一种用于声波器件的衬底结构及其制备方法技术

本申请涉及材料制备技术及射频器件领域，特别涉及一种用于声波器件的衬底结构，包括：支撑衬底、载流子俘获层、绝缘层和压电层；载流子俘获层包括功能层和粘附层；粘附层形成于支撑衬底的一侧表面上，功能层形成于粘附层上远离支撑衬底的一侧表面上；绝缘层形成于功能层远离支撑衬底的一侧表面上；压电层形成于绝缘层远离支撑衬底的一侧表面上，压电层与绝缘层键合；粘附层为多晶材料或非晶材料，多晶材料的晶粒形状为过度形态的细晶粒结构。本申请通过设置粘附层，且粘附层为非晶材料或具有细晶粒结构的多晶材料，其生长温度较低，晶粒尺寸较小，同时晶粒在各方向上尺寸相差较小，排列较为密集，提供了较好的粘附效果。提供了较好的粘附效果。提供了较好的粘附效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于声波器件的衬底结构及其制备方法


[0001]本申请涉及材料制备技术及射频器件领域，特别涉及一种用于声波器件的衬底结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G时代的到来，人们对移动设备射频前端模块的性能和集成度提出更高的需求。声表面波滤波器作为射频前端的重要组成部分，其制备的基础是基于单晶压电薄膜的复合衬底，该复合衬底由单晶压电薄膜、绝缘层以及支撑衬底层三层结构构成。
[0003]现有复合衬底在高温工艺处理后，复合衬底间的粘附性较差，进一步导致复合衬底的晶圆加工过程中上层压电薄膜的脱落，进一步影响该薄膜区域的使用以及基于该衬底制备的滤波器的寿命。因此，需要一种改进的用于声波器件的衬底结构及其制备方案，以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的上述问题，本申请提供一种用于声波器件的衬底结构及其制备方法，以解决现有技术中器件结构中的压电薄膜脱落等技术问题。具体技术方案如下：
[0005]一方面，本申请提供了一种用于声波器件的衬底结构，包括：支撑衬底、载流子俘获层、绝缘层和压电层；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于声波器件的衬底结构，其特征在于，包括：支撑衬底(100)、载流子俘获层、绝缘层(400)和压电层(500)；所述载流子俘获层包括功能层(300)和粘附层(200)；所述粘附层(200)形成于所述支撑衬底(100)的一侧表面上，所述功能层(300)形成于所述粘附层(200)上远离所述支撑衬底(100)的一侧表面上；所述绝缘层(400)形成于所述功能层(300)远离所述支撑衬底(100)的一侧表面上；所述压电层(500)形成于所述绝缘层(400)远离所述支撑衬底(100)的一侧表面上，所述压电层(500)与所述绝缘层(400)键合；所述粘附层(200)为多晶材料或非晶材料，所述多晶材料的晶粒形状为过度形态的细晶粒结构。2.根据权利要求1所述的用于声波器件的衬底结构，其特征在于，所述载流子俘获层的厚度为0.31～5.00um，其中，所述粘附层(200)的厚度为0.01～0.20um，所述功能层(300)的厚度为0.30～5.00um。3.根据权利要求1所述的用于声波器件的衬底结构，其特征在于，所述粘附层(200)的材料包括非晶硅和多晶硅中的至少一种。4.根据权利要求1所述的用于声波器件的衬底结构，其特征在于，在所述粘附层(200)为多晶硅的情况下，所述多晶硅的晶粒形状包括胞状晶粒和等轴晶粒中的至少一种，所述多晶硅的晶粒尺寸为0.001～0.1um。5.根据权利要求1所述的用于声波器件的衬底结构，其特征在于，所述功能层(300)的材料包括多晶硅；所述多晶硅包括柱状晶粒。6.根据权利要求1所述的用于声波器件的衬底结构，其特征在于，在所述支撑衬底(100)上形成所述粘附层(200)的方式包括气相沉积，在所述粘附层(200)上形成所述功能层(300)的方式包括气相沉积；采用化学气相沉积在所述支撑衬底(100)上形成所述粘附层(200)的第一工艺温度小于等于采用化学气相沉积在所述粘附层(200)上形成所述功能层(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧欣，柯新建，黄凯，
申请(专利权)人：上海新硅聚合半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：