用于有机电子元件的化合物、使用该化合物的有机电子元件及具有该有机电子元件的电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了新化合物、使用所述化合物的有机电子元件及具有所述有机电子元件的电子装置，所述新化合物能够改善元件的发光效率、稳定性和使用寿命。稳定性和使用寿命。稳定性和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机电子元件的化合物、使用该化合物的有机电子元件及具有该有机电子元件的电子装置


[0001]本专利技术涉及用于有机电子元件的化合物、使用所述化合物的有机电子元件及其电子装置。

技术介绍

[0002]通常，有机发光现象是指通过使用有机材料将电能转化为光能的现象。使用有机发光现象的有机电子元件通常具有包括阳极、阴极和插置在其间的有机材料层的结构。在此，为了增加有机电子元件的效率和稳定性，有机材料层通常由多层结构构成，所述多层结构由不同材料构成，并且例如可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。
[0003]用作有机电子元件中的有机材料层的材料可以根据其功能分为发光材料和电荷传输材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料等。
[0004]使用寿命和效率是有机电致发光装置的最大问题，并且随着显示器变得更大，必须解决效率和使用寿命的这些问题。效率、使用寿命和驱动电压彼此相关，并且当效率增加时，驱动电压相对降低，而随着驱动电压降低，由于驱动期间产生的焦耳加热导致的有机材料的结晶降低，因此使用寿命趋于增加。
[0005]然而，不能简单地通过改善有机材料层使效率最大化。这是因为，当各有机材料层之间的能级和T1值以及材料的固有性质(迁移率、界面性质等)被最佳地组合时，才可以同时实现长使用寿命和高效率。
[0006]此外，为了解决最近的有机电致发光装置中的空穴传输层中的发光问题，发光辅助层必须存在于空穴传输层与发光层之间，并且应该根据每种发光层(R、G、B)开发不同的发光辅助层。
[0007]通常，电子从电子传输层转移至发光层，并且空穴从空穴传输层转移至发光层，并且通过复合产生激子。
[0008]然而，由于用于空穴传输层的材料应具有低HOMO值，因此大多数具有低T1值。结果，在发光层中产生的激子转移至空穴传输层，导致发光层中的电荷不平衡，从而在空穴传输层界面处发光。
[0009]当在空穴传输层界面处发光时，有机电子元件的颜色纯度和效率降低，并且使用寿命缩短。因此，迫切需要开发具有高T1值并且具有在空穴传输层的HOMO能级与发光层的HOMO能级之间的HOMO能级的发光辅助层。
[0010]此外，需要开发空穴注入层材料，其延迟金属氧化物从阳极电极(ITO)向有机层的渗透和扩散(其是缩短有机电子元件的使用寿命的原因之一)，并且具有稳定的特性，即，高的玻璃化转变温度，甚至抵抗在装置驱动期间产生的焦耳加热。空穴传输层材料的低玻璃化转变温度具有在装置驱动期间降低薄膜表面的均匀性的特性，据报道这对装置使用寿命具有显著影响。此外，OLED装置主要通过沉积方法形成，并且需要开发能够经受长时间沉积
的材料，即，具有强耐热性的材料。
[0011]换而言之，为了完全展现有机电子元件的优异特性，应优先考虑由稳定且有效的材料胜任构成装置中的有机材料层的材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料、发光辅助层材料等，但对用于有机电子装置的稳定且有效的有机材料层材料的开发还未充分实现。因此，需要不断地开发新材料。
[0012]KR1020130076842 A用作参考的现有技术文献。

技术实现思路

[0013]为了解决上述
技术介绍
的问题，本专利技术公开了具有新结构的化合物，并且当将该化合物应用于有机电子元件时，已经发现可以显著改善装置的发光效率、稳定性和使用寿命。
[0014]因此，本专利技术的目的在于提供新化合物、使用所述化合物的有机电子元件及其电子装置。
[0015][技术方案][0016]本专利技术提供了由式1表示的化合物。
[0017]式1
[0018][0019]在另一方面，本专利技术提供了包含所述由式1表示的化合物的有机电子元件及其电子装置。
[0020][专利技术效果][0021]通过使用根据本专利技术的化合物，可以实现装置的高发光效率、低驱动电压和高耐热性，并且可以大幅改善装置的颜色纯度和使用寿命。
附图说明
[0022]图1至图3是根据本专利技术的有机电致发光装置的示例性视图。
[0023]图4示出了根据本专利技术的方面的式。
[0024]100、200、300：有机电子元件
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110：第一电极
[0025]120：空穴注入层
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130：空穴传输层
[0026]140：发光层
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150：电子传输层
[0027]160：电子注入层
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170：第二电极
[0028]180：光效率增强层
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210：缓冲层
[0029]220：发光辅助层
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320：第一空穴注入层
[0030]330：第一空穴传输层
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340：第一发光层
[0031]350：第一电子传输层
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360：第一电荷产生层
[0032]361：第二电荷产生层
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420：第二空穴注入层
[0033]430：第二空穴传输层
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440：第二发光层
[0034]450：第二电子传输层
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CGL：电荷产生层
[0035]ST1：第一堆叠体
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ST2：第二堆叠体
具体实施方式
[0036]在下文，将详细地描述本专利技术的一些实施方案。此外，在本专利技术的以下描述中，当在本文中并入已知功能和配置的详细描述可能使本专利技术的主题相当不清楚时，将省略该详细描述。
[0037]此外，当描述本专利技术的组件时，本文可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等术语。这些术语中的每一个不用于限定相应组件的实质、顺序或次序，而仅用于区分相应组件与其它组件。应注意，如果组件被描述为“连接”、“联接”或“连接”至另一个组件，则该组件可以直接连接或连接至其它组件，但在各组件之间可以“连接”、“联接”或“连接”另一个组件。
[0038]如说明书和所附权利要求书中使用，除非另外说明，否则以下是如下术语的含义。
[0039]除非另外说明，否则如本文使用的术语“卤代”或“卤素”包括氟、溴、氯或碘。
[0040]除非另外说明，否则如本文使用的术语“烷基”或“烷基基团”具有1个至60个碳原子的单键，并且意指饱和脂肪族官能团，包括直链烷基基团、支链烷基基团、环烷基基团(脂环族)、被烷基取代的环烷基基团或被环烷基取代的烷基基团。
[0041]除非另外说明，否则如本文使用的术语“烯基”或“炔基”具有2个至60个碳原子的双键或叁键，但不限于此，并且包括直链或支链基团。
[0042]除非另外说明，否则如本文使用的术语“环烷基”意指形成具有3个至60个碳原子的环的烷基，但不限于此。
[0043]除非另外说明，否则如本文使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.由式1表示的化合物：式1其中：1)X是O或S，2)a和b各自独立地是0或1，条件是a+b是1或大于1；3)Ar1和Ar2各自独立地选自C6‑
C
60
芳基基团；芴基基团；包含O、N、S、Si或P的至少一个杂原子的C2‑
C
60
杂环基团；以及C3‑
C
60
脂肪族环和C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团，4)L1、L2、L3、L4、L5和L6各自独立地选自单键；C6‑
C
60
亚芳基基团；亚芴基基团；包含O、N、S、Si或P的至少一个杂原子的C2‑
C
60
杂环基团；以及C3‑
C
60
脂肪族环和C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团，5)i)如果a是0，R1独立地选自氢；氘；氚；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；C6‑
C
60
芳氧基基团；C6‑
C
60
芳基基团；芴基基团；包含O、N、S、Si或P的至少一个杂原子的C2‑
C
60
杂芳基基团；C3‑
C
60
脂肪族环和C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团；或者R1和R2彼此键合以形成环，ii)当a是1，R1是Z；其中Z选自C6‑
C
60
亚芳基基团；亚芴基基团；包含O、N、S、Si或P的至少一个杂原子的C2‑
C
60
杂环基团；C3‑
C
60
脂肪族环和C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团；或者Z和R2可以彼此键合以形成环，6)R2独立地选自氢；氘；氚；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；C6‑
C
60
芳氧基基团；C6‑
C
60
芳基基团；芴基基团；包含O、N、S、Si或P的至少一个杂原子的C2‑
C
60
杂环基团；C3‑
C
60
脂肪族环和C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团，7)R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
和R
12
独立地选自氢；氘；氚；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；C6‑
C
60
芳氧基基团；C6‑
C
60
芳基基团；芴基基团；包含O、N、S、Si或P的至少一个杂原子的C2‑
C
60
杂环基团；C3‑
C
60
脂肪族环和C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团，或者其中如果m、n、o、p、q、r、s和t是2或大于2，多个R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
和R
12
各自相同或不同，或者多个R3或多个R4或多个R5或多个R6或多个R7或多个R
10
或多个R
11
或多个R
12
可以彼此键合以形成环，8)R5、R6、R7、R8、R9、R
10
、R
11
和R
12
可以彼此键合以形成环，然而，除非R5和R8或R9和R
12
彼此键合以形成环，9)m、n、o、p、q、r、s和t各自独立地是0至4的整数，
10)其中，所述芳基基团、所述亚芳基基团、所述杂环基团、所述芴基基团、所述亚芴基基团、所述稠环基团、所述烷基基团、所述烯基基团、所述炔基基团、所述烷氧基基团和所述芳氧基基团可以被一个或多个取代基取代，所述取代基选自氘；卤素；硅烷基团；硅氧烷基团；硼基团；锗基团；氰基基团；硝基基团；C1‑
C
20
烷硫基基团；C1‑
C
20
烷氧基基团；C1‑
C
20
烷基基团；C2‑
C
20
烯基基团；C2‑
C
20
炔基基团；C6‑
C
20
芳基基团；被氘取代的C6‑
C
20
芳基基团；芴基基团；C2‑
C
20
杂环基团；C3‑
C
20
环烷基基团；C7‑
C
20
芳基烷基基团；和C8‑
C
20
芳基烯基基团；此外，取代基可以彼此键合以形成饱和或不饱和环，其中术语“环”意指C3‑
C
60
脂肪族环或C6‑
C
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世训，李炯东，吴大焕，金元三，李善希，文成允，金正锡，
申请(专利权)人：德山新勒克斯有限公司，
类型：发明
国别省市：