用于沉积工艺的导电掩模的接地制造技术

本公开内容的实施方式包括用于使沉积腔室中使用的阴影掩模电接地的方法和设备。在一个实施方式中，提供基板支撑件，并且基板支撑件包括：基板接收表面；以及多个可压缩的接地装置，所述多个可压缩的接地装置围绕基板接收表面的周边设置。多个接地装置中的每个包括：基部构件，所述基部构件被固定到基板支撑件；以及偏压组件，所述偏压组件能移动地设置在基部构件中。部构件中。部构件中。

【技术实现步骤摘要】
用于沉积工艺的导电掩模的接地
[0001]本申请是申请日为2016年5月11日、申请号为201680023770.5、专利技术名称为“用于沉积工艺的导电掩模的接地”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开内容的实施方式涉及用于使沉积工艺(诸如电子器件制造中使用的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺)中使用的导电阴影掩模接地的方法和设备。特定而言，本公开内容的实施方式涉及在有机发光二极管(OLED)显示装置制造中的封装工艺中使用的金属阴影掩模的电接地。

技术介绍

[0003]有机发光二极管(OLED)用于制造用于显示信息的电视屏幕、计算机显示屏、移动电话、其它手持装置等等。典型OLED可以包括位于两个电极之间的有机材料层，所述有机材料层全部以形成具有可单独激励的像素的矩阵显示面板的方式沉积在基板上。OLED一般放在两个玻璃面板之间，并且玻璃面板边缘被密封以将OLED封装在其中。
[0004]在制造此类显示装置时遇到许多挑战。在一些制造步骤中，将OLED材料封装在一个或多个层中以防止湿气损坏OLED材料。在这些工艺期间，利用一个或多个掩模来屏蔽基板不包括OLED材料的部分。为了控制沉积，掩模要相对于基板小心定位。这些工艺中利用的掩模通常是具有相对低的热膨胀系数的金属或金属合金。然而，在等离子体处理期间，掩模通常电浮动，并且电子倾向于积聚在掩模的表面上。电子积聚可能导致电气放电或电弧，这可能会损坏掩模。电弧也可能会导致掩模轻微变形，这可能会导致掩模相对于基板不对准。掩模的不对准可能会不利地影响沉积并且可阻止在基板上的一个或多个器件上的恰当沉积，从而使这些器件不可用。电弧也可能会产生不当的颗粒，这降低了器件产量。
[0005]因此，需要在OLED显示装置形成期间使掩模接地的方法和设备。

技术实现思路

[0006]本公开内容的实施方式包括用于使沉积腔室中使用的阴影掩模电接地的方法和设备。在一个实施方式中，提供基板支撑件，并且基板支撑件包括：基板接收表面；以及多个可压缩的接地装置，所述多个可压缩的接地装置围绕基板接收表面的周边设置。多个接地装置中的每个包括：基部构件，所述基部构件被固定到基板支撑件；以及偏压组件，所述偏压组件能移动地(movably)设置在基部构件中。
[0007]在另一实施方式中，提供基板支撑件，并且基板支撑件包括：基板接收表面；以及多个可压缩的接地装置，所述多个可压缩的接地装置沿着基板接收表面的周边而设置在凹入表面上。多个接地装置中的每个包括：基部构件，所述基部构件被固定到基板支撑件；以及偏压组件，所述偏压组件能移动地设置在基部构件中。
[0008]在另一实施方式中，提供基板支撑件，并且基板支撑件包括：基板接收表面；以及多个可压缩的接地装置，所述多个可压缩的接地装置围绕基板接收表面的周边设置。多个
接地装置中的每个包括：基部构件，所述基部构件围绕在基板支撑件的表面中的开口而固定到基板支撑件；销，所述销能移动地设置在基部构件中；顶盖，所述顶盖围绕销设置；多个偏压构件，所述多个偏压构件设置在顶盖与基部构件之间；以及一个或多个导电接线，所述一个或多个导电接线耦接在销与基板支撑件之间。
附图说明
[0009]因此，为了能够详细理解上述特征结构所用方式，可以参考实施方式获得上文所简要概述的本公开内容的更具体的描述，一些实施方式示出在附图中。然而，应当注意，附图仅示出了典型实施方式，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其它等效的实施方式。
[0010]图1是根据一个实施方式的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室的示意截面图。
[0011]图2是用于图1的PECVD腔室的腔室主体中的内部腔室部件的分解等距视图。
[0012]图3A是图1的基板支撑件的一部分的放大截面图侧视截面图。
[0013]图3B是图1或图2的掩模的框架的一部分的放大截面图，以及图1或图2的基板支撑件和阴影框架的一部分的放大截面图。
[0014]图4是可用于图1的腔室的接地装置的一个实施方式的俯视等距视图。
[0015]为了促进理解，已尽可能使用相同元件符号标示附图间共有的相同要素。应设想到，一个实施方式中公开的要素可有益地用于其它实施方式，而无需再赘述。
具体实施方式
[0016]本公开内容的实施方式包括用于使沉积腔室中使用的阴影掩模电接地的方法和设备。掩模可用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理腔室，PECVD处理腔室可操作以将掩模相对于基板对准，将掩模定位在基板上，并且将封装层沉积在形成于基板上的OLED材料上。本文中描述的实施方式可与其它类型的处理腔室一起使用，并且不限制为与PECVD处理腔室一起使用。本文中描述的实施方式可与其它类型的沉积工艺一起使用，并且不限制为用于封装形成在基板上的OLED。本文中描述的实施方式可与各种类型、形状和大小的掩模和基板一起使用。此外，可受益于本文中公开的掩模的合适腔室可从加利福尼亚州圣克拉拉市的AKT美国公司(AKT America，Inc.，Santa Clara，CA)获得，该公司是加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(Applied Materials，Inc.，Santa Clara，CA)的子公司。
[0017]图1是根据一个实施方式的PECVD腔室100的示意截面图。PECVD腔室100包括腔室主体102，腔室主体102具有开口104，开口穿过一个或多个壁以便允许一个或多个基板106和掩模108插入其中。基板106在处理期间设置在与扩散器112相对的基板支撑件110上。扩散器112具有穿过其形成的一个或多个开口114以允许处理气体进入扩散器112与基板106之间的处理空间116。
[0018]基板106可用于形成OLED显示器，其中OLED通过PECVD腔室100中的顺序沉积工艺形成在基板106的表面上。基板106可以是玻璃基板、聚合物基板或用于形成电子器件的其它合适材料。基板106可以是刚性或柔性的。基板106可用于形成单个显示器或多个显示器。每个显示器包括多个OLED，多个OLED耦接到围绕每个显示器的周边形成的电接触层。在制
造期间，每个显示器的OLED部分封装在一个或多个层中，以便保护OLED不受环境影响。这些层可以包含氮化硅、氧化铝和/或聚合物材料中的一种或它们的组合。封装材料可以通过PECVD工艺在PECVD腔室100中沉积。掩模108用于在封装材料沉积期间屏蔽OLED的电接触层。掩模108包括框架118和多个开放区域或狭槽121。每个狭槽121可根据每个显示器的OLED部分的大小来确定大小。封装材料穿过狭槽121沉积在每个显示器的OLED部分上。在每个狭槽121外和每个狭槽121之间的是条带120，条带120在封装工艺期间屏蔽电接触层。
[0019]一个或多个接地装置125可以用于将掩模108电耦接到基板支撑件110，基板支撑件110被耦接到接地电位。包括框架118和条带120的掩模108是由导电材料(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：基板接收表面；以及多个可压缩的接地装置，所述多个可压缩的接地装置设置在形成于所述基板支撑件中的相应开口内，所述开口围绕所述基板接收表面的周边定位，其中所述多个接地装置中的每个包括：基部构件，所述基部构件被固定到所述基板支撑件，以及偏压组件，所述偏压组件能移动地设置在所述基部构件中。2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述偏压组件包括顶盖。3.如权利要求2所述的基板支撑件，其中所述顶盖包含铝。4.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述偏压组件包括销。5.如权利要求4所述的基板支撑件，其中所述销包含铝。6.如权利要求4所述的基板支撑件，其中所述销包括倾斜表面。7.如权利要求6所述的基板支撑件，其中所述偏压组件包括顶盖。8.如权利要求7所述的基板支撑件，其中所述销的倾斜表面与所述顶盖的内表面的斜面是基本上相同的。9.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述偏压组件包括顶盖和销中的一者或两者。10.如权利要求9所述的基板支撑件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：河振晚，金载仲，郑镕拘，朴春熙，崔寿永，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：