半导体晶片处置方法与装置制造方法及图纸

本申请实施例涉及半导体晶片处置方法与装置。本发明专利技术提供一种用于夹持半导体晶片的组合件，其包含板及经安装于所述板上的静电吸盘。多个槽在所述静电吸盘的相应部分之间延伸以接纳晶片处置器的末端执行器的臂。所述末端执行器的所述臂支撑被放置到所述静电吸盘上及从所述静电吸盘移除的半导体晶片。及从所述静电吸盘移除的半导体晶片。及从所述静电吸盘移除的半导体晶片。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶片处置方法与装置
[0001]分案申请的相关信息
[0002]本申请是申请日为2019年6月11日、申请号为“201980037054.6”、专利技术名称为“半导体晶片处置方法与装置”的专利技术专利申请的分案申请。
[0003]相关申请案
[0004]本申请案主张2018年6月19日申请的标题为“具有静电吸盘的开槽单片镜板(Slotted Monolithic Mirror Plate with Electrostatic Chuck)”的第62/687,017号美国临时专利申请案的优先权，所述案的全文特此出于所有目的以引用的方式并入。


[0005]本专利技术涉及半导体晶片处置，且更具体来说，涉及一种具有用于晶片处置的槽的静电晶片吸盘。

技术介绍

[0006]静电晶片吸盘或简称静电吸盘用于半导体制造设备中以固持晶片。静电吸盘使用高电压来产生静电力，所述静电力将半导体晶片夹持到所述吸盘。传统上，静电吸盘使用升降销来装载及卸除晶片。当装载晶片时，升降销从静电吸盘上升，从晶片处置器的末端执行器接纳晶片，且接着下降，直到晶片搁置于吸盘表面上。当卸除晶片时，升降销上升以将晶片升高到吸盘表面上方，使得晶片处置器的末端执行器可在晶片与吸盘表面之间滑动以拾取晶片。然而，使用升降销会产生若干问题。升降销需要晶片上方的行进空间且需要z形载物台或其它行进机构来提升销，此增加系统的重量及复杂性。此外，升降销的行进时间降低吞吐量。

技术实现思路

[0007]因此，需要用于从静电吸盘装载及卸除半导体晶片的更有效方法及系统。可通过对静电吸盘开槽来实现此类方法及系统。
[0008]在一些实施例中，一种用于夹持半导体晶片的组合件包含板及安装于所述板上的静电吸盘。多个槽在所述静电吸盘的相应部分之间延伸以接纳晶片处置器的末端执行器的臂。所述末端执行器的所述臂支撑放置到所述静电吸盘上及从所述静电吸盘移除的半导体晶片。
[0009]在一些实施例中，一种处置半导体晶片的方法包含在晶片处置器的末端执行器的臂上支撑半导体晶片。在所述末端执行器的所述臂上支撑所述半导体晶片的情况下，通过将所述末端执行器的所述臂定位于在所述静电吸盘的部分之间延伸的相应槽中来将所述半导体晶片放置到静电吸盘上。在所述半导体晶片位于所述静电吸盘上的情况下，从所述相应槽抽出所述末端执行器的所述臂。将所述半导体晶片夹持到所述静电吸盘。将所述半导体晶片夹持到所述静电吸盘包含偏置所述静电吸盘。
附图说明
[0010]为了更好地理解各项所描述的实施例，应结合以下图式参考下文具体实施方式。
[0011]图1及2是根据一些实施例的用于夹持半导体晶片的组合件的透视图。
[0012]图3是根据一些实施例的图2的组合件的底部的透视图。
[0013]图4展示根据一些实施例的组合件(例如图1或2的组合件)的截面。
[0014]图5是根据一些实施例的晶片处置器的末端执行器的平面图。
[0015]图6是展示根据一些实施例的处置半导体晶片的方法的流程图。
[0016]贯穿图式及说明书，类似元件符号指代对应部件。
具体实施方式
[0017]现将详细参考在随附图式中说明其实例的各项实施例。在下文详细描述中，陈述众多特定细节以便提供对各项所描述的实施例的透彻理解。然而，对于所属领域的一般技术人员将显而易见的是，可在没有这些特定细节的情况下实践各项所描述的实施例。在其它情况下，未详细描述众所周知方法、程序、组件、电路及网络以免不必要地模糊实施例的方面。
[0018]图1是根据一些实施例的用于夹持半导体晶片的组合件100的透视图。用于半导体制造设备中的组合件100包含经安装于板102上的开槽静电吸盘。开槽静电吸盘包含经安装于板102上且由槽106
‑
1及106
‑
2分离的三个静电吸盘(“e吸盘”)部分104
‑
1、104
‑
2及104
‑
3。槽106
‑
1及106
‑
2经定大小以接纳晶片处置器的末端执行器的臂(例如，图5的末端执行器500的臂502及504)。末端执行器臂用来将半导体晶片放置到开槽静电吸盘上且从开槽静电吸盘移除半导体晶片：在装载或移除晶片时，臂支撑所述晶片。在一些实施例中，部分104
‑
1、104
‑
2及104
‑
3是相异吸盘表面；槽106
‑
1及106
‑
2完全跨静电吸盘延伸，且因此将静电吸盘分成具有相异表面的相异部分。在图1的实例中，槽106
‑
1位于部分104
‑
1与104
‑
2之间，且槽106
‑
2位于部分104
‑
2与104
‑
3之间。替代地，所述槽的一者或两者可仅在静电吸盘的中途延伸，使得一些或所有部分是连接的。无论如何，组合件100是单片组合件，因为部分104
‑
1、104
‑
2及104
‑
3是安装于板102上。部分104
‑
1、104
‑
2及104
‑
3经共面(例如，部分104上的台面404(图4)是共面的)到指定程度内(例如，到10微米内)，以确保晶片可均匀地搁置于静电吸盘上。部分104
‑
1、104
‑
2及104
‑
3以及槽106
‑
1及106
‑
2共同经定大小以接纳及支撑指定直径(例如，300mm)的半导体晶片。虽然图1说明具有两个槽106及三个部分104的静电吸盘，但槽及对应部分的数目可变化。
[0019]部分104中的每一者及因此静电吸盘的每一相异表面可被分成一或多个电极区域108及绝缘物110。绝缘物110环绕电极区域108中的每一者。在图1的实例中，部分104
‑
1包含由绝缘物110环绕的单个电极区域108
‑
1，部分104
‑
2包含由绝缘物110环绕的两个电极区域108
‑
2及108
‑
3，且部分104
‑
3包含由绝缘物110环绕的单个电极区域108
‑
4。电极区域108可被分成一或多个(例如，两个)电极区域的群组，每一电极区域群组可独立地经偏置以夹持半导体晶片。
[0020]在一些实施例中，板102是镜板，使得其侧的一或多者是镜(例如，用于将板定位于一片半导体制造设备内的激光干涉仪镜)。例如，板102包含用于将板102定位于第一方向(例如，x方向或替代地y方向)上的镜面118，及/或用于将板102定位于第二方向(例如，y方
向或替代地x方向)上的镜面120。
[0021]在一些实施例中，开口114经定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于夹持半导体晶片的组合件，其包括：板；静电吸盘，其安装于所述板上，所述静电吸盘包括多个相异电极区域，其中所述多个相异电极区域中的每一电极区域包括相应导电层；多个槽，其在所述静电吸盘的相应部分之间延伸以接纳晶片处置器的末端执行器的臂，其中所述末端执行器的所述臂用来支撑被放置到所述静电吸盘上及从所述静电吸盘移除的半导体晶片；及导电通孔，其延伸穿过所述板以连接到所述多个相异电极区域中的相应电极区域的所述相应导电层。2.根据权利要求1所述的组合件，其中所述多个相异电极区域中的所述相应电极区域进一步包括：位于所述相应导电层之上的相应介电层；及位于所述相应导电层之下的相应绝缘层；其中所述导电通孔延伸穿过所述相应绝缘层以连接到所述相应导电层。3.根据权利要求1所述的组合件，其进一步包括用来将静电吸盘连接到所述板的胶：其中，所述导电通孔延伸穿过所述胶。4.根据权利要求1所述的组合件，其进...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：