打底层，靶电流为15安培，成膜8分钟，气压保持在0.4Pa，偏压为100V；
[0040](2)开Ti靶，靶电流为12安培，成膜3分钟，气压保持在0.4Pa，偏压为100V；
[0041](3)开W靶，靶电流为15安培，成膜3分钟，气压保持在0.4Pa，偏压为100V；
[0042]步骤三：制备硬化层：
[0043](1)通入乙炔，将乙炔气量由在10min中内由20sccm升至80sccm，保持10分钟，偏压为100V；降乙炔气量至20sccm；
[0044](2)重复步骤三(1)4
‑
6次，最后一次将乙炔气量降至30sccm，关Ti靶，关Cr靶；
[0045]步骤四：制备加硬层：保持W靶开启，电流为15A，氩气气压保持0.4Pa不变，开3只Cr弧靶，靶电流为60A，偏压为100V，时间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超硬膜层制造方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤一：弧靶轰击清洗：S11：取基材，清洗，烘干，得到处理后的基材，通入氩气，气压为1.5
×
10
‑1Pa，开Cr弧靶，电流为55
‑
70A，对处理后的基材进行轰击清洗；S12：清洗结束，关Cr弧靶；步骤二：制备纯金属底层：S21：开Cr靶打底层，沉积6
‑
8min；S22：开Ti靶预启动，沉积2
‑
3min；S23：开W靶预启动，沉积2
‑
3min；步骤三：制备硬化层：S31：通入乙炔，将乙炔气量由20
‑
30sccm升至80
‑
90sccm，保持10
‑
12分钟，偏压为100
‑
200V；降乙炔气量至20
‑
30sccm；S32：重复步骤S314
‑
6次，降乙炔气量至30
‑
40sccm，关Ti靶，Cr靶；步骤四：制备加硬层：保持W靶开启，电流为10
‑
20A，开Cr弧靶，沉积8
‑
10min；步骤五：制备颜色层：关Cr弧靶，保持W靶开启，沉积颜色层，偏压为100
‑
200V。2.根据权利要求1所述的一种超...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文，应佳根，
申请(专利权)人：南京真合材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：