R－T－B系烧结磁体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其在使R－M系合金粉末存在于R－T－B系烧结磁体表面并扩散的方法中能够抑制磁特性下降并且抑制金属聚集的发生。本发明专利技术的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序、准备R－M－Zr系合金的工序和使上述R－M－Zr系合金附着于上述R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分并在真空或不活泼性气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度进行加热的扩散工序，上述R－M－Zr系合金中的R的含量为70mass％以上95mass％以下，M的含量为4.5mass％以上25mass％以下，Zr的含量为0.5mass％以上5mass％以下。的含量为0.5mass％以上5mass％以下。的含量为0.5mass％以上5mass％以下。

【技术实现步骤摘要】
R
‑
T
‑
B系烧结磁体的制造方法


[0001]本专利技术涉及R
‑
T
‑
B系烧结磁体的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，稀土系烧结磁体表现出高的需求，其中，已知R
‑
T
‑
B系烧结磁体(R为稀土元素且必须包含选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少1种且必须包含Fe。B为硼)为性能最高的磁体，被用于硬盘驱动器的音圈电动机(VCM)、电动汽车用(EV、HV、PHV等)电动机、工业设备用电动机等各种电动机和家电制品等。R
‑
T
‑
B系烧结磁体通过使各种电动机等小型化、轻质化而有助于节能、降低环境负荷。
[0003]R
‑
T
‑
B系烧结磁体由主要包含R2T
14
B化合物的主相和位于该主相的晶界部分的晶界相构成。作为主相的R2T
14
B化合物是具有高的饱和磁化和各向异性磁场的强磁性材料，成为了R
‑
T
‑
B系烧结磁体的特性的关键。
[0004]在高温下，R
‑
T
‑
B系烧结磁体的矫顽力H
cJ
(以下，有时简称为“H
cJ”)下降，因此发生不可逆热退磁。因此，特别是对于用于电动汽车用电动机的R
‑
T
‑
B系烧结磁体，要求具有高的H
cJ
。
[0005]已知在R
‑
T
‑
B系烧结磁体中，如果用重稀土元素RH(例如Tb、Dy)置换R2T
14
B化合物中的R所含的轻稀土元素RL(例如Nd、Pr)的一部分，则H
cJ
提高。伴随着RH的置换量的增加，H
cJ
提高。然而，用RH置换R2T
14
B化合物中的RL时，虽然R
‑
T
‑
B系烧结磁体的H
cJ
提高，但是剩余磁通密度B
r
(以下，有时简称为“B
r”)下降。另外，重稀土元素是资源风险高的原料，因此要求削减其使用量或不使用而提高H
cJ
。
[0006]在专利文献1中公开了：使R1i
‑
M1j(R1为包含Y和Sc在内的稀土元素，M1为选自Al、Si、C、P、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Pb、Bi中的1种或2种以上，15＜j≤99，i为剩余部分。)且含有70体积％以上的金属间化合物相的合金的粉末存在于R
‑
T
‑
B系烧结磁体表面，在该状态下进行热处理而使其扩散，从而能够提高H
cJ
。在专利文献2中公开了：在R
‑
T
‑
B系烧结磁体的表面涂布粘合剂，使作为Dy和Tb中的至少一者的重稀土元素的合金或化合物的粉末附着后，进行热处理，从而能够提高H
cJ
。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2008
‑
263179号公报
[0010]专利文献2：国际公开第2018/030187号

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的技术问题
[0012]本专利技术的专利技术人对专利文献1所记载的使R
‑
M合金粉末存在于R
‑
T
‑
B系烧结磁体表面、在该状态下进行热处理而使其扩散的方法进行了研究，结果发现，有时在热处理后的烧结体表面产生多个高度0.1～0.5mm的凸部。进一步调查后发现，凸部是R
‑
M合金熔解而生成
的液相和由R
‑
T
‑
B系烧结磁体生成的液相混合而成的组成，是上述液相的混合物凝固而隆起的金属聚集。存在金属聚集时，在后续工序中加工精度下降，因此产生增加消除金属聚集的工序而生产率降低的问题。
[0013]因此，本专利技术的实施方式提供一种能够抑制磁特性下降并且抑制金属聚集发生的R
‑
T
‑
B系烧结磁体的制造方法。
[0014]用于解决技术问题的技术方案
[0015]在例示的实施方式中，本专利技术的R
‑
T
‑
B系烧结磁体的制造方法包括：准备R
‑
T
‑
B系烧结磁体原材料(R为稀土元素且必须包含选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少1种且必须包含Fe)的工序；准备R
‑
M
‑
Zr系合金(R为稀土元素且必须包含选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，M必须包含选自Al、Cu、Zn、Ga、Fe、Co、Ni中的至少1种)的工序；和使上述R
‑
M
‑
Zr系合金附着于上述R
‑
T
‑
B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分，并在真空或不活泼性气体气氛中、以700℃以上1100℃以下的温度进行加热的扩散工序，上述R
‑
M
‑
Zr系合金中的R的含量为70mass％以上95mass％以下，M的含量为4.5mass％以上25mass％以下，Zr的含量为0.5mass％以上5mass％以下。
[0016]在一个实施方式中，上述R
‑
M
‑
Zr系合金的M必须包含Cu和Ga中的至少1种，上述M中的Cu和Ga的合计含有比例为80％以上。
[0017]专利技术效果
[0018]根据本专利技术的实施方式，能够提供一种能够抑制磁特性下降并且抑制金属聚集发生的R
‑
T
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B系烧结磁体的制造方法。
附图说明
[0019]图1A是放大并示意地表示R
‑
T
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B系烧结磁体的一部分的截面图。
[0020]图1B是进一步放大并示意地表示图1A的虚线矩形区域内的截面图。
[0021]图2是表示本专利技术的R
‑
T
‑
B系烧结磁体的制造方法中的工序的例子的流程图。
[0022]图3是表示样品No.1
‑
1的外观的照片。
[0023]图4是表示样品No.1
‑
2的外观的照片。
[0024]图5是表示样品No.1
‑
3的外观的照片。
[0025]图6是表示样品No.1
‑
4的外观的照片。
[0026]图7是表示样品No.1
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R－T－B系烧结磁体原材料的工序，其中，R为稀土元素且必须包含选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少1种且必须包含Fe；准备R－M－Zr系合金的工序，其中，R为稀土元素且必须包含选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，M必须包含选自Al、Cu、Zn、Ga、Fe、Co、Ni中的至少1种；和使所述R－M－Zr系合金附着于所述R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：江口彻，国吉太，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：