一种太阳能电池组件以及太阳能电池组件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池组件以及太阳能电池组件的制备方法。该太阳能电池组件包括：层压件，以及设置在层压件侧面的边框；层压件包括玻璃，设置在玻璃的第一主表面上的封装膜和电池片，以及，设置在玻璃远离电池片的第二主表面和玻璃靠近边框的侧面的抗压阻湿绝缘膜；其中，抗压阻湿绝缘膜可阻止阳离子流入所述电池片；抗压阻湿绝缘膜在玻璃的第二主表面上的覆盖长度，大于边框在玻璃的第二主表面上的覆盖长度，并且抗压阻湿绝缘膜没有覆盖全部玻璃的第二主表面。该太阳能电池组件显著降低了高压系统下太阳能电池组件的PID效应，提高了太阳能电池组件的输出功率。高了太阳能电池组件的输出功率。高了太阳能电池组件的输出功率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池组件以及太阳能电池组件的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种太阳能电池组件以及太阳能电池组件的制备方法。

技术介绍

[0002]光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术，主要由太阳电池组件(又称光伏组件)、控制器和逆变器三大部分组成。光伏发电具备：安全可靠，无噪声，无公害；不受资源分布地域的限制；能源质量高；获取能源花费的时间短等优点。然而实现太阳能发电的价格与传统化石能源基本持平，真正实现光伏发电平价上网，成为当下光伏商业化进程中急需解决的问题——有效降低光伏系统的成本、提高发电效率仍将是未来光伏产业发展的核心课题。
[0003]随着系统电压增大至2000V(2000V耐高压组件和配套电气设备意味着更低的系统成本，更高的发电效率，因此，2000V系统电压将成为新的技术趋势)，此时对于光伏组件要面对的PID(Potential Induced Degradation，电势诱导衰减)效应将变得更加严重，由于PID效应最终体现于太阳电池组件的输出功率衰减，因此如何设计一款在2000V系统电压下长时间工作时，能够符合PID要求(IEC TS 62804
‑
1：2015：85℃/RH85％，96小时，最大系统电压2000V，PID≤5％)的太阳能电池组件，是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种太阳能电池组件以及太阳能电池组件的制备方法，该太阳能电池组件的玻璃上设置有抗压阻湿绝缘膜，显著降低了太阳能电池组件，尤其是高压系统下太阳能电池组件的PID效应，提高了太阳能电池组件的输出功率。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种太阳能电池组件，包括：层压件，以及设置在所述层压件侧面的边框；
[0007]所述层压件包括玻璃，
[0008]设置在所述玻璃的第一主表面上的封装膜和电池片，
[0009]以及，设置在所述玻璃远离所述电池片的第二主表面和所述玻璃靠近所述边框的侧面的抗压阻湿绝缘膜；
[0010]其中，所述抗压阻湿绝缘膜可阻止阳离子流入所述电池片；
[0011]所述抗压阻湿绝缘膜在所述玻璃的第二主表面上的覆盖长度，大于所述边框在所述玻璃的第二主表面上的覆盖长度，并且所述抗压阻湿绝缘膜没有覆盖全部所述玻璃的第二主表面。
[0012]进一步地，所述抗压阻湿绝缘膜在所述玻璃的第二主表面上的覆盖长度，小于或者等于所述电池片侧面与所述玻璃侧面之间的距离。
[0013]进一步地，所述层压件还包括：设置在所述玻璃的第一主表面上的抗压阻湿绝缘
膜，所述抗压阻湿绝缘膜在所述玻璃的第一主表面上的覆盖长度，大于所述边框在所述玻璃的第二主表面的覆盖长度，并且所述抗压阻湿绝缘膜没有覆盖全部所述玻璃的第一主表面。
[0014]进一步地，所述抗压阻湿绝缘膜的厚度为10nm～200nm。
[0015]进一步地，所述抗压阻湿绝缘膜为硅油、氟硅油、硅酮、硅脂中的一种或多种与所述玻璃表面的氧化硅键合形成。
[0016]进一步地，所述太阳能电池组件包括一块所述玻璃，所述玻璃设置在所述电池片的正面；
[0017]或者，所述太阳能电池组件包括两块所述玻璃，分别设置在所述电池片的正面和背面，至少一块所述玻璃远离所述电池片的第二主表面和所述玻璃靠近所述边框的侧面设置有所述抗压阻湿绝缘膜。
[0018]第二方面，本专利技术提供一种太阳能电池组件的制备方法，包括：
[0019]步骤101，提供玻璃，所述玻璃具有第一主表面、与所述第一主表面相对的第二主表面、以及侧面；在所述玻璃的第二主表面和侧面生成抗压阻湿绝缘膜；
[0020]步骤102，将所述玻璃的第一主表面上依次设置封装膜和电池片，经过层压形成层压件；
[0021]步骤103，在所述层压件的侧面设置边框；
[0022]其中，所述抗压阻湿绝缘膜可阻止阳离子流入所述电池片；
[0023]所述抗压阻湿绝缘膜在所述玻璃的第二主表面上的覆盖长度，大于所述边框在所述玻璃的第二主表面上的覆盖长度，并且所述抗压阻湿绝缘膜没有覆盖全部所述玻璃的第二主表面。
[0024]进一步地，所述步骤101包括：
[0025]步骤1
‑
1，采用清洗液对所述玻璃的表面进行清洗处理；
[0026]步骤1
‑
2，对所述玻璃上抗压阻湿绝缘膜的形成区域进行表面活化处理，以使得所述玻璃表面的Si
‑
O键断裂活化；
[0027]步骤1
‑
3，在所述形成区域添加处理剂，对所述形成区域进行等离子表面处理，使得所述处理剂与所述形成区域表面的氧化硅进行键合，并对所述形成区域进行热处理，以生成所述抗压阻湿绝缘膜。
[0028]进一步地，所述清洗液包括甲醇、丙酮和去离子水中的一种或多种。
[0029]进一步地，所述处理剂为硅油、氟硅油、硅酮、硅脂中的一种或多种。
[0030]进一步地，所述热处理的温度为60℃～150℃，所述热处理的时间为3min～10min。
[0031]进一步地，所述封装膜为聚烯烃封装膜；所述封装膜的电阻率大于或等于1.0
×
10
16
Ω
·
cm。
[0032]进一步地，所述步骤103包括：：
[0033]步骤3
‑
1，在所述边框的卡槽内设置密封胶；
[0034]步骤3
‑
2，用所述边框将所述层压件固定。
[0035]上述专利技术的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：本专利技术实施例提供的方案，由于在太阳能电池组件的玻璃上设置了能够阻止阳离子流入所述电池片的抗压阻湿绝缘膜，绝缘膜的耐高压性能使得该太阳能电池组件能够适用于高压系统，提高了太阳能
电池组件的发电效率，绝缘膜的阻湿功能使得太阳能电池组件在高压系统下的PID效应降低，提高了太阳能电池组件的输出功率。
附图说明
[0036]图1是本专利技术一个实施例的太阳能电池组件的截面示意图；
[0037]图2是本专利技术又一个实施例的太阳能电池组件的截面示意图；
[0038]图3是本专利技术另一个实施例的太阳能电池组件的截面示意图；
[0039]图4是本专利技术实施例的太阳能电池组件的俯视图；
[0040]图5是双玻太阳能电池组件的基本结构及导致PID效应的离子运输路径模型；
[0041]图6是本专利技术一个实施例的太阳能电池组件中抗压阻湿绝缘膜的覆盖区域示意图；
[0042]图7是本专利技术又一个实施例的太阳能电池组件中抗压阻湿绝缘膜的覆盖区域示意图；
[0043]图8是本专利技术实施例的太阳能电池组件的半截面示意图；
[0044]图9是根据本专利技术实施例的太阳能电池组件的制备方法的流程示意图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括：层压件，以及设置在所述层压件侧面的边框(40)；所述层压件包括玻璃(10)，设置在所述玻璃(10)的第一主表面上的封装膜(20)和电池片(30)，以及，设置在所述玻璃(10)远离所述电池片(30)的第二主表面和所述玻璃(10)靠近所述边框(40)的侧面的抗压阻湿绝缘膜(50)；其中，所述抗压阻湿绝缘膜(50)可阻止阳离子流入所述电池片(30)；所述抗压阻湿绝缘膜(50)在所述玻璃(10)的第二主表面上的覆盖长度，大于所述边框(40)在所述玻璃(10)的第二主表面上的覆盖长度，并且所述抗压阻湿绝缘膜(50)没有覆盖全部所述玻璃(10)的第二主表面。2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述抗压阻湿绝缘膜(50)在所述玻璃(10)的第二主表面上的覆盖长度，小于或者等于所述电池片(30)侧面与所述玻璃(10)侧面之间的距离。3.根据权利要求1所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述层压件还包括：设置在所述玻璃(10)的第一主表面上的抗压阻湿绝缘膜(50)，所述抗压阻湿绝缘膜(50)在所述玻璃(10)的第一主表面上的覆盖长度，大于所述边框(40)在所述玻璃(10)的第二主表面的覆盖长度，并且所述抗压阻湿绝缘膜(50)没有覆盖全部所述玻璃(10)的第一主表面。4.根据权利要求1～3所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述抗压阻湿绝缘膜(50)的厚度为10nm～200nm。5.根据权利要求1～3所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述抗压阻湿绝缘膜(50)为硅油、氟硅油、硅酮、硅脂中的一种或多种与所述玻璃(10)表面的氧化硅键合形成。6.根据权利要求1所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池组件包括一块所述玻璃(10)，所述玻璃(10)设置在所述电池片(30)的正面；或者，所述太阳能电池组件包括两块所述玻璃(10)，分别设置在所述电池片(30)的正面和背面，至...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈斌，汤坤，尹海鹏，宋戈，郑清伟，
申请(专利权)人：华能陕西发电有限公司，
类型：发明
国别省市：