薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。在该方法中，通过一次图案化处理形成保护电极层和有源层，且保护电极层和源漏极层是通过不同的图案化处理形成的。如此，在不增加工艺难度的前提下，形成的保护电极层可以覆盖源漏极层，降低了源漏极层被氧化的概率，提高了源漏极层的导电性，进而提高了薄膜晶体管的性能。进而提高了薄膜晶体管的性能。进而提高了薄膜晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示装置。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)一般包括依次设置在衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极层以及保护电极层。其中，源漏极层包括分别与有源层连接的源极和漏极，保护电极层包括分别覆盖源极的第一保护电极和覆盖漏极的第二保护电极，且保护电极层与源漏极层是通过一次构图工艺处理得到的。
[0003]但是，在刻蚀处理的过程中，保护电极层易发生过刻现象，导致部分源漏极层未被保护电极层覆盖。而源漏极层中未被保护电极层覆盖的部分极易被氧化，从而影响源漏极层的导电性，导致薄膜晶体管的性能较差。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板、显示装置。可以解决现有技术中的薄膜晶体管的性能较差的问题，所述技术方案如下：
[0005]第一方面，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括：
[0006]在衬底基板上形成覆盖整个衬底基板的半导体薄膜，所述半导体薄膜至少用于后续经过图案化处理形成所述薄膜晶体管的有源层；
[0007]在形成有所述半导体薄膜的衬底基板上形成图案化后的源漏极层，所述源漏极层至少包括所述薄膜晶体管的源极和漏极；
[0008]在形成有所述源漏极层的衬底基板上形成覆盖整个衬底基板的导电薄膜，所述导电薄膜至少用于后续经过图案化处理形成覆盖在所述源极和所述漏极上的保护电极层；
[0009]对所述半导体薄膜和所述导电薄膜同时进行图案化处理，得到由所述半导体薄膜形成的所述有源层，以及由所述导电薄膜形成的所述保护电极层，并对所述保护电极层进行处理，使得所述保护电极层中位于所述源极和所述漏极之间的至少部分断开或绝缘。
[0010]可选的，对所述半导体薄膜和所述导电薄膜同时进行图案化处理，得到由所述半导体薄膜形成的所述有源层，以及由所述导电薄膜形成的所述保护电极层，并对所述保护电极层进行处理，使得所述保护电极层中位于所述源极和所述漏极之间的至少部分断开，包括：
[0011]在所述导电薄膜上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理以保留位于所述源极和所述漏极上方的第一光刻胶区，以及位于所述源极和所述漏极之间的第二光刻胶区，并去除光刻胶完全去除区的光刻胶，其中，所述第一光刻胶区中的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区中的光刻胶厚度，；
[0012]对所述半导体薄膜和所述导电薄膜同时进行湿法刻蚀，去除与所述光刻胶完全去除区对应的半导体薄膜和导电薄膜，以形成所述有源层和所述保护电极层；
[0013]采用干法刻蚀去除所述第二光刻胶区中的光刻胶，并去除与所述第二光刻胶区对应的保护电极层，以形成位于所述源极上的第一保护电极和位于所述漏极上方的第二保护电极，且所述第一保护电极和所述第二保护电极断开。
[0014]可选的，所述源极在所述衬底基板上的第一正投影，位于所述源极上的第一光刻胶区在所述衬底基板上的第二正投影内，且所述第一正投影的外边界与所述第二正投影的外边界之间的距离大于预设距离阈值；
[0015]所述漏极在所述衬底基板上的第三正投影，位于所述漏极上的第一光刻胶区在所述衬底基板上的第四正投影内，且所述第三正投影的外边界与所述第四正投影的外边界之间的距离大于预设距离阈值；
[0016]在形成所述保护电极层后，所述保护电极层包裹所述源极和所述漏极的侧面。
[0017]可选的，所述位于所述源极上方的第一光刻胶区具有两个侧面，所述两个侧面分别与所述源极的两个侧面平齐，所述位于所述漏极上方的第一光刻胶区具有两个侧面，所述两个侧面分别与所述漏极的两个侧面平齐，使得所述第一光刻胶区覆盖到源极和漏极，并与所述源极和所述漏极的侧面平齐；
[0018]在形成所述保护电极层后，所述源极远离所述漏极的侧面与所述保护电极层的侧面平齐，且所述漏极远离所述源极的侧面与所述保护电极层的侧面平齐。可选的，所述保护电极层具有第一部分和第二部分，所述第一部分与所述源极接触，且朝向所述漏极，所述第二部分与所述漏极接触，且朝向所述源极，所述第二光刻胶区位于所述第一部分和所述第二部分之间；
[0019]采用干法刻蚀去除所述第二光刻胶区中的光刻胶，并去除与所述第二光刻胶区对应的保护电极层，以形成位于所述源极上的第一保护电极和位于所述漏极上的第二保护电极，且所述第一保护电极和所述第二保护电极断开，包括：
[0020]采用干法刻蚀去除位于所述第一部分和所述第二部分之间的光刻胶，并减薄所述第一光刻胶区中的光刻胶；
[0021]采用干法刻蚀去除所述保护电极层中位于所述第一部分和所述第二部分之间的部分，使所述有源层漏出，以形成所述第一保护电极和所述第二保护电极。
[0022]可选的，在所述采用干法刻蚀去除所述保护电极层中位于所述第一部分和所述第二部分之间的部分，使所述有源层漏出之后，所述方法还包括：
[0023]采用包括氧气或一氧化二氮气体中的至少一种气体的等离子体对所述有源层进行表面处理，以调整所述有源层中的氧空位的浓度。
[0024]可选的，所述在衬底基板上形成半导体薄膜之前，所述方法还包括：
[0025]在所述衬底基板上依次形成栅极和栅极绝缘层，其中，所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述栅极在所述衬底基板上的正投影内。
[0026]第二方面，提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
[0027]位于衬底基板的一侧的有源层；
[0028]位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的源漏极层，所述源漏极层至少包括源极和漏极；
[0029]以及，位于所述源漏极层远离所述衬底基板一侧的保护电极层，其中，所述保护电极层覆盖所述源极和所述漏极，且所述保护电极层中位于所述源极和所述漏极之间的至少
部分断开或绝缘。
[0030]可选的，所述保护电极层包括位于所述源极上的第一保护电极和位于所述漏极上的第二保护电极，所述第一保护电极和所述第二保护电极断开。
[0031]可选的，所述第一保护电极包裹所述源极的侧面，所述第二保护电极包裹所述漏极的侧面。
[0032]可选的，所述第一保护电极的侧面与所述源极的侧面平齐，所述第二保护电极的侧面与所述漏极的侧面平齐。
[0033]可选的，所述第一保护电极远离所述第二保护电极的侧面与所述有源层的侧面平齐，所述第二保护电极远离所述第一保护电极的侧面与所述有源层的侧面平齐。
[0034]可选的，所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影，位于所述有源层在所述衬底基板上的正投影内。
[0035]可选的，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层与所述源极之间的第三保护电极，以及位于有源层和所述漏极之间的第四保护电极。
[0036]可选的，所述源漏极层的材料包括：金属铜，所述保护电极层的材料包括：钼铌合金。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成覆盖整个衬底基板的半导体薄膜，所述半导体薄膜至少用于后续经过图案化处理形成所述薄膜晶体管的有源层；在形成有所述半导体薄膜的衬底基板上形成图案化后的源漏极层，所述源漏极层至少包括所述薄膜晶体管的源极和漏极；在形成有所述源漏极层的衬底基板上形成覆盖整个衬底基板的导电薄膜，所述导电薄膜至少用于后续经过图案化处理形成覆盖在所述源极和所述漏极上的保护电极层；对所述半导体薄膜和所述导电薄膜同时进行图案化处理，得到由所述半导体薄膜形成的所述有源层，以及由所述导电薄膜形成的所述保护电极层，并对所述保护电极层进行处理，使得所述保护电极层中位于所述源极和所述漏极之间的至少部分断开或绝缘。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述半导体薄膜和所述导电薄膜同时进行图案化处理，得到由所述半导体薄膜形成的所述有源层，以及由所述导电薄膜形成的所述保护电极层，并对所述保护电极层进行处理，使得所述保护电极层中位于所述源极和所述漏极之间的至少部分断开，包括：在所述导电薄膜上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理以保留位于所述源极和所述漏极上方的第一光刻胶区，以及位于所述源极和所述漏极之间的第二光刻胶区，并去除光刻胶完全去除区的光刻胶，其中，所述第一光刻胶区中的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区中的光刻胶厚度，；对所述半导体薄膜和所述导电薄膜同时进行湿法刻蚀，去除与所述光刻胶完全去除区对应的半导体薄膜和导电薄膜，以形成所述有源层和所述保护电极层；采用干法刻蚀去除所述第二光刻胶区中的光刻胶，并去除与所述第二光刻胶区对应的保护电极层，以形成位于所述源极上的第一保护电极和位于所述漏极上方的第二保护电极，且所述第一保护电极和所述第二保护电极断开。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述源极在所述衬底基板上的第一正投影，位于所述源极上的第一光刻胶区在所述衬底基板上的第二正投影内，且所述第一正投影的外边界与所述第二正投影的外边界之间的距离大于预设距离阈值；所述漏极在所述衬底基板上的第三正投影，位于所述漏极上的第一光刻胶区在所述衬底基板上的第四正投影内，且所述第三正投影的外边界与所述第四正投影的外边界之间的距离大于预设距离阈值；在形成所述保护电极层后，所述保护电极层包裹所述源极和所述漏极的侧面。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述位于所述源极上方的第一光刻胶区具有两个侧面，所述两个侧面分别与所述源极的两个侧面平齐，所述位于所述漏极上方的第一光刻胶区具有两个侧面，所述两个侧面分别与所述漏极的两个侧面平齐，使得所述第一光刻胶区覆盖到源极和漏极，并与所述源极和所述漏极的侧面平齐；在形成所述保护电极层后，所述源极远离所述漏极的侧面与所述保护电极层的侧面平齐，且所述漏极远离所述源极的侧面与所述保护电极层的侧面平齐。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述保护电极层具有第一部分和第二部分，所述第一部分与所述源极接触，且朝向所述漏极，所述第二部分与所述漏极接触，且朝向所述源极，所述第二光刻胶区位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林滨，乐发垫，付婉霞，邹振游，郭航乐，李梁梁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：