一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法技术

本发明专利技术公开了一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法，基于密勒效应产生负电容，与寄生电容对消，解决了目前电容测量领域中由于寄生电容导致测量范围受限和测量精度不高的问题。同时，能通过逻辑功能动态适应寄生环境变化导致寄生电容发生改变，解决了普通电路不能消去此类寄生电容影响的问题，从而提高电容测量的准确度和测量范围。本方法能广泛应用于电容传感器和触摸屏设计等领域中。于电容传感器和触摸屏设计等领域中。于电容传感器和触摸屏设计等领域中。

【技术实现步骤摘要】
一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法


[0001]本专利技术涉及电容测量方法，具体涉及一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法。

技术介绍

[0002]电容无论从使用种类还是使用数量来看，是使用非常频繁的电子元件。随着电子材料和工艺等方面的发展，一方面电容朝着大容量、高频率的方向发展，另一方面，由于设备小型化发展的要求，电容器的使用也越来越广，这就要求测量电路能适应这种不断发展的需要。
[0003]随着电容测量的准确度和速度要求越来越高，实际电路中一些不理想因素所产生误差占比越来越大，极大的影响了电容测量。在测量电容时，电路内部结构中，器件的微型化和连接线会带来寄生电容，有的寄生电容甚至和所测电容大小相当，恶化了检测结果。所以，在现代电容测量技术中，越来越多的方法应用到消除寄生电容上来，例如增加初始电容法、驱动电缆技术和整体屏蔽法。增加初始电容值的方法可以使寄生电容相对电容传感器的电容量减小，但是受到加工工艺和装配工艺、精度、示值范围、击穿电压等的限制。采用驱动电缆技术消除寄生电容，要在很宽的频带上严格去实现驱动放大器的放大倍数等于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法，其特征在于，包括：在待测量电容接入电容测量模块前，通过密勒效应产生一个负电容来对消等效输入寄生电容，然后再接入待测量电容进行电容测量。2.根据权利要求1所述的消除测量电路中寄生电容的电容测量方法，其特征在于，若所述电容测量模块检测得到的所述等效输入寄生电容大于设定阈值，则步进增大通过密勒效应产生的所述负电容的大小，直到满足条件后再接入待测量电容进行电容测量。3.根据权利要求1或2所述的消除测量电路中寄生电容的电容测量方法，其特征在于，每间隔t时间重新检测并对消所述等效输入寄生电容后，对所述待测量电容进行再次测量，实现自适应电容测量中寄生电容变化。4.根据权利要求1或2所述的消除测量电路中寄生电容的电容测量方法，其特征在于，所述电容测量模用于将电容大小转换为电学模拟量。5.根据权利要求1或2所述的消除测量电路中寄生电容的电容测量方...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建，杨逸凡，闵可，秦唐臻，
申请(专利权)人：南京矽志微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：