喷嘴及半导体清洁系统技术方案

一种喷嘴，包括发散区段及分流区段。发散区段具有相对的第一入口、第一出口及连接第一入口与第一出口的第一流道，第一流道从第一入口至第一出口呈渐扩。分流区段分别包括多个第二入口、多个第二出口及多个第二流道，这些第二流道的每一者连接对应的第二入口与第二出口，这些第二入口连接于第一出口，且这些第二出口中相邻两者之间的距离大于这些第二入口中对应的两者之间的距离。一种半导体清洁系统亦被提及。本新型提供的喷嘴，其具有多出口，而可针对多列元件进行喷射，以降低这些列元件之间的间隙被喷射到流体的机率，而可有效减少浪费。费。费。

【技术实现步骤摘要】
喷嘴及半导体清洁系统


[0001]本技术涉及一种喷嘴及清洁系统，且尤其涉及一种喷嘴及半导体清洁系统。

技术介绍

[0002]部分的半导体元件(例如是半导体传感器)在顶面设置有玻璃等保护材料。此类玻璃的表面有时会沾附来自于环境、设备或夹具的脏污、水印或胶水残留物。其中一种清洁方式是利用喷嘴喷射高速空气与干冰至玻璃的表面，以去除脏污。干冰升华之后无水等其他物质残留，而可具有较佳的清洁效果。
[0003]由于待清洁的半导体元件是以矩阵形式间隔的排列在托盘上，习知在以干冰清洁半导体元件的过程中，干冰在向喷射这些半导体元件以进行表面清洁的同时，干冰同样也被喷射至位于这些半导体元件之间的间隙，甚至被喷射至整个托盘。然而，相较于整个托盘的面积，托盘上的这些半导体元件所占的面积来得小很多，在某些状况下，托盘上的这些半导体元件仅占托盘面积的25％。也就是说，托盘上可能有75％的区域是不需要进行干冰清洁的。因此，传统的干冰清洁方式造成相当大的浪费。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种喷嘴，其具有多出口，而可针对多列元件进行喷射，以降低这些列元件之间的间隙被喷射到流体的机率，而可有效减少浪费。
[0005]本技术提供一种半导体清洁系统，其具有上述的喷嘴。
[0006]本技术的一种喷嘴，包括发散区段及分流区段。发散区段具有相对的第一入口、第一出口及连接第一入口与第一出口的第一流道，第一流道从第一入口至第一出口呈渐扩。分流区段分别包括多个第二入口、多个第二出口及多个第二流道，这些第二流道的每一者连接对应的第二入口与第二出口，这些第二入口连接于第一出口，且这些第二出口中相邻两者之间的距离大于这些第二入口中对应的两者之间的距离。
[0007]在本技术的一实施例中，上述的喷嘴还包括收敛区段，具有相对的第三入口、第三出口及连接第三入口与第三出口的第三流道，第三出口连接于第一入口，第三流道从第三入口至第三出口呈渐缩。
[0008]在本技术的一实施例中，上述的这些第二出口中的每一者的宽度与这些第二出口中相邻两者之间的距离的比值介于0.25至5之间。
[0009]在本技术的一实施例中，上述的第一流道具有中心轴线，这些第二入口中对称于中心轴线的两者具有相同的宽度。
[0010]在本技术的一实施例中，上述的这些第二入口的数量大于等于3，这些第二入口排成一排，这些第二入口中靠近中央的一者的宽度与靠近边缘的一者的宽度的比值介于0.5至1之间。
[0011]在本技术的一实施例中，上述的分流区段的长度与这些第二出口中相邻两者之间的距离的比值介于2至50之间。
[0012]在本技术的一实施例中，上述的发散区段的长度与这些第二入口的宽度总合的比值介于1至50之间。
[0013]在本技术的一实施例中，上述的发散区段的长度介于10厘米至300厘米之间。
[0014]在本技术的一实施例中，上述的分流区段的长度介于20厘米至600厘米之间。
[0015]在本技术的一实施例中，上述的这些第二出口中相邻两者之间的距离介于2厘米至50厘米之间。
[0016]在本技术的一实施例中，从发散区段的第一入口往分流区段的这些第二出口的整体外轮廓呈渐扩的锥状。
[0017]在本技术的一实施例中，上述的喷嘴的多个第二出口适于喷出清洁流体以同时清洁放置于托盘上的多列半导体元件，这些列半导体元件中的每一列的宽度与第二出口的宽度的比值介于0.3至5之间。
[0018]在本技术的一实施例中，上述的这些列半导体元件中相邻两列之间的距离与这些第二出口中相邻两者之间的距离的比值介于1至4之间。
[0019]本技术的一种半导体清洁系统，包括托盘、多个半导体元件及上述的喷嘴。托盘包括排列呈矩阵的多个凹槽。这些半导体元件分别放置于这些凹槽内，而排列成多列。喷嘴可移动地设置于托盘上方，喷嘴的这些第二出口适于同时将清洁流体喷向这些列半导体元件中的至少数列，且这些第二出口中相邻任两者之间形成未喷洒范围。
[0020]在本技术的一实施例中，上述的这些列半导体元件的每一列的宽度与第二出口的宽度的比值介于0.3至5之间。
[0021]在本技术的一实施例中，上述的这些列半导体元件的相邻两列之间的距离与这些第二出口中相邻两者之间的距离的比值介于1至4之间。
[0022]在本技术的一实施例中，上述的半导体元件包括图像传感器或发光二极管器件。
[0023]在本技术的一实施例中，上述的半导体元件包括芯片尺寸封装(Chip Scale Package，CSP)芯片、单芯片系统(System on a Chip，SoC)芯片，系统封装(System
‑
in
‑
Package，SiP)芯片、基板上芯片封装(Chip on Board，COB)芯片。
[0024]在本技术的一实施例中，上述的这些半导体元件的每一者包括顶保护层，喷嘴将清洁流体喷向半导体元件的顶保护层，以清洁顶保护层。
[0025]在本技术的一实施例中，上述的清洁流体包括干冰。
[0026]基于上述，本技术的喷嘴的发散区段的第一流道从第一入口至第一出口呈渐扩，以利流体在径向上分散。喷嘴的分流区段的这些第二流道通过这些第二入口连通至第一出口，且这些第二出口中相邻两者之间的距离大于这些第二入口中对应的两者之间的距离。因此，流体可从喷嘴的这些第二出口喷射至排列成多列的元件，以降低这些列元件之间的间隙被喷射到流体的机率，而可有效减少浪费。同样地，在本技术的半导体清洁系统中，喷嘴的这些第二出口适于同时将清洁流体喷向这些列半导体元件中的至少数列，且这些第二出口中相邻任两者之间形成未喷洒范围，以有效减少浪费。
附图说明
[0027]图1A是依照本技术的一实施例的一种喷嘴的示意图。
[0028]图1B是图1A的喷嘴所清洁的半导体元件的侧视图。
[0029]图2是依照本技术的另一实施例的一种喷嘴的示意图。
[0030]图3是依照本技术的另一实施例的一种喷嘴的示意图。
[0031]图4是依照本技术的一实施例的一种半导体清洁系统的示意图。
[0032]【符号说明】
[0033]A:中心轴线
[0034]C1、C2、CM：排
[0035]S、GS、GT：距离
[0036]L1、L2：长度
[0037]P1、P2、P3、P4、GV、W、GW：宽度
[0038]R1、R2、RN：列
[0039]10：半导体清洁系统
[0040]20：托盘
[0041]22：凹槽
[0042]24：夹具
[0043]25：脏污
[0044]26：流体
[0045]30：半导体元件
[0046]32：透光区
[0047]34：顶保护层<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种喷嘴，其特征在于，包括：发散区段，具有相对的第一入口、第一出口及连接所述第一入口与所述第一出口的第一流道，所述第一流道从所述第一入口至所述第一出口呈渐扩；以及分流区段，分别包括多个第二入口、多个第二出口及多个第二流道，所述多个第二流道的每一者连接对应的所述第二入口与所述第二出口，所述多个第二入口连接于所述第一出口，且所述多个第二出口中相邻两者之间的距离大于所述多个第二入口中对应的两者之间的距离。2.根据权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，还包括收敛区段，具有相对的第三入口、第三出口及连接所述第三入口与所述第三出口的第三流道，所述第三出口连接于所述第一入口，所述第三流道从所述第三入口至所述第三出口呈渐缩。3.根据权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，所述多个第二出口中的每一者的宽度与所述多个第二出口中相邻两者之间的所述距离的比值介于0.25至5之间。4.根据权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，所述第一流道具有中心轴线，所述多个第二入口中对称于所述中心轴线的两者具有相同的宽度。5.根据权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，所述多个第二入口的数量大于等于3，所述多个第二入口排成一排，所述多个第二入口中靠近中央的一者的宽度与靠近边缘的一者的宽度的比值介于0.5至1之间。6.根据权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，所述分流区段的长度与所述多个第二出口中相邻两者之间的所述距离的比值介于2至50之间。7.根据权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，所述发散区段的长度与所述多个第二入口的宽度总合的比值介于1至50之间。8.根据权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，所述发散区段的长度介于10厘米至300厘米之间。9.根据权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，所述分流区段的长度介于20厘米至600厘米之间。10.根据权利要求1所述的喷嘴，其特征在于，所述多个第二出口中相邻两者之间的所述距离介于2厘米至50厘米之间。11....

【专利技术属性】
技术研发人员：林信嘉，施文凯，郭依伦，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：