显示设备制造技术

技术编号:34811762 阅读:11 留言:0更新日期:2022-09-03 20:20
提供一种显示设备,所述显示设备包括:基底;发射层,位于基底上;平坦化层,位于基底与发射层之间;薄膜晶体管,位于基底与平坦化层之间。发射层包括电连接到薄膜晶体管的发光二极管(LED)和围绕LED并与LED的侧表面接触的像素分隔构件,其中,所述像素分隔构件包括弹性材料。材料。材料。

【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]本申请是申请日为2016年8月2日、申请号为201610624446.0、题为“显示设备及其制造方法”的专利申请的分案申请。


[0002]一个或更多个示例性实施例涉及一种显示设备及其制造方法。

技术介绍

[0003]发光二极管(LED)根据化合物半导体的特性将电信号转变成诸如红外线或可见光线的光。LED已经用于家用电器、远程控制、电子显示板和各种自动装置等。LED已经广泛使用于诸如小型化的手持电子装置和相对大的显示设备的电子装置中。

技术实现思路

[0004]一个或更多个示例性实施例包括一种显示设备及其制造方法。
[0005]根据一个或更多个示例性实施例,一种显示设备包括:基底;发射层,位于基底上;平坦化层,位于基底与发射层之间;薄膜晶体管,位于基底与平坦化层之间。发射层包括电连接到薄膜晶体管的发光二极管(LED)以及围绕LED并与LED的侧表面接触的像素分隔构件。像素分隔构件可包括弹性材料。
[0006]像素分隔构件可以是阻光构件。
[0007]发射层可限定发射层的平坦的上表面。
[0008]LED可包括第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的中间层。发射层还可包括位于第一半导体层下面的第一电极焊盘和位于第二半导体层上的第二电极焊盘。
[0009]显示设备还可包括位于平坦化层与发光二极管之间并电连接到薄膜晶体管的第一电极。第一电极焊盘可与第一电极接触。
[0010]显示设备还可包括位于发射层上并与第二电极焊盘接触的第二电极。
[0011]第二电极可位于整个发射层的全部上。
[0012]显示设备还可包括位于平坦化层和LED之间并与位于平坦化层和LED之间的第一电极分隔开的第二电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘可位于LED的同一侧处,第一电极焊盘可与第一电极接触,第二电极焊盘可与第二电极接触。
[0013]在俯视平面图中,第二半导体层的平面面积可比第一半导体层的平面面积大,并可以比中间层的平面面积大。与第二电极接触的第二电极焊盘可不与第一半导体层和中间层叠置。
[0014]根据一个或更多个示例性实施例,一种制造显示设备的方法,所述方法包括以下步骤:在载体基底上设置以第一间隔彼此分隔开的显示设备的发射层的多个发光二极管(LED);在载体基底上形成位于相邻LED之间并与相邻LED的侧表面接触的发射层的伸长构件;使载体基底与多个LED以及与位于相邻LED之间并与相邻LED接触的伸长构件分离;拉长
位于相邻LED之间并与相邻LED接触的伸长构件伸长,以将第一间隔改变成与第一间隔不同的第二间隔;将以第二间隔彼此分隔开的多个LED传送到显示设备的显示基底上。
[0015]形成伸长构件的步骤可包括在多个LED之间填充弹性材料,以将多个LED固定在载体基底上。
[0016]传送多个LED的步骤可包括将以第二间隔彼此分隔开的多个LED连同被拉长的伸长构件一起传送到显示基底上,传送到显示基底上的被拉长的伸长构件可限定发射层的像素分隔构件。
[0017]伸长构件可具有阻光性质。
[0018]显示基底可包括基底、位于基底上的第一电极、位于基底与第一电极之间并在其中限定有通孔的平坦化层以及位于基底与平坦化层之间的薄膜晶体管。该方法还可包括将第一电极通过限定在平坦化层中的通孔电连接到薄膜晶体管。传送多个发光二极管的步骤可包括使第二间隔的多个LED与位于显示基底的基底上的第一电极叠置。
[0019]LED中的每个可包括第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的中间层。该方法还可包括将发射层的第一电极焊盘设置在第一半导体层下面,并将其与第一电极接触。
[0020]该方法还可包括:将第二电极设置在发射层上,以及将发射层的第二电极焊盘设置在第二半导体层上,并将其与发射层的第二电极焊盘接触。
[0021]形成第二电极的步骤可包括将第二电极设置在整个发射层上。
[0022]该方法还可包括:将第二电极设置在基底上,以将平坦化层设置在基底与第二电极之间,使得第二电极与第一电极分隔开;将发射层的第二电极焊盘设置在第二半导体层下面,并将其与第二电极接触。
[0023]该方法还可包括通过去除第一半导体层和中间层的一部分使第二半导体层从第一半导体和中间层暴露。在设置第二电极的步骤中,将第二电极设置在第二半导体层的暴露的部分下面,使得第二电极焊盘与第一电极焊盘位于LED的同一侧处。
附图说明
[0024]通过下面结合附图对示例性实施例的描述,这些和/或其它优点将变得明显且更容易理解,在附图中:
[0025]图1示出根据本专利技术的显示设备的示例性实施例的俯视平面图;
[0026]图2示出根据本专利技术的示例性实施例的沿线I

I

截取的图1的显示设备的剖视图;
[0027]图3示出根据本专利技术的沿线I

I

截取的图1的显示设备的另一示例性实施例的剖视图;
[0028]图4A和图4B至图6示出根据本专利技术的制造显示设备的方法的示例性实施例。
具体实施方式
[0029]本专利技术可允许各种变化或修改以及在形式上的各种变化,并且具体的实施例将在附图中示出且在说明书中详细描述。然而,应理解的是,具体的实施例不将本专利技术限制于具体的公开形式,而是包括在本专利技术的精神和技术范围内的各个修改、等同物或替换物。在以下描述中,不详细地描述公知的功能或结构,以免使用不必要的细节使本专利技术不清楚。
[0030]尽管可使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件,但是元件不会受术语限制。术语可用于将某个元件与另一元件分类。
[0031]在本申请中使用的术语仅用于描述特定的实施例,而不具有限制本专利技术的任何意图。单数形式的表述包括复数形式的表述,除非它们在上下文中明显地彼此不同。在附图中,为了方便和描述的清楚,夸大了一些组件、省略了一些组件或示意性地示出了一些组件,并且组件的尺寸并没有充分地反应组件的实际尺寸。
[0032]当各组件形成“在”某一组件“上”或“下”时,术语“在
……
上”和“在
……
下”包括直接地或经由在中间的另一组件在
……
上或在
……
下,并且关于“在
……
上”和“在
……
下”的参考参照附图来描述。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”或“直接在”另一元件“下”时,则不存在中间元件。
[0033]现在将详细地参照在附图中示出其示例的示例性实施例,在附图中,同样的附图标记始终指示同样的元件。就这点而言,本示例性实施例可具有不同的形式并且不应被解释为局限于在此所阐述的描述。因此,通过参照附图,以下仅描述了示例性实施例,以解释本描述的特征。
[0034]如在此使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备,所述显示设备包括:基底;发射层,位于所述基底上;平坦化层,位于所述基底与所述发射层之间;以及薄膜晶体管,位于所述基底与所述平坦化层之间,其中,所述发射层包括:发光二极管,电连接到所述薄膜晶体管,以及像素分隔构件,围绕所述发光二极管并与所述发光二极管的侧表面接触,并且其中,所述像素分隔构件包括弹性材料。2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述像素分隔构件是阻光构件。3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述发射层限定所述发射层的平坦的上表面。4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述发光二极管包括:第一半导体层,第二半导体层,以及中间层,位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间,并且所述发射层还包括:第一电极焊盘,位于所述第一半导体层下面,以及第二电极焊盘,位于所述第二半导体层上。5.根据权利要求4所述的显示设备,所述显示设备还包括位于所述平坦化层与所述发光二极管之间并电连接到所述薄膜晶体管的第一电极,并且其中,所述第一电极焊盘与所述第一电极接触。6.根据权利要求5所述的显示设备,所述显示...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴商一
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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