一种直流输入的防反接电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直流输入的防反接电路，包括直流输入端、直流输出端、第一NMOS管、第三NMOS管、第一电容、限流电阻和分压电路，直流输入端的正极接直流输出端的正极，第一NMOS管的漏极接直流输入端的负极，第一NMOS管的源极接第三NMOS管的源极，第三NMOS管的漏极接直流输出端的负极；第一电容接在直流输出端的正极与负极之间，限流电阻与第三NMOS管并联；分压电路的第一端接直流输出端的正极，第二端接第一NMOS管的源极，分压电路的电压信号输出端接第一NMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极。本实用新型专利技术通过两个MOS管串联实现直流输入防反接的需求，降低了电路的损耗，电路正常工作时损耗较低。工作时损耗较低。工作时损耗较低。

【技术实现步骤摘要】
一种直流输入的防反接电路
[
][0001]本技术涉及直流电源，尤其涉及一种直流输入的防反接电路。
[
技术介绍
][0002]传统电源技术通常在输入主电路中串联了一个大功率二极管,利用二极管的正向导通而反向截止的特性,制成一个直流输入防反接保护电路。当电源的输入直流电压正负极性正确接入开机时,二极管导通，后级输入主电路可正常工作,当电源的输入直流电压正负极性反向接入开机时，二极管反向截止,后级输入主电路不能工作,从而达到了保护电源的目的。
[0003]这种直流输入的防反接保护电路虽然电路简单,能够很好的起到直流输入防反接保护的作用，但由于二极管是串连在输入主电路中的，二极管始终参与工作，在电路正常工作时会消耗电能,造成不必要的功率损耗；而且大功率电源为了降低二极管的电流应力和二极管的散热,通常采用两个大功率二极管并联，并对二极管加装散热器，增加了产品成本。
[
技术实现思路
][0004]本技术要解决的技术问题是提供一种电路正常工作时损耗较低的直流输入的防反接电路。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是，一种直流输入的防反接电路，包括直流输入端、直流输出端、第一NMOS管、第三NMOS管、第一电容、限流电阻和分压电路，直流输入端的正极接直流输出端的正极，第一NMOS管的漏极接直流输入端的负极，第一NMOS管的源极接第三NMOS管的源极，第三NMOS管的漏极接直流输出端的负极；第一电容接在直流输出端的正极与负极之间，限流电阻与第三NMOS管并联；分压电路的第一端接直流输出端的正极，第二端接第一NMOS管的源极，分压电路的电压信号输出端接第一NMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极。
[0006]以上所述的防反接电路，包括滤波电感，直流输入端的正极经过滤波电感接直流输出端的正极。
[0007]以上所述的防反接电路，包括二极管，二极管的阳极接分压电路的电压信号输出端，二极管的阴极接直流输出端的正极。
[0008]以上所述的防反接电路，包括第二NMOS管和第四NMOS管，第二NMOS管与第一NMOS管并联，第四NMOS管与第三NMOS管并联。
[0009]以上所述的防反接电路，包括钳位二极管，钳位二极管的阴极接第一NMOS管的栅极，钳位二极管的阳极接第一NMOS管的源极。
[0010]以上所述的防反接电路，包括滤波电容，滤波电容接在第一NMOS管的栅极与第一NMOS管的源极之间。
[0011]本技术通过两个MOS管串联实现直流输入防反接的需求，降低了电路的损耗，
电路正常工作时损耗较低。
[附图说明][0012]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0013]图1是本技术实施例直流输入的防反接电路的电路图。
[具体实施方式][0014]本技术实施例直流输入防反接电路的结构如图1所示，包括直流输入端、直流输出端、第一NMOS管Q1、第二NMOS管Q2、第三NMOS管Q3、第四NMOS管Q4、第一电容C26、滤波电容、快恢复二极管D1、滤波电感L7
‑
B、钳位二极管Z1、限流电阻R1和分压电路。
[0015]第一NMOS管Q1与第二NMOS管Q2并联，即第一NMOS管Q1的漏极与第二NMOS管Q2的漏极连接，第一NMOS管Q1的源极与第二NMOS管Q2的源极连接，第一NMOS管Q1的栅极与第二NMOS管Q2的栅极连接。第三NMOS管Q1与第四NMOS管Q2并联，即第三NMOS管Q1的漏极与第四NMOS管Q2的漏极连接，第三NMOS管Q1的源极与第四NMOS管Q2的源极连接，第三NMOS管Q1的栅极与第四NMOS管Q2的栅极连接。
[0016]直流输入端的正极BAT+经过滤波电感L7
‑
B接直流输出端的正极DC+。第一NMOS管Q1的漏极接直流输入端的负极BAT
‑
，第一NMOS管Q1的源极接第三NMOS管Q3的源极，第三NMOS管Q3的漏极接直流输出端的负极(地)AGND。第一电容C26接在直流输出端的正极DC+与负极(地)AGND之间，限流电阻R1与第三NMOS管Q3、第四NMOS管Q4并联。
[0017]电阻R2、与电阻R3串联构成分压电路的第一电阻，电阻R4与电阻R5并联构成分压电路的第二电阻(驱动电阻)。第一电阻与第二电阻的连接点为分压电路的电压信号输出端，分压电路的第一端接直流输出端的正极DC+，第二端接第一NMOS管Q1的源极。分压电路的电压信号输出端接所有NMOS管的栅极。
[0018]快恢复二极管D1与第一电阻并联，即二极管D1的阳极接分压电路的电压信号输出端，快恢复二极管D1的阴极接直流输出端的正极DC+。
[0019]钳位二极管Z1的阴极接第一NMOS管Q1的栅极，钳位二极管Z1的阳极接第一NMOS管Q1的源极。滤波电容由电容C1和电容C5并联构成，滤波电容接在所有NMOS管的栅极与所有NMOS管的源极之间。
[0020]本技术以上实施例的直流输入防反接电路当直流输入端正接时，直流输入端正极BAT+通过滤波电感L7
‑
B、电容C26、限流电阻R1、第一组NMOS管Q1、Q2回到直流输入端负极BAT
‑
，形成一个电流回路，此时电流是第一组NMOS管Q1、Q2的寄生二极管形成回路。另一电路回路是，直流输入端正极BAT+通过滤波电感L7
‑
B、分压电路的电阻R2、R3、R4、R5、第一组NMOS管Q1、Q2回到直流输入端负极BAT
‑
，此时驱动电阻R4、R5的电压经由电阻R2、R3分压，由于MOS管中的寄生二极管的存在，从而使得MOS管的Vgs电压为驱动电阻R4、R5的电压减去寄生二极管压降电压0.7V，这个电压是大于NMOS开关导通的阈值电压，从而使NMOS管导通，限流电阻被短路，此时电流回路是通过两组NMOS管的DS沟道流动，直流输入端正极BAT+通过滤波电感L7
‑
B、电容C26、两组NMOS管Q3、Q4、Q1、Q2的DS沟道回到直流输入端负极BAT
‑
，MOS管漏源极压差极小，大大降低了电路损耗，减小了MOS管的热应力，所以MOS管不需要增加散热器散热，减小了生产作业的难度,加快了生产进程。
[0021]直流输入端反接时，由于MOS管自身开关特性，MOS管是截止的，第一组NMOS管Q1、Q2不导通，从而实现了保护后级电路安全的作用。
[0022]当直流电正接入BAT+时，电流通过滤波电感L7
‑
B、电容C26、限流电阻R1、第一组NMOS管Q1、Q2回到直流输入端负极BAT
‑
，形成一个电流回路，给与电容C26充电，起始电容电压很低，与直流输入端存在较大压差，会产生较大的冲击电流，但由于滤波电感L7
‑
B和限流电阻R1的存在，可以抑制冲击电流产生，即起到限制电容C26充电速率作用。
[0023]当直流输入端从D本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流输入的防反接电路，包括直流输入端和直流输出端，其特征在于，包括第一NMOS管、第三NMOS管、第一电容、限流电阻和分压电路，直流输入端的正极接直流输出端的正极，第一NMOS管的漏极接直流输入端的负极，第一NMOS管的源极接第三NMOS管的源极，第三NMOS管的漏极接直流输出端的负极；第一电容接在直流输出端的正极与负极之间，限流电阻与第三NMOS管并联；分压电路的第一端接直流输出端的正极，第二端接第一NMOS管的源极，分压电路的电压信号输出端接第一NMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极。2.根据权利要求1所述的防反接电路，其特征在于，包括滤波电感，直流输入端的正极经过滤波电...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍杰，李勇，
申请(专利权)人：深圳市高斯宝电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：