【技术实现步骤摘要】
发射器
[0001]本专利技术涉及发射器。
技术介绍
[0002]图1为传统具有正交调制结构的发射器100的示意图。如图1所示,发射器100包括了两个混波器110、120以及一结合电路130。在发射器100的操作中,混波器110对一基带信号BB_I与一振荡信号LO_I进行混波操作,混波器110对另一基带信号BB_Q与另一振荡信号LO_Q进行混波操作,且结合电路130将混波器110、120的输出相加后产生一输出信号Vout,之后传送至后端电路进行处理后再由天线发射出去。在发射器100中,基带信号BB_I可以表示为cos(ω
BB
t)、基带信号BB_Q可以表示为sin(ω
BB
t)、振荡信号LO_I可以表示为cos(ω
LO
t)、振荡信号LO_Q可以表示为sin(ω
LO
t),因此输出信号Vout可以使用以下公式来表示:
[0003][0004]上述公式中的单频输出信号cos(ω
LO
t
‑
ω
BB >t)是发射器100本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发射器,包括:一混波器,用以使用一第一振荡信号以及一第二震荡信号来分别对一第一基带信号以及一第二基带信号进行混波操作,以产生一第一混波信号至一第一节点、并产生一第二混波信号至一第二节点;一第一谐波阻抗调谐电路,耦接于所述第一节点与所述第二节点之间,用以降低所述第一混波信号以及所述第二混波信号的谐波成分,以产生一调整后第一混波信号及一调整后第二混波信号;以及一放大器,耦接于所述第一谐波阻抗调谐电路,用以根据所述调整后第一混波信号及所述调整后第二混波信号以产生一放大信号。2.根据权利要求1所述的发射器,其特征在于,所述第一谐波阻抗调谐电路包括:一第一电容,耦接于所述第一节点与一接地电压之间;以及一第二电容,耦接于所述第二节点与所述接地电压之间。3.根据权利要求1所述的发射器,其特征在于,所述第一谐波阻抗调谐电路包括:一第一电容,耦接于所述第一节点与一特定节点之间;一第二电容,耦接于所述第二节点与所述特定节点之间;以及一电感,耦接于所述特定节点与一接地电压之间。4.根据权利要求3所述的发射器,其特征在于,所述第一谐波阻抗调谐电路是用来降低所述第一混波信号以及所述第二混波信号中具有两倍于所述第一/第二振荡信号的频率的谐波成份。5.根据权利要求1所述的发射器,其特征在于,所述第一谐波阻抗调谐电路包括:一第一电容,耦接于所述第一节点与一特定节点之间;一第二电容,耦接于所述第二节点与所述特定节点之间;一第一电感,耦接...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄亭尧,张腾远,王柏之,陈家源,
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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