一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，包括：电容、稳压二极管以及MOS管，电容、稳压二极管及MOS管之间相互并联，电容的第一端、稳压二极管的第一端及MOS管的源极接地，MOS管的漏极与负载连接；当电源输出到电容上，当电压到5V时，MOS管会导通，此时为高阻导通状态，直到电容电压冲到10V时，MOS管才会进入完全导通状态，通过利用MOS管的栅极低压高阻导通特性来实现开机电流尖峰抑制，抑制效果良好，使用方便。本实用新型专利技术的延时导通电路，通过利用MOS管的栅极低压高阻导通特性来实现开机电流尖峰抑制，抑制效果良好，使用方便。使用方便。使用方便。

【技术实现步骤摘要】
一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路


[0001]本技术涉及开机电流抑制电路
，尤其涉及一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路。

技术介绍

[0002]随着电源技术的不断发展，开关电源的小型化和高效化越来越得到重视。以往开关电源模块的设计重点一般放在电压转换等主电路上，对于防反接、浪涌抑制等保护电路，大多使用标准电路形式或使用模块化设备，存在功耗高、性能较弱或体积较大等缺点。
[0003]相关技术的采用传统二极管、电阻及电容连接，通过将二极管、电阻和电容并联，用于阻止导通电路中开机电流浪涌。
[0004]然而，由于上述通过将二极管、电阻和电容并联，使得通过的电流过小，并不能起到良好的控制，保护电路的安全；针对防反接功能要求，使用传统二极管防反保护会产生较大损耗，效率较低。

技术实现思路

[0005]针对以上相关技术的不足，本技术提出一种开机电流尖峰抑制效果差的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，包括：电容、稳压二极管以及MOS管，所述电容、所述稳压二极管及所述MOS管之间相互并联，所述电容的第一端、所述稳压二极管的第一端及所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极与负载连接。
[0007]优选的，所述延时导通电路还包括半导体二极管，所述半导体二极管分别与所述电容的第二端、所述稳压二极管的第二端及所述MOS管的栅极串联。
[0008]优选的，所述延时导通电路还包括第一电阻，所述第一电阻分别与所述电容的第二端、所述稳压二极管的第二端及所述MOS管的栅极串联。
[0009]优选的，所述半导体二极管与所述第一电阻串联。
[0010]优选的，所述延时导通电路还包括第二电阻，所述第二电阻分别与所述电容、所述稳压二极管及所述MOS管并联，所述第二电阻的第一端接地，所述第二电阻的第二端与所述第一电阻串联。
[0011]优选的，所述MOS管的型号包括RU6080L、PTD20N06其中的任意一种。
[0012]优选的，所述半导体二极管为硅二极管。
[0013]与相关技术相比，本技术通过将所述电容、所述稳压二极管及所述MOS 管之间相互并联，所述电容的第一端、所述稳压二极管的第一端及所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极与负载连接；当电源输出到电容上，当电压到 5V时，MOS管会导通，此时为高阻导通状态，直到电容电压冲到10V时，MOS管才会进入完全导通状态，通过利用MOS管的栅极低压高阻导通特性来实现开机电流尖峰抑制，抑制效果良好，使用方便。
[0014]视图：下面结合附图详细说明本技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
附图说明
[0015]图1为本技术负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路的电路图。
具体实施方式
[0016]下面结合附图详细说明本技术的具体实施方式。
[0017]在此记载的具体实施方式/实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本技术实施方式及本技术范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本技术的保护范围之内。
[0018]本技术提供一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路100。
[0019]请参考图1所示，其中，图1为本技术负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路的电路图。
[0020]具体的，所述在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路100包括：电容C1、稳压二极管ZN1以及MOS管Q1，所述电容C1、所述稳压二极管ZN1及所述MOS 管Q1之间相互并联，所述电容C1的第一端、所述稳压二极管ZN1的第一端及所述MOS管Q1的源极接地(电源GND)，所述MOS管Q1的漏极与负载连接。
[0021]其中，电容C1的第二端与电源DC正极连接，所述稳压二极管ZN1的第二端与电源DC正极连接，MOS管Q1的栅极与电源DC正极连接。当电源输出到电容C1上，电容C1进行充电，当电压到5V时，MOS管会导通，此时为高阻导通状态，直到电容C1电压冲到10V时，MOS管Q1才会进入完全导通状态，通过利用MOS管Q1的栅极低压高阻导通特性来实现开机电流尖峰抑制，抑制效果良好。
[0022]在本实施例中，所述延时导通电路100还包括半导体二极管D1，所述半导体二极管D1分别与所述电容C1的第二端、所述稳压二极管ZN1的第二端及所述MOS管Q1的栅极串联。所述半导体二极管D1的第一端连接在直流电源DC和所述负载DC之间，所述半导体二极管D1的第二端分别与电容C1的第二端、所述第一电阻R1的第二端串联。直流电源正极、负载正极与半导体二极管D1连接，所述半导体二极管D1的第一端连接在所述直流电源DC正极和所述负载DC 正极之间。通过半导体二极管D1将顺向通过电流至电容C1上充电，通过半导体二极管D1用于单向导通直流电源DC的电流，正极导通，反向不导通，防止电容C1放电进行反向充电，以避免影响到电路安全。
[0023]在本实施例中，所述延时导通电路100还包括第一电阻R1，所述第一电阻 R1分别与所述电容C1的第二端、所述稳压二极管ZN1的第二端及所述MOS管 Q1的栅极串联。
[0024]在本实施例中，所述半导体二极管D1与所述第一电阻R1串联。
[0025]具体的，电源DC正极、负载DC正极与半导体二极管D1连接，所述半导体二极管D1的第一端连接在所述直流电源DC正极和所述负载DC正极之间，第一电阻R1连接在半导体二极
管D1和MOS管的栅极上，通过第一电阻R1进行分压，避免通过的电压过大，对延时导通电路100起到保护的效果。
[0026]在本实施例中，所述延时导通电路100还包括第二电阻R2，所述第二电阻 R2分别与所述电容C1、所述稳压二极管ZN1及所述MOS管Q1并联，所述第二电阻R2的第一端接地，所述第二电阻R2的第二端与所述第一电阻R1串联。
[0027]具体的，通过稳压二极管ZN1与第二电阻R2共同稳定电压，当反向电压达到一定程度，普通二极管会被反向击穿，而稳压二极管ZN1则可以通过让大电流反向流过，防止电压继续升高，电路稳压效果好，安全性高。其中，MOS管Q1实现开机电流尖峰抑制。所述电容C1、所述稳压二极管ZN1、所述第二电阻 R2以及所述MOS管Q1之间相互并联设置，所述电容C1的第一端、所述稳压二极管ZN1的第一端、所述第二电阻R2的第一端以及所述MOS管Q1的源极分别与电源GND接地连接，所述MOS管Q1的漏极与负载GND接地连接。接地能够起到保护电路的安全性。
[0028本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，包括：电容、稳压二极管以及MOS管，所述电容、所述稳压二极管及所述MOS管之间相互并联，所述电容的第一端、所述稳压二极管的第一端及所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极与负载连接。2.如权利要求1所述的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，所述延时导通电路还包括半导体二极管，所述半导体二极管分别与所述电容的第二端、所述稳压二极管的第二端及所述MOS管的栅极串联。3.如权利要求2所述的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，所述延时导通电路还包括第一电阻，所述第一电阻分别与所述电容的第二端、所述稳压二极管的第二端及所述MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑录古，
申请(专利权)人：佛山市锐霸电子有限公司，
类型：新型
国别省市：