新型铜箔制造方法技术

本发明专利技术涉及一种新型铜箔制造方法，方法包括：该方法对载体膜进行预处理后在表面沉积种子层，并置于电镀槽中进行电镀处理，以在种子层表面电镀增厚铜层，对覆铜薄膜进行清洗、抗氧化处理、二次清洗、干燥处理后，从干燥覆铜薄膜表层剥离出铜箔。本发明专利技术的新型铜箔制造方法，采用成本相对较低的载体膜做阴极取代阴极辊，从而解决阴极辊依赖的问题，且大幅降低了生产成本；铜箔与载体膜之间可顺利剥离；制造的铜箔光滑柔软，粗糙度小，大幅提高了制造得到的铜箔的质量。到的铜箔的质量。到的铜箔的质量。

【技术实现步骤摘要】
新型铜箔制造方法


[0001]本专利技术涉及铜箔制造
，尤其涉及一种新型铜箔制造方法。

技术介绍

[0002]铜箔是印制电路板及锂离子电池中关键性导电材料，随着电子工业的高速发展，以及新能源带动的锂电池用量猛增，对铜箔的需求量持续增长。传统电解铜箔是采用电解设备在底部浸于硫酸铜电解液中恒速旋转的光滑阴极辊表面电沉积形成铜箔。然而阴极辊作为电解铜箔的核心部件，价格昂贵，由于阴极辊极度依赖进口而容易被“卡脖子”，缺乏阴极辊则使铜箔的产能严重受限，且传统方法生产的电解铜箔粗糙度较大，不能满足高端应用需求，因而，现有的铜箔制造方法存在生产成本高，铜箔表面粗糙的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种新型铜箔制造方法，旨在解决现有的铜箔制造方法中所存在的生产成本高，铜箔表面粗糙、质量不高的问题，且能够克服现有技术中对阴极辊的依赖问题。
[0004]本专利技术实施例提供了一种新型铜箔制造方法，其中，所述方法包括：
[0005]对所述载体膜进行预处理；
[0006]在真空环境下对预处理后的所述载体膜进行镀膜，以在所述载体膜的表面沉积一层种子层；
[0007]将已沉积种子层的所述载体膜置于电镀槽中进行电镀，以在所述种子层的表面上电镀一层增厚铜层以得到覆铜薄膜；
[0008]使用纯净水对所述覆铜薄膜进行清洗；
[0009]将已清洗的所述覆铜薄膜浸泡于抗氧化液中以在所述覆铜薄膜的增厚铜层表面生成抗氧化膜；
[0010]使用纯净水对具有抗氧化膜的所述覆铜薄膜进行二次清洗；
[0011]对已进行二次清洗的所述覆铜薄膜进行干燥处理以得到干燥覆铜薄膜；
[0012]从所述干燥覆铜薄膜的表层剥离出所述增厚铜层得到铜箔。
[0013]所述的新型铜箔制造方法，其中，对所述载体膜进行预处理，包括：对所述载体膜进行吸湿处理以增加所述载体膜的水分，或对所述载体膜进行涂层处理以降低铜箔剥离力。
[0014]所述的新型铜箔制造方法，其中，所述载体膜的厚度为4.5
‑
175μm。
[0015]所述的新型铜箔制造方法，其中，所述载体膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚四氟乙烯薄膜。
[0016]所述的新型铜箔制造方法，其中，所述种子层为致密铜种子层或致密铜合金种子层，所述种子层厚度＜1μm。
[0017]所述的新型铜箔制造方法，其中，所述增厚铜层的厚度为2
‑
18μm，所述增厚铜层的表面粗糙度Rz为0.1～2μm。
[0018]所述的新型铜箔制造方法，其中，所述使用纯净水对所述覆铜薄膜进行清洗，包括：
[0019]将所述覆铜薄膜置于浸泡清洗槽内进行浸泡清洗；
[0020]使用纯净水对已进行浸泡清洗的所述覆铜薄膜进行喷淋清洗。
[0021]所述的新型铜箔制造方法，其中，所述抗氧化膜为有机抗氧化膜或者电镀金属抗氧化膜。
[0022]所述的新型铜箔制造方法，其中，所述对已进行二次清洗的所述覆铜薄膜进行干燥处理以得到干燥覆铜薄膜，包括：
[0023]将所述覆铜薄膜表面附着的水分吸干或冷风吹干；
[0024]将表面已吸干水分或冷风吹干水分的所述覆铜薄膜置于60
‑
125℃环境下20
‑
60秒，以烘干所述覆铜薄膜得到干燥覆铜薄膜。
[0025]所述的新型铜箔制造方法，其中，从所述干燥覆铜薄膜的表层剥离出所述铜箔的剥离力为0.1
‑
3N。
[0026]本专利技术实施例提供了一种新型铜箔制造方法，该方法对载体膜进行预处理后在表面沉积种子层，并置于电镀槽中进行电镀处理，以在种子层表面电镀增厚铜层，对覆铜薄膜进行清洗、抗氧化处理、二次清洗、干燥处理后，从干燥覆铜薄膜表层剥离出铜箔。与现有的技术相比，本专利技术具有以下突出优点和效果：采用成本相对较低的载体膜做阴极取代阴极辊，从而解决阴极辊依赖的问题，且大幅降低了生产成本，铜箔与载体膜之间可顺利剥离；制造的铜箔光滑柔软，粗糙度小，大幅提高了制造得到的铜箔的质量。
附图说明
[0027]图1为本专利技术的新型铜箔制造方法的流程示意图；
[0028]图2为本专利技术的新型铜箔制造方法的应用场景示意图；
[0029]图3为本专利技术的新型铜箔制造方法的应用场景示意图。
具体实施方式
[0030]本专利技术提供一种新型铜箔制造方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0031]请参阅图1至图3，图1为本专利技术的新型铜箔制造方法的流程示意图；图2为本专利技术的新型铜箔制造方法的应用场景示意图；图3为本专利技术的新型铜箔制造方法的应用场景示意图。如图1所示，该方法包括步骤S110
‑
S180。
[0032]S110、对所述载体膜进行预处理。
[0033]对载体膜进行预处理可便于后续步骤中铜箔与载体膜之间的剥离，以使铜箔更容易从载体膜上剥离。具体的，对载体膜进行预处理可以是对载体膜进行吸湿处理以增加所述载体膜的水分，或者是对载体膜进行涂层处理以降低铜箔剥离力，其中，载体膜的厚度为4.5
‑
175μm。吸湿处理是将载体膜在25
±
3℃，＞60％RH的环境下放置5～7天。
[0034]其中，载体膜可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜(Polyethylene naphthalate，PEN)、聚碳酸酯
(Polycarbonate，PC)薄膜、聚酰亚胺薄膜(Polyimide，PI)或聚四氟乙烯(Polytetra fluoroethylene，PTFE)薄膜等高分子薄膜，载体膜还可以是以PET、PEN、PC、PI、PTFE等高分子薄膜为基材制作得到的离型膜，离型力100～600g。
[0035]S120、在真空环境下对预处理后的所述载体膜进行镀膜，以在所述载体膜的表面沉积一层种子层。
[0036]其中，种子层为致密铜种子层或致密铜合金种子层，种子层厚度＜1μm。可通过在靶体内安装所需溅射的固体靶材，以实现对预处理后的载体膜进行镀膜，靶体按不同靶材配以不同的靶电源，可以是高频靶电源、中频靶电源或直流靶电源等，溅射电镀一般是在充有惰性气体的环境中。则固体靶材可以选用铜或铜合金，若选用铜作为固体靶材，则镀膜沉积的种子层即为致密铜种子层；若选用铜合金作为固体靶材，则镀膜沉积的种子层即为致密铜合金种子层。
[0037]S130、将已沉积种子层的所述载体膜置于电镀槽中进行电镀，以在所述种子层的表面上电镀一层增厚铜层以得到覆铜薄膜。
[0038]可将已沉积种子层的载体膜置于电镀槽中进行电镀，进行电镀的具体应用场景如图2所示，如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型铜箔制造方法，其特征在于，所述方法包括：对所述载体膜进行预处理；在真空环境下对预处理后的所述载体膜进行镀膜，以在所述载体膜的表面沉积一层种子层；将已沉积种子层的所述载体膜置于电镀槽中进行电镀，以在所述种子层的表面上电镀一层增厚铜层以得到覆铜薄膜；使用纯净水对所述覆铜薄膜进行清洗；将已清洗的所述覆铜薄膜浸泡于抗氧化液中以在所述覆铜薄膜的增厚铜层表面生成抗氧化膜；使用纯净水对具有抗氧化膜的所述覆铜薄膜进行二次清洗；对已进行二次清洗的所述覆铜薄膜进行干燥处理以得到干燥覆铜薄膜；从所述干燥覆铜薄膜的表层剥离出所述增厚铜层得到铜箔。2.如权利要求1所述的新型铜箔制造方法，其特征在于，对所述载体膜进行预处理，包括：对所述载体膜进行吸湿处理以增加所述载体膜的水分，或对所述载体膜进行涂层处理以降低铜箔剥离力。3.如权利要求2所述的新型铜箔制造方法，其特征在于，所述载体膜的厚度为4.5
‑
175μm。4.如权利要求2或3所述的新型铜箔制造方法，其特征在于，所述载体膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚四氟乙烯薄膜。5.如权利要求1所述的新型铜箔制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伯信，邓柏林，殷诚，廖子源，
申请(专利权)人：惠州市柔耐科技有限公司，
类型：发明
国别省市：