【技术实现步骤摘要】
一种离子注入用纯钨板及其制备方法和应用
[0001]本专利技术涉及钨板生产
,特别涉及一种离子注入用纯钨板及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]纯钨板是半导体领域的离子注入机中的重要组成部分,半导体离子注入技术是一种材料表面改性高新技术,在当代制造大规模集成电路中,可以说是一种必不可少的技术。而用厚度(2~10mm)的钨板经过精密加工制作的钨器件主要用于半导体离子注入机的离子源系统,起到约束、屏蔽电离射线的作用,是制作离子源系统的关键部件。
[0003]中国半导体材料市场近年来呈现高速增长趋势,国际知名公司也加大在中国的采购计划。半导体设备用钨器件的发展空间是十分广阔的。加之离子注入设备国产化是大趋势,目前离子注入用钨板加工主要难点为铣削具损耗大,成本高。其主要生产工艺是以钨金属粉末为原料,采用粉末冶金方法制坯然后再经过轧制形变加工,最后再通过精密机加工技术加工成相应形状和尺寸要求的钨零部件,其加工的形状复杂,不仅对精度有着苛刻的要求,对外观质量和使用效果也要求严格。因此需要一种铣削性能优良、加工成本低并 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种离子注入用纯钨板,其特征在于:由纯钨粉经压制、烧结、再结晶轧制及去应力退火后制得,所述离子注入用纯钨板金相组织为长条纤维态。2.根据权利要求1所述的离子注入用纯钨板,其特征在于:所述长条纤维态金相组织长宽比大于10:1,长度大于200um。3.根据权利要求1所述的离子注入用纯钨板,其特征在于:所述压制过程采用冷等静压压制,压制最高压力220~230MPa,保压时间50~70s。4.根据权利要求1所述的离子注入用纯钨板,其特征在于:所述烧结过程采用中频烧结,烧结最高温度2200℃,于最高温下保温15~20h。5.根据权利要求1所述的离子注入用纯钨板,其特征在于:所述再结晶轧制为轧制过程中进行再结晶退火,退火温度为1600
±
100℃,保温时间1~2小时。6.根据权利要求5所述的离子注入用纯钨板,其特征在于:所述轧制过程采用650轧机,对烧结坯进行交叉轧制,开坯阶段加热温度1500℃
±
50℃保温1~2小时,首道变形量30%;后续道次按照1400
±
50℃保温10分钟,每次变形量10%;变形量达到50%时,进行一次再结晶退火,退火温度为1600
±
100℃,保温时间1~2小时,再结晶退火后再按10%变形量轧制目标规格,直到轧制完成。7.根据权利要求1所述的离子注入用纯钨板,其特征在于:所述纯钨粉纯度≥99.98%,平...
【专利技术属性】
技术研发人员:殷庚强,侯海涛,黄志民,周伟,孙元新,郑春财,
申请(专利权)人:厦门虹鹭钨钼工业有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。