一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，包括：电容、稳压二极管以及MOS管，电容、稳压二极管及MOS管之间相互并联，电容的第一端、稳压二极管的第一端及MOS管的源极接地，MOS管的漏极与负载连接；当电源输出到电容上，当电压到5V时，MOS管会导通，此时为高阻导通状态，直到电容电压冲到10V时，MOS管才会进入完全导通状态，通过利用MOS管的栅极低压高阻导通特性来实现开机电流尖峰抑制，抑制效果良好，使用方便。本实用新型专利技术的延时导通电路，通过利用MOS管的栅极低压高阻导通特性来实现开机电流尖峰抑制，抑制效果良好，使用方便。使用方便。使用方便。

【技术实现步骤摘要】
一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路


[0001]本技术涉及开机电流抑制电路
，尤其涉及一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路。

技术介绍

[0002]随着电源技术的不断发展，开关电源的小型化和高效化越来越得到重视。以往开关电源模块的设计重点一般放在电压转换等主电路上，对于防反接、浪涌抑制等保护电路，大多使用标准电路形式或使用模块化设备，存在功耗高、性能较弱或体积较大等缺点。
[0003]相关技术的采用传统二极管、电阻及电容连接，通过将二极管、电阻和电容并联，用于阻止导通电路中开机电流浪涌。
[0004]然而，由于上述通过将二极管、电阻和电容并联，使得通过的电流过小，并不能起到良好的控制，保护电路的安全；针对防反接功能要求，使用传统二极管防反保护会产生较大损耗，效率较低。

技术实现思路

[0005]针对以上相关技术的不足，本技术提出一种开机电流尖峰抑制效果差的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，包括：电容、稳压二极管以及MOS管，所述电容、所述稳压二极管及所述MOS管之间相互并联，所述电容的第一端、所述稳压二极管的第一端及所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极与负载连接。2.如权利要求1所述的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，所述延时导通电路还包括半导体二极管，所述半导体二极管分别与所述电容的第二端、所述稳压二极管的第二端及所述MOS管的栅极串联。3.如权利要求2所述的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，所述延时导通电路还包括第一电阻，所述第一电阻分别与所述电容的第二端、所述稳压二极管的第二端及所述MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑录古，
申请(专利权)人：佛山市锐霸电子有限公司，
类型：新型
国别省市：