一种低功耗高性能射频电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低功耗高性能射频电路，所述芯片U1上信号连接有芯片U2，所述芯片U2的型号为BFP640ESD，所述芯片U1的2号引脚通过电感L10和电容C10与芯片U2的3号引脚连接，所述芯片U2的1号引脚通过电容C13和电感L4与芯片U5的3号引脚连接，所述芯片U2的1号和3号引脚之间接有电感L9、电阻R2、电阻R3和电感L6，所述电感L6通过电容C11接地，所述电容C11上并联接有电容C22，所述电感L9通过电容C16，所述电容C16联接有电容C3，所述电阻R2和电阻R3通过电阻R1接2.5V电源。本实用新型专利技术的优点在于：提高微功率无线通信接收机的信噪比从而提高传输距离和满足传输速率，仅对系统增加极小的功耗。的功耗。的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗高性能射频电路


[0001]本技术涉及射频电路
，具体是指一种低功耗高性能射频电路。

技术介绍

[0002]近几年无线通信技术应用发展很快，特别是微功率无线数据通信技术为物联网信息数据采集提供了大量的通信渠道。但在现实工程应用中，由于微功率无线数据通信使用条件严格受限，例如发送功率受限，传输带宽受限，工作占空比受限等等，造成传输距离近，通信速率低等问题。无法完全满足使用需求。
[0003]对于微功率无线数据通信提高基本技术性能的方法有很多种，如在无线接收前端加集成低噪声放大器用于提高接收灵敏度或采用扩频方式提高通讯距离。采用集成低噪声放大器技术方法改善微功率无线数据通信在实际工程运用中效果有限，原因是采用集成低噪声放大器，而放大器工作频带很宽所以通常噪声系数较大(1.5
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2或有的到3)，放大器在放大信号的同时噪声也随之一起放大，这种低噪声放大器的信噪比SNR较低，放大增益较低(通常10
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14db左右)，在实际运用中效果不是非常好。而运用微功率无线扩频通讯距离虽然可以大幅度增加通信距离，但由于微功率无线通信带宽受限，扩频带来的结果是通讯速率的大幅度降低，如LORA扩频技术当扩频因子到12时，它的速率只有几十到几百个bps，当需要传输一定量的数据信号时就需要较长时间才能完成数据传输。在某些低功耗应用场景下，如果发送时间长，就意味着功耗高，整个系统的寿命会受到影响。例如水表，气表等集抄应用，既需要远距离的点对点通信，又因为电池供电，需要极低的系统功耗。
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技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是，针对上述问题，提供一种提高微功率无线通信接收机的信噪比从而提高传输距离和满足传输速率，仅对系统增加极小的功耗的低功耗高性能射频电路。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供的技术方案为：一种低功耗高性能射频电路，包括芯片U1和U5，所述芯片U1的型号为SI4463，所述芯片U5的型号为UPG2214，所述芯片U1的1号和21号引脚之间接有电阻R200，所述芯片U1的3号引脚通过电容C12与电容C10连接，所述芯片U1的4号引脚电感L7、电容C6、电感L5、电感L3和电容C1与芯片U5的1号引脚连接，所述芯片U1的5号引脚接地，所述芯片U1的6号引脚通过电容C206接地，所述芯片U1的8号引脚通过电容C207接地，所述芯片U1的9号引脚电阻R201与通用输入输出连接，所述芯片U1的10号引脚与通用输入输出连接，所述芯片U1的17号引脚通过电容C17与晶振Y1的3号引脚连接，所述芯片U1的18号引脚与晶振Y1的1号和2号引脚连接，所述晶振Y1的1号引脚通过电容C18与晶振的Y1的4号引脚连接，所述芯片U1的19号引脚通过电阻R202与通用输入输出连接，所述芯片U1的20号引脚与通用输入输出连接，所述芯片U5的4号和6号引脚连接通用输入输出，所述所述芯片U5的5号引脚串联接有电容C14和电感L2，所述芯片U1上信号连接有芯片U2，所述芯片U2的型号为BFP640ESD，所述芯片U1的2号引脚通过电感L10和电容C10
与芯片U2的3号引脚连接，所述芯片U2的1号引脚通过电容C13和电感L4与芯片U5的3号引脚连接，所述芯片U2的1号和3号引脚之间接有电感L9、电阻R2、电阻R3和电感L6，所述电感L6通过电容C11接地，所述电容C11上并联接有电容C22，所述电感L9通过电容C16，所述电容C16联接有电容C3，所述电阻R2和电阻R3通过电阻R1接2.5V电源。
[0006]作为改进，所述芯片U1的6号和8号引脚串联接有电容C211、电容C212、电容C213和电容C214，所述电容C211、电容C212、电容C213和电容C214一端与电源连接，另一端接地。
[0007]作为改进，所述电容C18接2.5V电源。
[0008]作为改进，所述芯片U1的2号和3号引脚之间接有电感L1，所述电感L1与电感L10并联，所述电感L1通过电容C18接地。
[0009]作为改进，所述芯片U1的4号引脚通过电感L8接3.3V电源，所述电感L8通过电容C19接地。
[0010]作为改进，所述芯片U2的2号和4号引脚接地。
[0011]作为改进，所述芯片U5的4号和6号引脚分别通过电容C20和电容C7接地。
[0012]作为改进，所述电感L2两端分别通过电容C2和电容C5接地。
[0013]本技术与现有技术相比的优点在于：该低功耗高性能射频电路，由射频双体晶体管和电感、电容、电阻组成，其中射频双晶体管U2是噪声很低，放大倍数较高的射频双晶体管U2，电路结构图表示由射频双晶体管U2的内阻特性调整外围电路使其工作在低噪声高增益阶段，电阻R1、R2、R三个电阻3与射频双晶体管U2内阻组成静态工作点，L9、L4、C13和射频双晶体管U2内负载阻抗与外围进行输入阻抗的变换，同时也调整射频双晶体管U2的动态工作范围，L6是输出端负载电感，L6和三极管内负载阻抗与外围进行输出阻抗变换。
附图说明
[0014]图1为本技术一种低功耗高性能射频电路的电路原理图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图对本技术做进一步的详细说明。
[0016]结合附图1，所述芯片U1上信号连接有芯片U2，所述芯片U2的型号为BFP640ESD，所述芯片U1的2号引脚通过电感L10和电容C10与芯片U2的3号引脚连接，所述芯片U2的1号引脚通过电容C13和电感L4与芯片U5的3号引脚连接，所述芯片U2的1号和3号引脚之间接有电感L9、电阻R2、电阻R3和电感L6，所述电感L6通过电容C11接地，所述电容C11上并联接有电容C22，所述电感L9通过电容C16，所述电容C16联接有电容C3，所述电阻R2和电阻R3通过电阻R1接2.5V电源。
[0017]由射频双体晶体管和电感、电容、电阻组成，其中射频双晶体管U2是噪声很低，放大倍数较高的射频双晶体管U2，电路结构图表示由射频双晶体管U2的内阻特性调整外围电路使其工作在低噪声高增益阶段，电阻R1、R2、R三个电阻3与射频双晶体管U2内阻组成静态工作点，L9、L4、C13和射频双晶体管U2内负载阻抗与外围进行输入阻抗的变换，同时也调整射频双晶体管U2的动态工作范围，L6是输出端负载电感，L6和三极管内负载阻抗与外围进行输出阻抗变换。既提高微功率无线通信接收机的信噪比，从而提高传输距离和满足传输速率，又仅对系统增加了极小的功耗。
[0018]本技术及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗高性能射频电路，包括芯片U1和U5，所述芯片U1的型号为SI4463，所述芯片U5的型号为UPG2214，所述芯片U1的1号和21号引脚之间接有电阻R200，所述芯片U1的3号引脚通过电容C12与电容C10连接，所述芯片U1的4号引脚电感L7、电容C6、电感L5、电感L3和电容C1与芯片U5的1号引脚连接，所述芯片U1的5号引脚接地，所述芯片U1的6号引脚通过电容C206接地，所述芯片U1的8号引脚通过电容C207接地，所述芯片U1的9号引脚电阻R201与通用输入输出连接，所述芯片U1的10号引脚与通用输入输出连接，所述芯片U1的17号引脚通过电容C17与晶振Y1的3号引脚连接，所述芯片U1的18号引脚与晶振Y1的1号和2号引脚连接，所述晶振Y1的1号引脚通过电容C18与晶振的Y1的4号引脚连接，所述芯片U1的19号引脚通过电阻R202与通用输入输出连接，所述芯片U1的20号引脚与通用输入输出连接，所述芯片U5的4号和6号引脚连接通用输入输出，所述芯片U5的5号引脚串联接有电容C14和电感L2，其特征在于：所述芯片U1上信号连接有芯片U2，所述芯片U2的型号为BFP640ESD，所述芯片U1的2号引脚通过电感L10和电容C10与芯片U2的3号引脚连接，所述芯片U2的1号引脚通过电容C13和电感L4与芯片U5的3号引脚连接，所述芯片U2的1号和3号引脚之间接有电感L9...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零四B一四零，
申请(专利权)人：湖南诚航电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：