【技术实现步骤摘要】
一种纳米蒙脱土/聚酰亚胺复合膜及制备方法
[0001]本专利技术属于聚酰亚胺复合材料
,具体涉及一种聚酰亚胺基复合膜的制备方法。
技术介绍
[0002]信息技术的高速发展与社会需求的不断提高对器件小型化和超高集成度提出了越来越高的要求。聚酰亚胺薄膜材料作为一种具有高强度、高模量、化学稳定性和优异绝缘性的工程材料,被认为是微电子器件中理想的绝缘介质材料,在微电子领域中作为封装材料,超大规模集成电路中的绝缘介质材料具有非常诱人的应用前景。而由于聚酰亚胺的分子链是极性链,同时某些刚性链聚酰亚胺由于取向作用使其介电性能具有各向异性,其本身低介电性能并不突出,无法满足集成电路中对层间介低介电常数介质的要求;而针对目前利用价格昂贵的含氟二酐或二胺单体作为原料来合成氟化的低介电聚酰亚胺薄膜;不光价格高,而且合成工艺复杂,同时介电常数高。
技术实现思路
[0003]基于上述
技术介绍
,有必要研发一种具有合成工艺简单,成本低廉,同时具备低介电常数的聚酰亚胺复合膜,充分扩展其应用的广泛性。
[0004]本专利技术的目 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种纳米蒙脱土/聚酰亚胺复合膜及制备方法,包括以下步骤:将3,3',4,4'
‑
联苯四甲酸二酐与4,4
‑
二氨基二苯醚在在
‑
5℃~5℃反应,得到聚酰胺酸溶液;将纳米蒙脱土颗粒超声分散在有机溶液中,得到纳米蒙脱土溶液,再将所述聚酰胺酸溶液加入到所述纳米蒙脱土溶液中,在搅拌条件下于0℃~5℃反应,得到纳米蒙脱土/聚酰胺酸共混溶液;将所述纳米蒙脱土/聚酰胺酸共混溶液涂覆到平板上后进行干燥并于200℃~400℃的条件下进行亚胺化,得到纳米蒙脱土/聚酰亚胺复合膜。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述有机溶液为DMAC,所述超声分散具体为2~6小时。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述纳米蒙脱土颗粒的粒径为40~100 n...
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