一种5G基站用陶瓷滤波器生产方法技术

技术编号:35073675 阅读:28 留言:0更新日期:2022-09-28 11:37
本发明专利技术公开了一种5G基站用陶瓷滤波器生产方法,先将中介电常数高Q值微波介质陶瓷材料粉体晶化,以聚酰亚胺粘结剂将两者混合均匀后造粒,然后釆用连续化压制成型的工艺方式为基础进行制作,由于晶化后的瓷粉和聚酰亚胺收缩率均在0.1%以下,所以压制成型固化后坯体尺寸变化很小,从而保证了产品外观尺寸精度,生产出来的产品精度很高。生产出来的产品精度很高。生产出来的产品精度很高。

【技术实现步骤摘要】
一种5G基站用陶瓷滤波器生产方法


[0001]本专利技术涉及微波介质陶瓷
,尤其涉及一种5G基站用陶瓷滤波器生产方法。

技术介绍

[0002]基站用滤波器是网络通信中极为重要的射频前端部件,能够保证信息完整度并消除传递中的干扰因素。高Q值滤波器作为5G基站等用射频核心器件,市场需求量很大,按每个基站3面天线,每面天线64个滤波器估算,介质滤波器需求量达数10亿只,5G基站滤波器需求巨大。另一方面,高性能微波介质陶瓷材料在军事通信、雷达等方面也有广泛的应用。
[0003]5G基站用陶瓷滤波器是5G无线通信的重要组成部分,但在物理尺寸、制造公差和温度稳定性方面存在很多困难。考虑到毫米波滤波器的制造精度起着至关重要的作用,精度不仅影响滤波器性能,而且还会影响成本,因此保证介质滤波器主要结构尺寸精度是实现微波传输耦合性能达标的必要条件。5G基站用陶瓷滤波器成型加工尺寸要求达到μ级精度,这对陶瓷材料是一个全新的挑战, 为保证介质滤波器主要结构尺寸精度,我们通常采用特殊结构模具,辅以等静压设备,实现介质滤波器精密成型。解决了产品性能一致性问题。自动精密成型技术大体保证了大部分5G基站用陶瓷滤波器主要尺寸落在合格范围,但由于原材料粉体以及烧结条件的正常波动,有少量产品某个尺寸会偏离正常值,因此必需采用cnn二次精密加工技术加以调试,只有这样才能保证器件外形尺寸精度,器件结构上也能很好地保证微波传输耦合性能达标,满足客户要求;但是采用cnn二次精密加工技术加以调试往往会导致生产效率极低,生产成本居高不下。
[0004]基于此,需要研发一种5G基站用陶瓷滤波器生产方法来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的就在于为了解决上述问题设计了一种5G基站用陶瓷滤波器生产方法。
[0006]本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的:
[0007]一种5G基站用陶瓷滤波器生产方法,包括以下步骤:
[0008]S1、粉体晶化:将中介电常数高Q值微波介质陶瓷粉体放入晶化炉中晶化,, 出炉冷却后备用;
[0009]S2、混料:按照质量比:晶化后的微波介质陶瓷瓷粉44

60%、粘结剂4~ 13%、消泡剂1~3%、丙酮24~51%将各材料混合;然后送入球磨机中混合得到分散浆料;
[0010]S3、造粒:将步骤S2得到的分散浆料放入喷雾造粒塔造粒,造粒获得粒度分布在80

120目;
[0011]S4.压制成型、热处理及去毛刺:将步骤S3造粒获得的颗粒压制成滤波器基础外形,成型压力15

20MPa;然后送入烘箱中进行交联固化,固化参数:200

230℃,1

3小时;然去除残余毛刺;
[0012]S5.金属化:将步骤S4获得的已成型交联固化的坯体采用热固型聚酰亚胺银浆印刷工艺印制电极实现陶瓷滤波器金属化,再送入烘箱中固化,固化参数:200

230℃,0.5

1小时;
[0013]S6.测试及调谐处理:将步骤S5获得的金属化陶瓷滤波器测试及调谐处理。
[0014]优选地,晶化后的微波介质陶瓷瓷粉的粒径为1.0~5.0um。
[0015]优选地,在步骤S1中,晶化炉为回旋式煅烧炉,晶化温度为1450

1550℃, 晶化时间为2

4小时。
[0016]优选地,在步骤S1中,晶化炉为回旋式煅烧炉,晶化温度为1450

1550℃, 晶化时间为2

4小时。
[0017]优选地,粘结剂为FSM

PIL001聚酰亚胺树脂液。
[0018]优选地,在步骤S2中,球磨机的混合参数为30

60r/min,球磨时间为2

4小时。
[0019]本专利技术的有益效果在于:
[0020]本专利技术先将中介电常数高Q值微波介质陶瓷材料粉体晶化,以聚酰亚胺粘结剂将两者混合均匀后造粒,然后釆用连续化压制成型的工艺方式为基础进行制作,由于晶化后的瓷粉和聚酰亚胺收缩率均在0.1%以下,所以压制成型固化后坯体尺寸变化很小,从而保证了产品外观尺寸精度,生产出来的产品精度很高。
[0021]本专利技术可极大程度的实现规模连续生产,提高了生产效率,缩短了生产周期,降低了生产成本;同时具有产品外观光滑、尺寸精确、致密度高,综合微波介质性能均衡、成本低、密度高等优势;适合于5G基站用陶瓷滤波器规模化工业生产。
附图说明
[0022]图1为本申请的流程图。
具体实施方式
[0023]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0024]因此,以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围,而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0025]应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0026]在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0027]此外,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]下面结合附图,对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。
[0029]如图1所示,
[0030]一种5G基站用陶瓷滤波器生产方法,包括以下步骤:
[0031]S1、粉体晶化:将中介电常数高Q值微波介质陶瓷粉体放入晶化炉中晶化,, 出炉冷却后备用;晶化后的微波介质陶瓷瓷粉的粒径为1.0~5.0um。晶化炉为回旋式煅烧炉,晶化温度为1450

1550℃,晶化时间为2

4小时。晶化后出炉冷却后备用;材料晶化的目的为实现材料微波特性功能化;
[0032]S2、混料:按照质量比:晶化后的微波介质陶瓷瓷粉44

60%、粘结剂4~13%、消泡剂1~3%、丙酮24~51%将各材料混合;然后送入球磨机中混合得到分散浆料,球磨机的混合参数为30

...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5G基站用陶瓷滤波器生产方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、粉体晶化:将中介电常数高Q值微波介质陶瓷粉体放入晶化炉中晶化,,出炉冷却后备用;S2、混料:按照质量比:晶化后的微波介质陶瓷瓷粉44

60%、粘结剂4~13%、消泡剂1~3%、丙酮24~51%将各材料混合;然后送入球磨机中混合得到分散浆料;S3、造粒:将步骤S2得到的分散浆料放入喷雾造粒塔造粒,造粒获得粒度分布在80

120目;S4.压制成型、热处理及去毛刺:将步骤S3造粒获得的颗粒压制成滤波器基础外形,成型压力15

20MPa;然后送入烘箱中进行交联固化,固化参数:200

230℃,1

3小时;然去除残余毛刺;S5.金属化:将步骤S4获得的已成型交联固化的坯体采用热固型聚酰亚胺银浆印刷工艺印制电极实现陶瓷滤波器金属化,再送入烘箱中固化,固化参数:200

230℃,0.5

1小时;S6.测试及...

【专利技术属性】
技术研发人员:周晓蓉
申请(专利权)人:成都顺康三森电子有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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