本实用新型专利技术提出一种发光二极管及发光二极管显示器，包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上；透明导电层，设置在所述半导体结构上；第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；第二电极，设置在所述透明导电层上，且第一电极和第二电极之间存在间隙；第一焊盘，设置在所述第一电极上；第二焊盘，设置在所述第二电极上；以及支撑层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且填满所述间隙。通过本实用新型专利技术提供的一种发光二极管，可防止发光二极管转移时断裂。可防止发光二极管转移时断裂。可防止发光二极管转移时断裂。
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及发光二极管显示器
[0001]本技术涉及半导体领域，特别涉及一种发光二极管及发光二极管显示器。
技术介绍
[0002]发光二极管的在背光领域的应用中，具有省电、清晰度高、反应时间快等特点，被广泛应各种背光、显示器上。不过由于发光二极管所需的芯片数量多，产品的价格也随之增加。因此，需要高效的芯片模组，来提高亮度，与减低所需数量。但由于大多发光二极管都是倒装芯片，均透过基底(蓝宝石)由背部发光，基底本身也会吸光，因此需要将基底移除，以提升亮度。不过剥离基后，常常会因为本身膜质的应力，以及封装基版不平整，而导致外延产生龟裂，造成漏电死灯。
技术实现思路
[0003]鉴于上述现有技术的缺陷，本技术提出一种发光二极管，旨在改善封装基版不平整，而导致外延产生龟裂的问题。
[0004]为实现上述目的及其他目的，本技术提出一种发光二极管，该发光二极管包括：
[0005]衬底；
[0006]半导体外延结构，设置在所述衬底上；
[0007]透明导电层，设置在所述半导体外延结构上；
[0008]第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；
[0009]第二电极，设置在所述透明导电层上，且第一电极和第二电极之间存在间隙；
[0010]第一焊盘，设置在所述第一电极上；
[0011]第二焊盘，设置在所述第二电极上；以及
[0012]支撑层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且填满所述间隙。
[0013]可选的，所述发光二极管还包括反射层，所述反射层设置在所述透明导电层上。
[0014]可选的，所述发光二极管还包括保护层，所述保护层设置在所述反射层上。
[0015]可选的，所述发光二极管还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述保护层上。
[0016]可选的，所述支撑层设置在所述反射层上。
[0017]可选的，所述支撑层的高度低于所述第一焊盘和所述第二焊盘。
[0018]可选的，所述支撑层的厚度为300～4000nm。
[0019]可选的，所述半导体外延结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体结构。
[0020]可选的，所述发光二极管为微型发光二极管。
[0021]本技术还提供一种发光二极管显示器，其特征在于，包括如上所述的发光二极管。
[0022]综上所述，本技术提出一种发光二极管及发光二极管显示器，利用一个特殊的支撑层，可以将会裂开的部份形成一个支撑，使其不会裂开，避免取晶顶伤，同时也可以
避免因底层助焊剂或是锡膏扩散而导致漏电。
附图说明
[0023]图1：本实施例中半导体设备结构示意图。
[0024]图2：本实施例中一过度腔结构示意图。
[0025]图3：本实施例中清洗腔结构示意图。
[0026]图4：本实施例中预热腔结构示意图。
[0027]图5：本实施例中生长腔结构示意图。
[0028]图6：本实施例中靶材及背板结构简要示意图。
[0029]图7：本实施例中另一半导体设备结构简要示意图。
[0030]图8：本实施例中沉积腔结构示意图。
[0031]图9：第一沉积腔体的结构示意图。
[0032]图10：扩散板的示意图。
[0033]图11：第一进气管路和第二进气管路的结构示意图。
[0034]图12：基板入口的示意图。
[0035]图13：第二管路的示意图。
[0036]图14：一种半导体设备的结构示意图。
[0037]图15：一种设置有空穴注入层的半导体外延结构图。
[0038]图16：一种极性面与非极性面示意图。
[0039]图17：一种具有稳定波长的半导体外延结构图。
[0040]图18：一种设置有电阻层的半导体外延结构图。
[0041]图19：图18所示的半导体外延结构等效电路图。
[0042]图20：一种微型发光二极管结构示意图。
[0043]图21：一种大角度微型发光二极管结构示意图。
[0044]图22：一种小角度微型发光二极管结构示意图。
[0045]图23：图22所示的遮挡层结构示意图。
[0046]图24：一种覆盖两个侧面的遮挡层示意图。
[0047]图25：一种覆盖四个侧面的遮挡层示意图。
[0048]图26：一种设置有填平层的微型发光二极管结构示意图。
[0049]图27：图26所示的填平层的结构示意图。
[0050]图28：图26所示的微型发光二极管焊接在基板上的受力示意图。
[0051]图29：未设置填平层的微型发光二极管结构的发光角度示意图。
[0052]图30：图26所示微型发光二极的发光角度示意图。
[0053]图31：一种电极上设置有金属叠层的微型发光二极管示意图。
[0054]图32：一种具有特殊导电结构的微型发光二极管示意图。
[0055]图33：一种具有防水保护层的微型发光二极管示意图。
[0056]图34：图33所示的保护膜层的结构示意图。
[0057]图35：图33所示的突出结构的电镜图。
[0058]图36：疏水性不同的表面，液滴边缘切线与基准面之间的夹角示意图。
[0059]图37：一种电极之间设置支撑层的微型发光二极管示意图。
[0060]图38：一种微型发光二极管转移装置结构示意图。
[0061]图39：一种微型发光二极管转移装置的结构俯视图。
[0062]图40：一种微型发光二极管转移装置的切割槽示意图。
[0063]图41：一种微型发光二极管转移装置的切割位置示意图。
[0064]图42：一种微型发光二极管显示面板的结构示意图。
[0065]图43：一种微型发光二极管显示面板的俯视图。
[0066]图44：一种电子装置结构示意图。
[0067]图45：一种半导体器件结构示意图。
[0068]图46：一种射频模组结构示意图。
具体实施方式
[0069]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0070]请参阅图1，本实施例提出一种半导体设备100，例如可以为化学气相沉积设备，也可以为物理气相沉积设备，当然也可以是物理气相沉积设备、化学气相沉积设备或其他半导体设备的组合。
[0071]如图1所示，在本技术一实施例中，半导体设备100内设置多个腔室，在技术一实施例中，半导体设备100例如可以包括传送腔110，预热腔140，清洗腔130，过渡腔120 及多个生长本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上；透明导电层，设置在所述半导体外延结构上；第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；第二电极，设置在所述透明导电层上，且第一电极和第二电极之间存在间隙；第一焊盘，设置在所述第一电极上；第二焊盘，设置在所述第二电极上；以及支撑层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且填满所述间隙。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括反射层，所述反射层设置在所述透明导电层上。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括保护层，所述保护层设置在所述反射层上。4.根据权利要求3所述的发...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈卫军，
申请(专利权)人：广东晶相光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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