【技术实现步骤摘要】
基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关
[0001]本专利技术属于高功率超快半导体光电器件
，具体涉及一种基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关。
技术介绍
[0002]砷化镓光电导开关技术被广泛地应用于介质壁加速器，太赫兹辐射源，生物电学，超宽带脉冲源，武器点火，X射线飞秒条纹相机和环境保护等方面。砷化镓光电导开关与传统的纯电学的开关技术相比，具有相应速度快，抖动小，重复频率高，暗态电阻大和寄生电感电容小等优点。目前砷化镓光电导开关主要有两种工作模式：线性工作模式和高倍增工作模式。在高倍增工作模式下，其需要的触发光能将比线性工作模式下小三到五个数量级，为弱光触发奠定了基础。目前的研究结果显示开关的偏置电压越高，则需要的触发光能越小，砷化镓光电导开关高倍增工作模式的光能阈值与电场阈值成反比例的关系。且在砷化镓光电导开关的高倍增猝灭模式下偏置电压越高，其输出的电脉冲的脉宽越短。总之，砷化镓光电导开关在高偏置电压下工作具有很多益处，而且耐压能力为高功率脉冲开关技术的重要参数之一。尽管砷化镓材料的本征...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，其特征在于，包括有屏蔽盒(3)，屏蔽盒(3)内部设置有多通道导电开关单元(2)，屏蔽盒(3)顶部的开口处设置有位相型触发光栅系统(1)，位相型触发光栅系统(1)位于多通道导电开关单元(2)上方。2.根据权利要求1所述的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，其特征在于，所述位相型触发光栅系统(1)包括由上至下依次设置的滤光片(1
‑
1)及相位光栅(1
‑
2)。3.根据权利要求2所述的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，其特征在于，所述多通道导电开关单元(2)包括由下至上依次设置的支撑层(2
‑
1)、砷化镓层(2
‑
2)，砷化镓层(2
‑
2)的上表面设置有两个金属电极(2
‑
3)，两个金属电极(2
‑
3)之间设置有两组侧墙单元(2
‑
4)，两组侧墙单元(2
‑
4)之间刻蚀有若干个沟道(2
‑
5)，相位光栅(1
‑
2)的狭缝与沟道(2
‑
5)一一对应。4.根据权利要求3所述的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，其特征在于，包括有保护层(2
‑
6)，保护层(2...
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