发光器件、发光基板和发光装置制造方法及图纸

本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、发光基板和发光装置。可以使能量更高效地从主体材料向客体材料进行传递，提高发光效率。一种发光器件，包括：层叠的第一电极和第二电极；以及设置于第一电极和第二电极之间的发光层；所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；其中，所述主体材料包括：p型材料和n型材料，所述p型材料和所述n型材料之间形成激基复合物；且所述p型材料和所述n型材料之间满足：|HOMO

【技术实现步骤摘要】
发光器件、发光基板和发光装置


[0001]本公开涉及照明和显示
，尤其涉及一种发光器件、发光基板和发光装置。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)具有自发光、广视角、反应时间快、发光效率高、工作电压低、基板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式基板及制程简单等特性，被誉为下一代的“明星”显示技术。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于，提供一种发光器件、发光基板和发光装置。可以使能量更高效地从主体材料向客体材料进行传递，提高发光效率。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]一方面，提供一种发光器件，包括：层叠的第一电极和第二电极；以及设置于第一电极和第二电极之间的发光层；所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；其中，所述主体材料包括：p型材料和n型材料，所述p型材料和所述n型材料之间形成激基复合物；且所述p型材料和所述n型材料之间满足：
[0006]|HOMO
p型
‑
HOMO
n型
|≤0.2eV；
[0007]其中，HOMO
p型
表示所述p型材料的HOMO能级，HOMO
n型
表示所述n型材料的HOMO能级。
[0008]在一些实施例中，所述n型材料的HOMO能级低于所述p型材料的HOMO能级。
[0009]在一些实施例中，所述p型材料和所述n型材料之间满足：
[0010]|LUMO
n型
|
‑
|LUMO
p型
|≥0.2eV；
[0011]其中，LUMO
p型
表示所述p型材料的LUMO能级，LUMO
n型
表示所述n型材料的LUMO能级。
[0012]在一些实施例中，所述p型材料的质量和所述n型材料的质量之比大于或等于2:8小于或等于8:2。
[0013]在一些实施例中，所述p型材料的HOMO能级大于或等于
‑
5.8eV小于或等于
‑
5.3eV；所述n型材料的HOMO能级大于或等于
‑
6.0eV小于或等于
‑
5.5eV。
[0014]在一些实施例中，所述p型材料的LUMO能级大于或等于
‑
2.5eV小于或等于
‑
2.0eV；所述n型材料的LUMO能级大于或等于
‑
2.8eV小于或等于
‑
2.3eV。
[0015]在一些实施例中，所述激基复合物的归一化荧光发射光谱与所述n型材料的归一化荧光发射光谱之间具有交叠区域，所述交叠区域的积分面积大于或等于所述n型材料的归一化荧光发射光谱的积分面积的90％。
[0016]在一些实施例中，所述激基复合物的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长与所述n型材料的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长之间的差值的绝对值小于或等于5nm。
[0017]在一些实施例中，所述n型材料的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为480nm～520nm。
[0018]在一些实施例中，所述激基复合物的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为480nm～520nm。
[0019]在一些实施例中，所述p型材料的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为400nm～460nm。
[0020]在一些实施例中，所述p型材料的空穴迁移率与所述n型材料的电子迁移率之比大于或等于1:100，小于或等于100:1。
[0021]在一些实施例中，所述p型材料的空穴迁移率大于或等于1
×
10
‑8cm2/v
·
s小于或等于1
×
10
‑4cm2/v
·
s；所述n型材料的电子迁移率大于或等于1
×
10
‑8cm2/v
·
s小于或等于1
×
10
‑4cm2/v
·
s。
[0022]在一些实施例中，所述p型材料选自如下通式(a)和通式(b)所示化合物中的任一种；
[0023][0024]其中，R1、R2、R3和R4相同或不同，分别独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1～C
10
的烷基、取代或未取代的C6～C
30
的芳基，以及取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基中的任一种；L1选自单键、取代或未取代的C6～C
30
的亚芳基，以及取代或未取代的C2～C
30
的亚杂芳基中的任一种；Ar1和Ar2分别独立地选自取代或未取代的C6～C
30
的芳基，以及取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基中的任一种；m、n、i、j分别独立地为0、1或2。
[0025]在一些实施例中，所述n型材料选自如下通式(i)、通式(ii)和通式(iii)所示化合物中的任一种；
[0026][0027][0028]其中，X选自C(R)或N，X1和X2相同或不同，分别独立地选自NR、O、S和Se中的任一种；R5、R6和R相同或不同，分别独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1～C
10
的烷基、取代或未取代的C6～C
30
的芳基，以及取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基中的任一种；L3选自单键、取代或未取代的C6～C
30
的亚芳基，以及取代或未取代的C2～C
30
的亚杂芳基中的任一种。
[0029]在一些实施例中，还包括：设置于所述第一电极和所述发光层之间的电子阻挡层；所述p型材料和所述电子阻挡层的材料之间满足：
[0030]|HOMO
p型
|
‑
|HOMO
G
’
|≤0.3eV；
[0031]其中，HOMO
G
’
表示所述电子阻挡层的材料的HOMO能级。
[0032]在一些实施例中，还包括：设置于所述第二电极和所述发光层之间的空穴阻挡层；所述n型材料和所述空穴阻挡层的材料之间满足：
[0033]|LUMO
HB
|
‑
|LUMO
n型
|≤0.3eV；
[0034]其中，LUMO
HB
表示所述空穴阻挡层的材料的LUMO能级，LUMO
n型
表示n型材料的LUMO能级。
[0035]另一方面，提供一种发光基板，包括：衬底；以及设置于所述衬底上的多个发光器件；其中，至少一个发光器件为如上所述的发光器件。
[0036]又一方面，提供一种发光装置，包括：如上所述的发光基板。
[0037]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：层叠的第一电极和第二电极；以及设置于第一电极和第二电极之间的发光层；所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；其中，所述主体材料包括：p型材料和n型材料，所述p型材料和所述n型材料之间形成激基复合物；且所述p型材料和所述n型材料之间满足：|HOMO
p型
‑
HOMO
n型
|≤0.2eV；HOMO
p型
表示所述p型材料的HOMO能级，HOMO
n型
表示所述n型材料的HOMO能级。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述n型材料的HOMO能级低于所述p型材料的HOMO能级。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述p型材料和所述n型材料之间满足：|LUMO
n型
|
‑
|LUMO
p型
|≥0.2eV；其中，LUMO
p型
表示所述p型材料的LUMO能级，LUMO
n型
表示所述n型材料的LUMO能级。4.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述p型材料的质量和所述n型材料的质量之比大于或等于2:8小于或等于8:2。5.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述p型材料的HOMO能级大于或等于
‑
5.8eV小于或等于
‑
5.3eV；所述n型材料的HOMO能级大于或等于
‑
6.0eV小于或等于
‑
5.5eV。6.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述p型材料的LUMO能级大于或等于
‑
2.5eV小于或等于
‑
2.0eV；所述n型材料的LUMO能级大于或等于
‑
2.8eV小于或等于
‑
2.3eV。7.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述激基复合物的归一化荧光发射光谱与所述n型材料的归一化荧光发射光谱之间具有交叠区域，所述交叠区域的积分面积大于或等于所述n型材料的归一化荧光发射光谱的积分面积的90％。8.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述激基复合物的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长与所述n型材料的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长之间的差值的绝对值小于或等于5nm。9.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述n型材料的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为480nm～520nm。10.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述激基复合物的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为480nm～520nm。11.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述p型材料的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为400nm～460nm。12.根据权利要求1～3任一项所述的发光器件，其特征在于，所述p型材料的空穴迁移率与所述n型材料的电子迁移率之比大于或等于1:100，小于或等于100:1。13.根据权利要求12所述的发光器件，其特征在于，
所述p型材料的空穴迁移率大于或等于1
×
10
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘杨，孙玉倩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：