【技术实现步骤摘要】
一种高分散类球纳米氧化铈抛光液及其应用
[0001]本专利技术涉及半导体的超精密加工
，具体涉及一种高分散类球纳米氧化铈抛光液及其应用。
技术介绍
[0002]随着集成电路技术的快速发展，半导体硅片的尺寸在不断地扩大，目前最大的硅片直径已经增加到300mm，处于其边缘范围内的芯片总数占有很大比例，因此硅片边缘的加工质量将直接影响整个硅片上的芯片总量及成品率，这使得对硅片衬底边缘的要求越来越高。化学机械抛光(CMP)是目前最为普遍的半导体材料表面平整技术，它是将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，兼具了二者的优点，可以获得比较完美的晶片表面。
[0003]目前，主流的大尺寸硅片抛光方法依然采用粗抛、中抛、精抛三步。其中，粗抛过程中要求在保证硅片表面质量的同时，尽可能提高抛光液的去除效率。
[0004]而氧化铈作为磨料应用于半导体用化学机械抛光浆液已有大量报道。中国专利CN112908834A公布了一种不同粒径的纳米氧化铈应用于硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光，但其仅能通过控制浆料固含量来减少粗颗粒的分布，且使用...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高分散类球纳米氧化铈抛光液，其特征在于，包括类球纳米氧化铈粉体；所述类球纳米氧化铈粉体的制备方法，包括如下步骤：（1）将四价铈盐与聚乙烯吡咯烷酮溶液混合配成铈盐溶液，并添加沉淀剂和具有漂白性的氧化剂，于70
‑
90℃高速剪切，直至生成沉淀，制得前驱体浆液；（2）将前驱体浆液洗涤至中性，然后进行喷雾干燥，得到氧化铈前驱体，在氧化铈前驱体中添加助熔盐，并细化物料，再次进行喷雾干燥；（3）将步骤（2）得到的物料进行煅烧，得到纳米氧化铈粉体。2.根据权利要求1所述的一种高分散类球纳米氧化铈抛光液，其特征在于，所述助熔盐为氯化铵、氯化钠、氯化钾、氟化钠、碳酸铵、碳酸钠、碳酸钾、氟化钾、硅酸钠、硅酸钾、硫酸钠、硫酸钾、氯化钙中的至少一种；所述四价铈盐为碳酸盐、草酸盐、醋酸盐、硝酸盐和硫酸盐中的一种或两种以上。3.根据权利要求2所述的一种高分散类球纳米氧化铈抛光液，其特征在于，所述沉淀剂为氢氧化钾、碳酸氢铵、碳酸氢钾、氨水、乙二胺和己二胺中的至少一种；所述聚乙烯吡咯烷酮为：PVPK15、PVPK30、PVPK60、PVPK90中的一种或两种以上；所述四价铈盐为硝酸铈
ⅳ
、硝酸铈铵、硫酸铈铵和硫酸铈
ⅳ
中的一种或两种以上；所述氧化剂为次氯酸、次氯酸钾、次氯酸钠、次氯酸钙、过硫酸钾中的一种或多种。4.根据权利要求3所述的一种高分散类球纳米氧化铈抛光液，其特征在于，步骤（1）所述铈盐溶液的浓度为0.5~5mol/L；铈盐与沉淀剂、氧化剂的摩尔比为（0.5~5）：（0.5~1.5）：（0.01~0.05）；所述助熔盐与四价铈盐的摩尔比为0.01～20:1。5.根据权利要求4所述的一种高分散类球纳米氧化铈抛光液，其特征在于，步骤（2）喷雾干燥的温度为230
±
50℃；步骤（3）所述煅烧温度为600~850℃；所述煅烧的过程为：从室温～400℃，升温速率为0.1℃～50℃/min；从400～850℃，升温速率为0.1℃...
【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，黄晓伟，袁黎光，钱金龙，杨小牛，
申请(专利权)人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院，
类型：发明
国别省市：
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