【技术实现步骤摘要】
一种利用钨残靶制备钨粉的方法
[0001]本专利技术属于半导体靶材
,涉及一种制备钨粉的方法,尤其涉及一种利用钨残靶制备钨粉的方法。
技术介绍
[0002]钨是一种重要的基础材料和战略资源,其在多方面的性能均较为优异,在国防、航空航天、机械制造、电子工业等各个领域都有着极为重要且不可替代的应用。但是,钨矿的资源储量有限,因此合理地对钨矿资源进行开采,以及合理利用钨二次资源是提高钨资源利用率的有效方法。其中,提高钨二次资源的回收率是实现钨资源可持续利用的重要途径。
[0003]CN 105858728A公开了一种钨废料回收制备钨酸钠的方法,该方法首先将钨废料磨细;将磨细后的钨废料与固体强氧化剂混合均匀,然后进行焙烧,焙烧后的物料用去离子水进行浸出,浸出后得到钨酸钠溶液和未溶含钨废料;过滤后得到钨酸钠溶液和未溶含钨废料。该方法采用固体强氧化剂对钨合金废料进行溶解,溶解后得到的钨酸钠存在于碱性条件中是较为稳定的,但在处理过程中,焙烧设备结炉严重,且未溶含钨废料中的含钨量高,回收率低,其中未溶含钨废料的处理成本高,后续提纯困难。
[0004]另外,目前半导体用高纯钨靶的实际溅射使用率为50
‑
70%,剩余部分作为残靶报废,高纯钨靶的纯度为5N以上,密度可达19.35g/cm3,因此钨残靶是一种重要的回收钨的二次资源。但由于钨残靶属于纯金属废料,其耐腐蚀性比钨化合物更强,现有技术对钨残靶中钨的回收率较低。
[0005]目前,回收废纯钨的方法包括碱熔融法、硫酸钠熔融法与硝石熔融法。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种利用钨残靶制备钨粉的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)粉碎钨残靶为碎钨颗粒;(2)等温氧化步骤(1)所得碎钨颗粒,得到三氧化钨;(3)氨水溶解步骤(2)所得三氧化钨后进行重结晶,得到结晶粉体;(4)步骤(3)所得结晶粉体进行氨溶重结晶,所得钨酸铵粉体使用氨水溶解,得到钨酸铵溶液;(5)超声雾化还原步骤(4)所得钨酸铵溶液,得到钨粉。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述钨残靶的纯度≥99.999wt%,致密度≥99.9%;优选地,步骤(1)所述粉碎后还包括依次进行的碱洗、酸洗与烘干,得到碎钨颗粒;优选地,所述碱洗与酸洗后分别独立地水洗至中性;优选地,所述烘干的温度为45
‑
55℃。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,步骤(2)所述等温氧化包括:平铺碎钨颗粒,在空气气氛下进行等温氧化;优选地,平铺碎钨颗粒的厚度为5
‑
15mm;优选地,步骤(2)所述等温氧化时的空气流速为0.4
‑
2L/min;优选地,步骤(2)所述等温氧化的温度为500
‑
850℃。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述氨水溶解包括:18
‑
22wt%的氨水与步骤(2)所得三氧化钨混合,加热升温后进行搅拌;优选地,所述加热升温的终点温度为70
‑
90℃;优选地,所述搅拌的速度为50
‑
200r/min,时间为30
‑
60min。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(3)所述重结晶的方法包括旋转蒸发;优选地,所述旋转蒸发的温度为70
‑
100℃;优选地,所述旋转蒸发的转速为10
‑
40r/min;优选地,步骤(3)所述重结晶所得结晶母液的密度为0.95
‑
1.05g/cm3。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的方法,其特征在于,步骤(3)所得结晶粉体进行真空干燥后,进行步骤(4)所述氨溶重结晶;优选地,所述真空干燥的真空度≤10
‑2Pa;优选地,所述真空干燥的温度为50
‑
150℃。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的方法,其特征在于,步骤(4)所述氨溶重结晶的方法包括旋转蒸发;优选地,步骤(4)所述氨溶重结晶的温度为70
‑
100℃;优选地,步骤(4)所述氨溶重结晶的转速为10
‑
40r/min;优选地,步骤(4)所述氨溶重结晶所得结晶母液的密度为0.65
‑
0.75g/cm3。8.根据权利要求1<...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,王学泽,周友平,孙慧芳,吴东青,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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