硅基液晶面板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种硅基液晶面板的制备方法，其包括：提供被交叉的分割线划分出多个管芯区域的晶圆基板，晶圆基板包括具有相对的第一表面和第二表面的硅基底；在晶圆基板上形成间隔框，提供第一玻璃基板，与晶圆基板通过间隔框压合；在晶圆基板上，于分割线处制造贯穿硅基底的多个第一侧连接部，第一侧连接部电性连接至第一表面上的有源电路，并使第一侧连接部延伸至第二表面；在第二表面上制造多个第一导电接口，使每一第一导电接口连接至一第一侧连接部；沿分割线切割晶圆基板及第一玻璃基板，得多个硅基液晶面板。本发明专利技术还提供硅基液晶面板，包括设置于硅基底侧表面的电连接第一表面的有源电路与第二表面的多个第一导电接口的多个第一侧连接部。多个第一侧连接部。多个第一侧连接部。

【技术实现步骤摘要】
硅基液晶面板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种硅基液晶(liquid crystal on silicon，LCoS)面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]晶圆级封装(Wafer Level Packaging，WLP)技术是半导体芯片量产的有效方法，可以从一片晶圆上一次性生产出几百乃至上千颗芯片。迄今为止，在液晶显示芯片领域，仍未有晶圆级的制造方法应用于实际的生产中。很大程度上，这是由液晶显示芯片的结构导致的，与单纯的集成电路芯片相比，LCoS面板不仅包括集成电路，还包括液晶封装结构，如果搭建一条完整的LCoS晶圆级封装生产线，不仅需要集成电路封装的部分，还需要液晶封装的部分，目前没有这种完整产线，只能通过设备定制或改造的方式来实现，前期成本非常高，不利于产业化的快速推进。此外，用于制造硅基液晶面板的生产线需要由半导体行业的设备组成的，其设备成本非常高，而如果设备不能满负荷运行，其生产成本更高。
[0003]另一方面，为了保持尽可能低的晶圆成本，需要在标准晶圆中填充更多的管芯(die)，结果导致管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基液晶面板的制备方法，包括：步骤A，提供晶圆基板，所述晶圆基板包括具有相对的第一表面和第二表面的硅基底，所述晶圆基板被交叉的多条分割线划分出多个管芯区域，每一所述管芯区域包括设置于所述第一表面上的有源电路；步骤B，在所述晶圆基板上，于每一所述管芯区域，在所述第一表面一侧形成间隔框，所述间隔框定义其所处的所述管芯区域的液晶空间；提供第一玻璃基板，所述第一玻璃基板的一表面具有透明导电层，使所述第一玻璃基板具有所述透明导电层的表面与所述晶圆基板通过所述间隔框进行压合；步骤C，在所述晶圆基板上，于所述分割线处，由所述第二表面制造贯穿所述硅基底的多个第一侧连接部，并使所述第一侧连接部延伸至所述第二表面，所述多个第一侧连接部电性连接至所述有源电路；在所述第二表面上制造多个第一导电接口，使每一所述第一导电接口连接至一个所述第一侧连接部；步骤D，沿所述分割线切割所述晶圆基板，并相对应的切割所述第一玻璃基板，得到多个硅基液晶面板，所述硅基液晶面板的所述硅基底经切割后形成连接所述第一表面和所述第二表面的侧表面，其中，每一所述硅基液晶面板的硅基底的侧表面上具有多个所述第一侧连接部。2.根据权利要求1所述的硅基液晶面板的制备方法，其特征在于，在所述步骤A提供的所述晶圆基板上，于每一所述管芯区域，包括设置于所述第一表面一侧的多个第一导电垫，所述多个第一导电垫与所述有源电路电性连接。3.根据权利要求2所述的硅基液晶面板的制备方法，其特征在于，对于每一所述管芯区域，所述第一侧连接部包括沿背离所述硅基底方向依次设置的图案化介电层、图案化导电层和图案化钝化层；步骤C包括：步骤C1，在所述晶圆基板上，于所述分割线处，由所述第二表面蚀刻出贯穿所述硅基底的通孔，使所述第一导电垫暴露，每一所述通孔对应一所述第一侧连接部以及一所述第一导电垫；步骤C2，由所述第二表面一侧，制造覆盖所述通孔的壁面及至少部分所述第二表面的介电层，蚀刻所述介电层，确保使所述第一导电垫暴露，得到所述图案化介电层；步骤C3，由所述第二表面一侧，制造覆盖至少部分所述图案化介电层的所述图案化导电层，所述图案化导电层与所述第一导电垫接触连接，至少部分所述图案化导电层延伸至所述第二表面；步骤C4，由所述第二表面一侧，制造覆盖至少部分所述图案化导电层的所述图案化钝化层；步骤C5，在所述图案化导电层的未覆盖所述图案化钝化层的区域制造所述第一导电接口，使所述第一导电接口与所述第一侧连接部连接。4.根据权利要求3所述的硅基液晶面板的制备方法，其特征在于，所述步骤C2包括：由所述第二表面一侧，制造覆盖所述通孔的壁面及至少部分所述第二表面的介电层，在所述介电层背离所述硅基底一侧设置第二玻璃基板，于所述分割线处，蚀刻所述第二玻璃基板及所述介电层，确保使所述第一导电垫暴露，得到所述图案化介电层。
5.根据权利要求3所述的硅基液晶面板的制备方法，其特征在于，在所述步骤C2中，还包括：在所述第二表面一侧制造图案化阻挡层；在所述步骤C3中，所述图案化导电层覆盖所述图案化阻挡层；在所述步骤C5中，在垂直于所述硅基底的方向上，所述图案化阻挡层位于所述第一导电接口与所述硅基底之间。6.根据权利要求3
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5任一项所述的硅基液晶面板的制备方法，其特征在于，所述步骤B包括：在所述晶圆基板上，于每一所述管芯区域，在所述第一表面一侧形成围坝层，所述围坝层覆盖所述多个第一导电垫；在所述围坝层的背离所述第一表面一侧涂胶，并通过所述第一玻璃基板的压合形成胶层，所述围坝层与所述胶层构成所述间隔框；或者，所述步骤B包括：在所述晶圆基板上，于每一所述管芯区域，在所述第一表面一侧形成胶层，通过所述第一玻璃基板对胶层压合，使得该胶层覆盖所述多个第一导电垫，所述胶层构成所述间隔框。7.根据权利要求6所述的硅基液晶面板的制备方法，其特征在于，所述间隔框沿着所述分割线设置，并同时覆盖位于不同的所述管芯区域的所述第一导电垫；蚀刻出的所述通孔，使得所述间隔框的靠近所述硅基底一侧至少部分暴露。8.根据权利要求2
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5中任一项所述的硅基液晶面板的制备方法，其特征在于，在所述步骤B中，于每一所述管芯区域，所述多个第一导电垫位于所述间隔框之外。9.根据权利要求8所述的硅基液晶面板的制备方法，其特征在于，在所述步骤A提供的所述晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国龙，冯若强，徐荣，
申请(专利权)人：深圳晶微峰光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：