转印滚轮及其制造方法技术

本发明专利技术公开转印滚轮及其制造方法。转印滚轮制造方法包括一滚轮提供步骤、一基板提供步骤、一压板步骤、一分离步骤、以及一滚轮形成步骤。在滚轮提供步骤中，外表面设置有一光阻层的一金属滚轮被提供，且光阻层形成有多个曝光图案。在基板提供步骤中，设置有一层保护膏的一基板被提供。在压板步骤中，每个曝光图案压浸于保护膏中，且每个曝光图案浸于保护膏与未浸于保护膏的体积高度比值介于0.5～0.76。在分离步骤中，金属滚轮与保护膏分离。在滚轮形成步骤中，光阻层与外表面被蚀刻，而后光阻层被去除以形成转印滚轮。转印滚轮及其制造方法能通过压板步骤，降低转印滚轮的制造困难度，并能有效避免金属滚轮的外表面的不平整情况。并能有效避免金属滚轮的外表面的不平整情况。并能有效避免金属滚轮的外表面的不平整情况。

【技术实现步骤摘要】
转印滚轮及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种滚轮及其制造方法，特别是涉及一种转印滚轮及其制造方法。

技术介绍

[0002]现有的光学膜片经常通过压印的方法，以转印滚轮在光学膜片上转印光学微结构，进而形成所需的光学膜片。因此在转印光学微结构前，现有的转印滚轮需要经由特殊的工艺，在一金属滚轮表面形成转印用微结构(例如：使用电铸方法制作转印母模，再以转印母模形成表面具有微结构的金属滚轮)，进而形成所需的转印滚轮。然而，上述特殊工艺的技术困难度较高，并且转印滚轮制造时经常需要耗费大量的经费与时间。
[0003]此外，现有的金属滚轮在其表面形成转印用微结构时，可能因为表面不平整，导致转印用微结构产生误差。因此，如何通过结构设计的改良，来克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例针对现有技术的不足提供一种转印滚轮及其制造方法，其能有效地改善现有转印滚轮所可能产生的缺陷。
[0005]本专利技术的其中一个实施例公开一种转印滚轮制造方法，其包括：一滚轮提供步骤：提供一金属滚轮，其外表面设置有一光阻层，并且所述光阻层相对远离所述外表面的一侧形成有多个曝光图案；一基板提供步骤：提供一基板，其任意一侧设置有一层保护膏，并且所述保护膏包含有一纳米金属以及一溶剂；一压板步骤：将每个所述曝光图案的部分体积压浸于所述保护膏中，使所述纳米金属黏附于每个所述曝光图案；其中，每个所述曝光图案浸于所述保护膏中的体积高度与每个所述曝光图案未浸于所述保护膏中的体积高度比值介于0.5～0.76；一分离步骤：将所述金属滚轮与所述保护膏分离，使黏附于每个所述曝光图案的所述纳米金属形成一保护层；以及一滚轮形成步骤：蚀刻所述光阻层与所述外表面，而后去除所述光阻层以形成一转印滚轮。
[0006]优选地，所述保护膏具有一保护膏厚度，保护膏厚度介于0.09微米～0.13微米之间。
[0007]优选地，任一个所述曝光图案的深度小于所述光阻层的厚度。
[0008]优选地，所述转印滚轮制造方法还包含一固化步骤：通过一固化装置固化所述保护层；其中，所述固化步骤在所述分离步骤与所述滚轮形成步骤之间进行。
[0009]优选地，所述固化装置为一氙气灯，氙气灯波长介于300纳米～1100纳米之间。
[0010]优选地，所述滚轮形成步骤还包含一光阻蚀刻手段：通过非等向性蚀刻方式对所述光阻层进行蚀刻，使未形成有所述保护层的多个所述曝光图案被移除，进而形成一图案化光阻层。
[0011]优选地，所述光阻蚀刻手段是采用电浆蚀刻方式进行。
[0012]优选地，所述滚轮形成步骤进一步包含一滚轮蚀刻手段：通过非等向性蚀刻方式
并以所述图案化光阻层为掩模对所述金属滚轮的所述外表面蚀刻，而在所述外表面形成多个压印图形。
[0013]优选地，所述滚轮形成步骤还包含一图案去除手段：将所述图案化光阻层从所述金属滚轮的所述外表面移除，进而形成所述转印滚轮。
[0014]本专利技术的其中一个实施例公开一种转印滚轮，转印滚轮是以上述转印滚轮制造方法所制成。
[0015]本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术所提供的所述转印滚轮及其制造方法，其能通过“所述压板步骤：将每个所述曝光图案的部分体积压浸于所述保护膏中，使所述纳米金属黏附于每个所述曝光图案；其中，每个所述曝光图案浸于所述保护膏中的体积高度与每个所述曝光图案未浸于所述保护膏中的体积高度比值介于0.5～0.76”的技术方案，降低所述转印滚轮的制造困难度，并能有效避免所述金属滚轮的所述外表面的不平整情形，进而减小所述转印滚轮被蚀刻时产生的尺寸误差。
[0016]为能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是这些说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。
附图说明
[0017]图1为本专利技术实施例的转印滚轮制造方法的步骤流程图。
[0018]图2为本专利技术实施例的滚轮形成步骤的流程图。
[0019]图3为本专利技术实施例的压板步骤的动作示意图。
[0020]图4为本专利技术实施例的分离步骤的动作示意图。
[0021]图5为本专利技术实施例的光阻蚀刻手段的动作示意图。
[0022]图6为本专利技术实施例的图案化光阻层的示意图。
[0023]图7为本专利技术实施例的滚轮蚀刻手段的动作示意图。
[0024]图8为本专利技术实施例的多个压印图形的示意图。
具体实施方式
[0025]以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“转印滚轮制造方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本专利技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本专利技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。此外，以下如有指出请参阅特定图式或如特定图式所示，其仅用以强调于后续说明中，所涉及的相关内容大部分出现于该特定图式中，但不限制该后续说明中仅可参考所述特定图式。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。
[0026]应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[0027]请参阅图1至图8所示，其为本专利技术的实施例，需先说明的是，本实施例所对应的附
图及其所提及的相关数量与外形，仅用来具体地说明本专利技术的实施方式，以便于了解本专利技术的内容，而非用来局限本专利技术的保护范围。
[0028]如图1至图8所示，本专利技术实施例提供一种转印滚轮制造方法S100，其依次包括一滚轮提供步骤S1、一基板提供步骤S3、一压板步骤S5、一分离步骤S7、一固化步骤S8、以及一滚轮形成步骤S9，但本专利技术并不限于此。举例来说，在本专利技术未示出的其他实施例中，转印滚轮制造方法S100也可以不包括固化步骤S8。
[0029]如图1及图3所示，在滚轮提供步骤S1中，一金属滚轮1被提供，其外表面11设置有一光阻层2，并且光阻层2相对远离外表面11的一侧形成有多个曝光图案21。其中，任一个曝光图案21的深度小于光阻层2的厚度，并且任一个曝光图案21的深度介于0.15微米～0.45微米之间，但本专利技术并不限于此。具体来说，上述深度能根据实际需求而调整其尺寸，但仍不能大于光阻层2的厚度。
[0030]需要说明的是，转印滚轮制造方法S100能通过“任一个曝光图案21的深度小于光阻层2的厚度”的技术手段，使得光阻层2能够具备较大的厚度(例如3微米至25微米)，而能够提高光阻层2的均匀性。
[0031]需要说明的是，多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转印滚轮制造方法，其中，所述转印滚轮制造方法包括：一滚轮提供步骤：提供一金属滚轮，所述金属滚轮的外表面设置有一光阻层，并且所述光阻层相对远离所述外表面的一侧形成有多个曝光图案；一基板提供步骤：提供一基板，所述基板的任意一侧设置有一层保护膏，并且所述保护膏包含有一纳米金属以及一溶剂；一压板步骤：将每个所述曝光图案的部分体积压浸于所述保护膏中，使所述纳米金属黏附于每个所述曝光图案；其中，每个所述曝光图案浸于所述保护膏中的体积高度与每个所述曝光图案未浸于所述保护膏中的体积高度比值介于0.5～0.76；一分离步骤：将所述金属滚轮与所述保护膏分离，使黏附于每个所述曝光图案的所述纳米金属形成一保护层；以及一滚轮形成步骤：蚀刻所述光阻层与所述外表面，然后去除所述光阻层以形成一转印滚轮。2.根据权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其中，所述保护膏具有一保护膏厚度，所述保护膏厚度介于0.09微米～0.13微米之间。3.根据权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其中，任一个所述曝光图案的深度小于所述光阻层的厚度。4.根据权利要求1所述的转印滚轮制造方法，其中，所述转印滚轮制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：林刘恭，
申请(专利权)人：光群雷射科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：