发声装置和终端设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发声装置和终端设备，该发声装置包括盆架、磁路系统及振动系统，磁路系统包括U铁、内磁路部分及外磁路部分，内磁路部分设于U铁的容置槽内，外磁路部分设于U铁的支撑面，并与盆架连接，外磁路部分和U铁配合以盖合容腔一端的开口，容置槽的侧壁和外磁路部分与内磁路部分间隔以形成磁间隙，内磁路部分面向磁间隙的一侧设有缺口槽，振动系统包括振膜和连接于振膜的音圈，振膜连接于盆架，并盖合容腔另一端的开口，音圈远离振膜的一端悬设于磁间隙内。本发明专利技术旨在提供一种保证BL值和线性范围良好的发声装置，该发声装置不仅有效减低重量，保证良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。轻量化的设计要求。轻量化的设计要求。

【技术实现步骤摘要】
发声装置和终端设备


[0001]本专利技术涉及电声转换
，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的终端设备。

技术介绍

[0002]喇叭又称扬声器，是一种电声换能器，它通过某种物理效应把电能转换成声能。当不同的电子能量传至喇叭的音圈时，音圈产生一种能量与磁铁的磁场互动，这种互动造成振膜振动，因为电子能量随时变化，喇叭的音圈会往前或往后运动，因此喇叭的振膜就会跟着运动，此动作使空气的疏密程度产生变化而产生声音。
[0003]相关技术中，扬声器的华司多为圆柱状或圆环状，通过胶水粘接在磁铁上，与U铁或T铁组成扬声器的磁路系统。华司起到导磁作用，与U铁或T铁和磁铁组成磁气回路，使通电的音圈在其中做切割磁感线运动，带动振膜震动发声。但是，圆盘状或圆环状的华司部分区域导磁率很低，保留导磁率低的区域导致华司重量增加，无法满足小型化、轻量化的设计要求，且存在BL值和线性范围不好的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提供一种发声装置和终端设备，旨在提供一种保证BL值和线性范围良好的发声装置，该发声装置不仅有效减低重量，保证良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提出一种发声装置，所述发声装置包括：
[0006]盆架，所述盆架设有两端开口的容腔；
[0007]磁路系统，所述磁路系统包括U铁、内磁路部分及外磁路部分，所述U铁具有容置槽，所述内磁路部分设于所述容置槽内，所述U铁邻近所述容置槽槽口的端面形成支撑面，所述外磁路部分设于所述支撑面，并与所述盆架连接，所述外磁路部分和所述U铁配合以盖合所述容腔一端的开口，所述容置槽的侧壁和所述外磁路部分与所述内磁路部分间隔以形成磁间隙，所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽；及
[0008]振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜连接于所述盆架，并盖合所述容腔另一端的开口，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内。
[0009]在一实施例中，所述内磁路部分包括层叠设置的内磁铁和内华司，所述内磁铁夹设于所述内华司和所述容置槽的底壁之间，所述内华司面向所述磁间隙的一侧设有所述缺口槽；
[0010]所述外磁路部分包括层叠设置的外磁铁和外华司，所述外磁铁夹设于所述外华司和所述支撑面之间，所述外华司与所述盆架连接。
[0011]在一实施例中，所述内华司背向所述内磁铁的一侧设有凹陷槽。
[0012]在一实施例中，定义所述内磁铁的厚度为h1，定义所述外磁铁的厚度为h2，其中，
0.8≤h1/h2≤1.2；
[0013]且/或，定义所述内华司的最大厚度为t1，定义所述外华司的厚度t2，其中，2≤t1/t2≤2.5；
[0014]且/或，定义所述内华司的半径为d1，定义所述外华司的宽度为d2，其中，1.5≤d1/d2≤2；
[0015]且/或，所述凹陷槽的截面呈半圆形，定义所述凹陷槽的半径为R，定义所述内华司的最大厚度为t1，定义所述内华司的半径为d1，其中，t1＜R＜d1。
[0016]在一实施例中，所述缺口槽沿所述内华司的周缘延伸设置；
[0017]且/或，所述缺口槽邻近所述内磁铁设置；
[0018]且/或，所述外华司背向所述磁间隙的一侧凸设有限位凸起，所述盆架设有限位槽，所述限位凸起容纳并限位于所述限位槽内。
[0019]在一实施例中，所述内磁路部分还包括短路环，所述短路环包括呈夹角设置的第一段和第二段，所述第一段与所述内华司背向所述内磁铁的一侧连接，所述第二段贴附于所述内华司面向所述磁间隙的一侧，并延伸至所述内磁铁，以遮盖所述缺口槽。
[0020]在一实施例中，定义所述缺口槽沿所述磁间隙轴线方向的长度为a，定义所述缺口槽沿垂直于所述磁间隙轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。
[0021]在一实施例中，所述容置槽的底壁凸设有凸台，所述凸台与所述容置槽的侧壁间隔，并围合形成连通所述容置槽的避位槽，所述避位槽与所述磁间隙对应，所述内磁路部分支撑于所述凸台；
[0022]且/或，所述U铁背向所述容置槽槽口的一侧凹设有凹槽。
[0023]在一实施例中，所述振动系统还包括定心环，所述定心环的内侧与所述音圈的外壁连接，所述盆架凸设有固定台，所述定心环的外侧与所述固定台连接；
[0024]且/或，所述U铁邻近所述支撑面朝向背离所述容置槽的一侧延伸形成支撑台，所述支撑台与所述支撑面齐平，所述外磁路部分支撑于所述支撑面和所述支撑台。
[0025]本专利技术还提出一种终端设备，包括设备壳体和上述所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。
[0026]本专利技术技术方案的发声装置通过在盆架内设置两端开口的容腔，从而利用盆架安装、固定和保护磁路系统和振动系统，通过将磁路系统设置为U铁、内磁路部分及外磁路部分，利用U铁的容置槽安装固定内磁路部分，并将外磁路部分设于U铁的支撑面，使得内磁路部分与U铁的容置槽的侧壁和外磁路部分围合形成供振动系统音圈悬设的磁间隙，如此音圈通电后，音圈在磁路系统的磁间隙内做切割磁感线的运动，从而带动振膜振动发声；通过在内磁路部分面向磁间隙的一侧设有缺口槽，从而取消内磁路部分导磁率低的部分，以减小内磁路部分的重量，并充分利用内磁路部分导磁率高的部分，以保证发声装置良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以
根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0028]图1为本专利技术一实施例中发声装置的剖面示意图；
[0029]图2为本专利技术一实施例中磁路系统的剖面示意图；
[0030]图3为本专利技术一实施例中磁路系统的剖面示意图；
[0031]图4为本专利技术一实施例中磁路系统的部分剖面放大示意图；
[0032]图5为本专利技术一实施例中U铁的剖面示意图；
[0033]图6为本专利技术一实施例中部分磁路系统的仿真磁感线示意图；
[0034]图7为现有技术中部分磁路系统的仿真磁感线示意图；
[0035]图8为本专利技术一实施例中发声装置与现有技术的BL曲线图。
[0036]附图标号说明：
[0037]标号名称标号名称100发声装置222内华司1盆架2221缺口槽11容腔2222凹陷槽12限位槽223短路环13固定台2231第一段2磁路系统2232第二段21U铁23外磁路部分211容置槽231外磁铁212支撑面232外华司213凸台2321限位凸起214避位槽24磁间隙215凹槽3振动系统216支撑台31振膜22内磁路部分32音圈221内磁铁33定心环
[0038]本专利技术目的的实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：盆架，所述盆架设有两端开口的容腔；磁路系统，所述磁路系统包括U铁、内磁路部分及外磁路部分，所述U铁具有容置槽，所述内磁路部分设于所述容置槽内，所述U铁邻近所述容置槽槽口的端面形成支撑面，所述外磁路部分设于所述支撑面，并与所述盆架连接，所述外磁路部分和所述U铁配合以盖合所述容腔一端的开口，所述容置槽的侧壁和所述外磁路部分与所述内磁路部分间隔以形成磁间隙，所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽；及振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜连接于所述盆架，并盖合所述容腔另一端的开口，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内。2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述内磁路部分包括层叠设置的内磁铁和内华司，所述内磁铁夹设于所述内华司和所述容置槽的底壁之间，所述内华司面向所述磁间隙的一侧设有所述缺口槽；所述外磁路部分包括层叠设置的外磁铁和外华司，所述外磁铁夹设于所述外华司和所述支撑面之间，所述外华司与所述盆架连接。3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述内华司背向所述内磁铁的一侧设有凹陷槽。4.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，定义所述内磁铁的厚度为h1，定义所述外磁铁的厚度为h2，其中，0.8≤h1/h2≤1.2；且/或，定义所述内华司的最大厚度为t1，定义所述外华司的厚度t2，其中，2≤t1/t2≤2.5；且/或，定义所述内华司的半径为d1，定义所述外华司的宽度为d2，其中，1.5≤d1/d2≤2；且/或，所述凹陷槽的截面呈半圆形，定义所述凹陷槽的半径为R，定义所述内华司的最大厚度为t1，定义所述内华司的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：高岩，李世田，张凯，张迪，
申请(专利权)人：潍坊歌尔丹拿电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：