半导体智慧线制造技术

本发明专利技术为一种半导体智慧线，是设置在第一半导体的输出特性表的汲源极压轴上，具有用闸极电压设定，指示输出特性表上源极电流应用限制的功能。制的功能。制的功能。

【技术实现步骤摘要】
半导体智慧线


[0001]本专利技术是关于一种半导体智慧线的
，特别是一种在第一半导体的输出特性表(Output Characteristics)上设定闸极电压，当流经第一半导体的源极电流超过半导体智慧线时，具有指示第一半导体的汲极与源极开路功能的电子


技术介绍

[0002]从1947年双极性晶体管(Bipolar Transistor)专利技术以来至今，在其半导体资料单(Data Sheet)上从未出现在数据单的输出特性表上有本专利技术半导体智慧线及有关本专利技术半导体智慧线的功能，因此本专利技术可称开创性专利技术。
[0003]如图1所示，请参阅中国台湾专利证书号专利技术第I692163号「直流电源短路保护装置」，其专利权人与本专利技术申请人是同一人；自图中可知，其包括第一半导体10及第二半导体电路；第二半导体电路包括第二半导体11，第一电阻12及第二电阻13，第—半导体10的源极S连接直流电源100的负电端及第二半导体11的源极S，第一半导体10的汲极D连接电路负电端V
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，第一半导体10的闸极G连接第二半导体11的汲极D；第二半导体11的汲极D连接第二电阻13的另一端，第二半导体11的源极S连接第—半导体10的源极S，第二半导体11的闸极G连接第一电阻12的—端，第一电阻12的另一端连接电路负电端V
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，第二电阻13的—端连接电路正电端V+第一半导体10为N通道金属氧化半导体场效晶体管，第二半导体11为N通道金属氧化半导体场效晶体管；直流电源100的正电端连接电路正电端V+，直流电源100的负电端连接第一半导体10的源极S及第二半导体11的源极S；电路正电端V+连接负载200的正电端，电路负电端V
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连接负载200的负电端；从其专利技术专利说明书中得知，其第一半导体10亦包括有图6中的第六半导体15，其为N型晶体管及图7中的第七半导体16，其为绝缘闸极双极晶体管；在此特别声明，本专利技术的第一半导体10包括有金属氧化半导体场效晶体管、绝缘闸极双极晶体管或N型晶体管；其现有技术的「直流电源短路保护装置」具有供一直流电源100在供电过程中提供负载200短路保护的功能。

技术实现思路

[0004]在图1及其现有技术的专利技术专利说明书中，并未提及以下第一半导体10有关的本专利技术半导体智慧线的建立与应用：
[0005]1.本专利技术半导体智慧线应用在N通道金属氧化半导体场效晶体管(NChannel Metal Semiconductor Field Effect Transistor,N Channel MOSFET)，具有用各种闸源极电压的设定，指示其相应的源极电流及其相对应的汲源极电压，当负载发生过载或短路时，因其超过相应的汲极电流与相对应的汲源极电压，则表示第一半导体的汲极与源极转变为开路，因此本专利技术半导体智慧线具有指示第一半导体的汲极(Drain)与源极(Source)开路的功能。
[0006]2.本专利技术半导体智慧线应用在绝缘闸极双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)具有用各种闸射极电压的设定，指示其相应的射极电流及其相对应的集
射极电压，当负载发生过载或短路时，因其超过相应的射极电流与相对应的集射极电压，则表示第一半导体的集极与射极转变为开路，因此本专利技术半导体智慧线具有指示第一半导体的集极(Collector)与射极(Emitter)开路的功能。
[0007]3.本专利技术半导体智慧线应用在N型晶体管(N Type Transistor)具有用各种基极电流的设定，指示其相应的集极电流及其相对应的集射极电压，当负载发生过载或短路时，因其超过相应的射极电流与相对应的集射极电压，则表示第一半导体的集极与射极转变为开路，因此本专利技术半导体智慧线具有指示第一半导体的集极(Collector)与射极(Emitter)开路的功能。
[0008]本专利技术的目的:
[0009]本专利技术应用在第—半导体，具有用闸源极电压设定，当负载发生过载或短路时，指示第—半导体的汲极与源极开路的功能。
[0010]本专利技术应用在第—半导体，具有用闸射极电压设定，当负载发生过载或短路时，指示第—半导体的集极与射极开路的功能。
[0011]本专利技术应用第—半导体，具有用基极电流设定，当负载发生过载或短路时，指示第一半导体的集极与射极开路的功能。
[0012]本专利技术有下列特征：
[0013]1.本专利技术半导体智慧线为世界首创，应用在金属氧化半导体场效晶体管，具有用闸源极电压设定，当负载发生过载或短路时，具有指示第一半导体的汲极与源极开路的功能。
[0014]2.本专利技术半导体智慧线为世界首创，应用在绝缘闸极双极晶体管，具有用闸射极电压设定，当负载发生过载或短路时，具有指示第一半导体的集极与射极开路的功能。
[0015]3.本专利技术半导体智慧线为世界首创，应用在N型晶体管，具有用基极电流设定，当负载发生过载或短路时，具有指示第一半导体的集极与射极开路的功能。
[0016]本专利技术所采用的具体技术，将通过以下的实施例及附呈图式作进一步的说明。
【附图说明】
[0017]图1为现有技术的直流电源短路保护装置的实施例。
[0018]图2本专利技术半导体智慧线的第一实施例。
[0019]图3本专利技术半导体智慧线的第二实施例。
[0020]图4本专利技术半导体智慧线的第三实施例。
[0021]主要组件符号说明：
[0022]VGS
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闸源极电压
[0023]VDS
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汲源极电压
[0024]ID
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汲极电流
[0025]VGE
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闸射极电压
[0026]VCE
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集射极电压
[0027]IC
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集极电流
[0028]IB
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基极电流
[0029]300
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半导体智慧线
【具体实施方式】
[0030]为充分了解本专利技术的目的、特征及功效，兹藉由下述具体的实施例，并配合所附的图式，对本专利技术做一详细说明，说明如后。
[0031]在本专利技术中，是使用「一」或「一个」来描述本文所述的单元、组件和组件。此举只是为了方便说明，并且对本专利技术的范畴提供一般性的意义。因此，除非很明显的另指他意，否则此种描述应理解为包括一个、至少一个，且单数也同时包括多个。
[0032]在本专利技术中，用语「包含」、「包括」、「具有」、「含有」或其他任何类似用语意欲涵盖非排他性的包括物。举例而言，含有多个要件的一组件、结构、制品或装置不仅限于本文所列出的此等要件而已，而是可以包括未明确列出但却是该组件、结构、制品或装置通常固有的其他要件。除此之外，除非有相反的明确说明，用语「本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体智慧线，具有指示在设定闸源极电压下，当汲极电流值超过所述半导体智慧线时第一半导体的汲极与源极开路的功能，其特征在于，所述半导体智慧线包含：所述半导体智慧线是设置在所述第一半导体的输出特性表的汲源极电压轴上；所述半导体智慧线垂直切过一个或二个以上的多个闸源极电压线；以及所述半导体智慧线与一个或二个以上的所述多个闸源极电压线交叉点横向平行交叉于所述输出特性表上的汲极电流轴。2.根据权利要求1所述的半导体智慧线，其特征在于，其中所述汲极电流轴上的所述汲极电流值具有指示所述汲极电流应用限制的功能。3.根据权利要求1所述的半导体智慧线，其特征在于，其中所述第一半导体是为N通道金属氧化半导体场效晶体管。4.一种半导体智慧线，具有指示在设定闸射极电压下，当集极电流值超过所述半导体智慧线时第一半导体的集极与射极开路的功能，其特征在于，所述半导体智慧线包含：所述半导体智慧线是设置在所述第一半导体的输出特性表的集射极电压轴上；所述半导体智慧线垂直切过一个或二个以上的多个闸射极电压线；以及所述半导体智慧线与一个或二个以上的所述多个闸射极电压线交叉点横向平行交叉于所述输出特性表上的集极电流轴。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：卢昭正，
申请(专利权)人：卢昭正，
类型：发明
国别省市：