本申请提供了一种充电电路，包括充电正极、充电负极、充电集成电路模块和第一保护模块；其中第一保护模块的第一端与充电负极连接，第二端与充电集成电路模块的第一端连接，第三端接地，充电集成电路模块的第二端与充电正极连接。第一保护模块用于在目标充电状态下，处于第一工作状态，以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间形成电流回路，并且用于在非目标充电状态下，处于第二工作状态，以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间，以及充电负极与地之间，以及充电正极与地之间无法形成电流回路。由此，在非目标充电状态下，可以避免电流倒灌问题，以及减小或者避免电路漏电影响。本申请还提供了一种电池模组、电池和电子设备。电池和电子设备。电池和电子设备。
【技术实现步骤摘要】
一种充电电路、电池模组、电池和电子设备
[0001]本申请涉及电子产品
，特别涉及一种充电电路、电池模组、电池和电子设备。
技术介绍
[0002]随着电子设备的发展，电子设备能够支持的功能越来越多。例如，当前一些手表等电子设备已经具备心电图（electrocardiogram，ECG）检测等人体生物信号测试功能。手表通常通过在表盘底部设置例如心电检测正极，在表盘侧壁设置心电检测负极的方式，实现心电检测电极的设置。用户在使用手表进行ECG检测的时候，只需要将手表佩戴在手腕上，使手表设置有心电检测正极的表盘底部紧贴皮肤，用户的另一只手放在手表的心电检测负极上，就能实现ECG检测。
[0003]但是，当前的手表通常为可充电手表，并且手表的充电电极也通常设置在表盘底部，并且与心电检测正极之间的位置通常离的比较近。因此，手表在进行ECG检测的时候，心电检测正极与充电电极之间很容易产生漏电现象，形成阻抗小于正常测试的漏电回路，导致ECG检测结果不准确。
[0004]并且，手表在充电的时候，若外部充电器的充电正负极与手表的充电正负极反接，会从手表的充电负极向充电正极形成逆向倒灌电流，逆向倒灌电流会对电路中的电芯以及其他电子元器件造成损坏，影响手表功能。
技术实现思路
[0005]本申请提供了一种充电电路、电池模组、电池和电子设备，用于解决现有技术中存在的前述问题。即，在用户使用电子设备进行ECG检测的时候，可以减小或者避免心电检测电极与充电电极之间的漏电现象，提高了ECG检测结果的准确性。并且，在充电电极反接的时候，也可以阻止电流从充电负极流向充电正极，可以避免或者减轻电流倒灌问题，从而可以避免或者减轻电子设备中的电芯以及其他电子元器件由于电流倒灌被损坏的问题。
[0006]为解决上述技术问题，第一方面，本申请的实施方式提供了一种充电电路，充电电路包括充电正极、充电负极、充电集成电路模块和第一保护模块；其中第一保护模块的第一端与充电负极连接，第一保护模块的第二端与充电集成电路模块的第一端连接，第一保护模块的第三端接地，充电集成电路模块的第二端与充电正极连接。第一保护模块用于在目标充电状态下，处于第一工作状态，以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间形成电流回路，并且第一保护模块用于在非目标充电状态下，处于第二工作状态，以使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间无法形成电流回路，以防止来自于充电负极的电流流向充电集成电路模块，以使充电负极与地之间无法形成电流回路，以防止来自于充电负极的电流流向地，以及以使充电正极、充电集成电路模块和地之间无法形成电流回路，以防止来自充电正极的电流流向地。
[0007]充电电路中设置的第一保护模块，处于第一工作状态，以使充电正极、充电集成电
路模块和充电负极之间形成电流回路，可以保证正常充电。
[0008]充电电路中设置的第一保护模块，在非目标充电状态下，处于第二工作状态，能够使充电正极、充电集成电路模块和充电负极之间无法形成电流回路，防止来自于充电负极的电流流向充电集成电路模块，以使充电负极与地之间无法形成电流回路，以防止来自于充电负极的电流流向地，以及以使充电正极、充电集成电路模块和地之间无法形成电流回路，以防止来自充电正极的电流流向地。由此，只要不是在目标充电状态，电路中均不会形成从充电负极流向充电集成电路模块的电流，以及从充电负极流向地的电流，以及从充电正极流向地的电流。
[0009]因此，例如即使外部充电器的正负极与充电电路包括的充电正极和充电负极反接，也不会有从充电负极流向充电集成电路模块的电流，能够避免由于电路反接引起的电流倒灌问题，可以避免或者减轻电子设备中的电芯以及其他电子元器件由于电流倒灌被损坏的问题。
[0010]并且，例如在前述ECG检测的时候，心电检测正极与充电电极之间产生漏电现象的场景中，本实施方式中的第一保护模块可以在充电负极与地之间形成高阻状态，即可以使得充电负极与地之间无法形成电流回路或者放电回路，可以防止心电检测正极通过充电负极向地放电，即可以避免漏电产生的电流从充电负极流向地。如此，可以减小或者避免心电检测电极与充电电极之间的漏电现象，提高了ECG检测结果的准确性。
[0011]另外，还可以在充电正极与地之间形成高阻状态，即可以使得充电正极与地之间无法形成电流回路或者放电回路，可以防止心电检测正极通过充电正极向地放电，即可以避免漏电产生的电流从充电正极流向地。如此，也可以减小或者避免心电检测电极与充电电极之间的漏电现象，提高了ECG检测结果的准确性。
[0012]当然，本实施方式提供的充电电路，也可以应用于其他需要避免或者减小漏电影响的场景中。
[0013]该充电电路可以应用于电池模组、电池或者电子设备中，实现相应产品的充电功能。
[0014]在上述第一方面的一种可能的实现中，第一保护模块包括第一保护单元，第一保护单元的第一端与充电负极连接，第一保护单元的第二端与充电集成电路模块的第一端连接，第一保护单元的第三端接地，以防止来自充电负极的电流流向充电集成电路模块。
[0015]第一保护单元能够防止来自充电负极的电流流向充电集成电路模块，因此，只要不是在目标充电状态，电路中均不会形成从充电负极流向充电集成电路模块的电流。例如，即使外部充电器的正负极与充电电路包括的充电正极和充电负极反接，也不会有从充电负极流向充电集成电路模块的电流，能够避免由于电路反接引起的电流倒灌问题，可以避免或者减轻电子设备中的电芯以及其他电子元器件由于电流倒灌被损坏的问题。另外，还可以避免或者减小前述的漏电现象引起的检测不准确等问题。
[0016]在上述第一方面的一种可能的实现中，第一保护单元包括N型金属氧化物半导体晶体管，N型金属氧化物半导体晶体管的漏极作为第一保护单元的第一端与充电负极连接，N型金属氧化物半导体晶体管的栅极作为第一保护单元的第二端与充电集成电路模块的第一端连接，N型金属氧化物半导体晶体管的源极作为第一保护单元的第三端接地。
[0017]N型金属氧化物半导体晶体管是电压控制元件，只要栅极的电压大于一定值（即大
于导通阈值电压），便能导通，适合于源极接地的情况。因此，将N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与充电集成电路模块的第一端连接，漏极与充电负极连接。只有当充电电路正常充电（即在目标充电状态下）的时候，N型金属氧化物半导体晶体管的栅极才有足够的电压（例如可以为5V）使得N型金属氧化物半导体晶体管导通。在非目标充电状态，例如可以为未进行充电，也可以为充电电极反接的情况，这种情况下，N型金属氧化物半导体晶体管的栅极由于不存在足够使其导通的电压（例如可以为5V），N型金属氧化物半导体晶体管不会导通。因此，可以防止来自充电负极的电流流向充电集成电路模块，防止电流倒灌。即，采用N型金属氧化物半导体晶体管，能够更好地实现防止来自充电负极的电流流向充电集成电路模块的功能。另外，该N型金属氧化物半导体晶体管具体可以是N沟道增强型场效应晶体管。
[0018]在上述第本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种充电电路，其特征在于，所述充电电路包括充电正极、充电负极、充电集成电路模块和第一保护模块；其中所述第一保护模块的第一端与所述充电负极连接，所述第一保护模块的第二端与所述充电集成电路模块的第一端连接，所述第一保护模块的第三端接地，所述充电集成电路模块的第二端与所述充电正极连接，所述第一保护模块用于在目标充电状态下，处于第一工作状态，以使所述充电正极、所述充电集成电路模块和所述充电负极之间形成电流回路，并且用于在非目标充电状态下，处于第二工作状态，以使所述充电正极、所述充电集成电路模块和所述充电负极之间无法形成电流回路，以防止来自于所述充电负极的电流流向所述充电集成电路模块，以使所述充电负极与地之间无法形成电流回路，以防止来自于所述充电负极的电流流向地，以及以使所述充电正极、所述充电集成电路模块和地之间无法形成电流回路，以防止来自所述充电正极的电流流向地。2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一保护模块包括第一保护单元，所述第一保护单元的第一端与所述充电负极连接，所述第一保护单元的第二端与所述充电集成电路模块的第一端连接，所述第一保护单元的第三端接地。3.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第一保护单元包括N型金属氧化物半导体晶体管，所述N型金属氧化物半导体晶体管的漏极作为所述第一保护单元的第一端与所述充电负极连接，所述N型金属氧化物半导体晶体管的栅极作为所述第一保护单元的第二端与所述充电集成电路模块的第一端连接，所述N型金属氧化物半导体晶体管的源极作为所述第一保护单元的第三端接地。4.根据权利要求3所述的充电电路，其特征在于，所述第一保护单元还包括晶体二极管，所述晶体二极管的负极与所述N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接作为所述第一保护单元的第一端与所述充电负极连接，所述晶体二极管的正极与所述N型金属氧化物半导体晶体管的源极连接作为所述第一保护单元的第三端接地。5.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第一保护模块还包括第二保护单元，所述第二保护单元的第一端分别与所述第一保护单元的第一端和所述充电负极...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡思远，阎鑫淼，谭银炯，邹靖波，
申请(专利权)人：荣耀终端有限公司，
类型：发明
国别省市：
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