基于铑-二氧化硅纳米复合结构的等离激元振幅调谐器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于铑

【技术实现步骤摘要】
基于铑
‑
二氧化硅纳米复合结构的等离激元振幅调谐器


[0001]本专利技术涉及一种基于铑
‑
二氧化硅纳米复合结构的等离激元振幅调谐器，属于等离激元振幅调谐器


技术介绍

[0002]贵金属中存在大量自由电子，当入射光照射贵金属纳米材料时，能够激发贵金属表面电子的集体振荡，形成表面等离激元；当入射光频率与电子振荡频率相同时，两者有效耦合，形成等离激元共振现象。共振时，贵金属的光学性质会产生明显变化，如吸收光谱的振幅强度在共振波长处会出现明显的峰值特征。研究表明，该振幅强度对单一贵金属纳米结构十分敏感，因此，可以通过调节结构参数，来改变振幅强度，将该原理应用于振幅调谐器的设计等方面。然而，单一贵金属纳米结构的调节多数情况下需要通过改变贵金属纳米材料本身的参数，如改变形状和尺寸等才能够实现，这点在实际使用中非常不方便。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的是提供一种基于铑
‑
二氧化硅纳米复合结构的等离激元振幅调谐器，通过改变铑纳米棒的角度，实现对等离激元振幅强度的高效调节。
[0004]本专利技术的技术方案是：一种基于铑
‑
二氧化硅纳米复合结构的等离激元振幅调谐器，包括中心重合的介电材料和贵金属材料，所述介电材料为二氧化硅纳米圆环，贵金属材料为圆柱体的铑纳米棒，所述铑纳米棒转动设置于二氧化硅纳米圆环内部。
[0005]所述圆柱体长度L＝100nm，半径r＝5nm，铑纳米棒边缘与二氧化硅纳米圆环内侧间距
△
＝10nm。
[0006]所述二氧化硅纳米圆环内径R1＝60nm，外径R2＝80nm，厚度H＝10nm。
[0007]本专利技术的有益效果是：在铑
‑
二氧化硅纳米复合结构中产生表面等离激元，其电磁场对铑纳米棒旋转角度θ的变化非常敏感。当二氧化硅圆环固定，而铑纳米棒发生相对转动时，等离激元振幅强度也随之发生变化。通过改变铑纳米棒的旋转角度θ，能够实现吸收截面光谱曲线中振幅强度的高效调节。
附图说明
[0008]图1为本专利技术的结构图；
[0009]图2为本专利技术的俯视图；
[0010]图3为固定二氧化硅纳米环，仅改变铑纳米棒的相对旋转角度得到的相对振幅强度图。
[0011]图中附图标记如下：1、介电材料，2、贵金属材料。
具体实施方式
[0012]下面结合附图1
‑
3对本专利技术做进一步说明：
[0013]一种基于铑
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二氧化硅纳米复合结构的等离激元振幅调谐器，包括中心重合的介电材料1和贵金属材料2，所述介电材料1为二氧化硅纳米圆环，贵金属材料2为圆柱体的铑纳米棒，所述铑纳米棒转动设置于二氧化硅纳米圆环内部。所述圆柱体长度L＝100nm，半径r＝5nm，铑纳米棒边缘与二氧化硅纳米圆环内侧间距
△
＝10nm。所述二氧化硅纳米圆环内径R1＝60nm，外径R2＝80nm，厚度H＝10nm。
[0014]实施例1
[0015]如图2所示，本专利技术通过改变铑纳米棒相对于x轴的旋转角度θ，对等离激元振幅强度进行调节。
[0016]如图3所示，当改变铑纳米棒相对于x轴的旋转角度θ时，本专利技术所述调谐器的吸收截面光谱中，等离激元振幅强度随旋转角度θ的改变而变化。具体为，当θ＝0
°
，15
°
，30
°
和45
°
时，相对振幅强度分别为4.5，3.8，3.1和2.1。由图3得出结论，相对振幅强度随旋转角度的增大而减小。通过改变铑纳米棒的旋转角度θ，能够实现吸收截面光谱曲线中振幅强度的高效调节。
[0017]以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于铑
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二氧化硅纳米复合结构的等离激元振幅调谐器，其特征在于，包括中心重合的介电材料(1)和贵金属材料(2)，所述介电材料(1)为二氧化硅纳米圆环，贵金属材料(2)为圆柱体的铑纳米棒，所述铑纳米棒转动设置于二氧化硅纳米圆环内部。2.根据权利要求1所述的基于铑
‑
二氧化硅纳米复合结构的等离激元...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦秀，张悦，孙诚，
申请(专利权)人：大连大学，
类型：发明
国别省市：