一种基板的清洗装置及清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基板的清洗装置，其包括：滚刷组件，所述滚刷组件包括用于清洗所述基板上侧面的上滚刷和用于清洗所述基板的下侧面的下滚刷；用于获取所述基板的厚度，并调节所述上滚刷和所述下滚刷之间的间隙的厚度检测组件。通过厚度检测组件可获取基板的厚度，并通过获取的基板的厚度调节上滚刷和下滚刷之间的间隙，从而适应不同厚度的基板，而且对于基板的厚度变化时也可实时调节，进而增大该基板的清洗装置的适用范围。此外，本发明专利技术还公开了一种基板的清洗方法。公开了一种基板的清洗方法。公开了一种基板的清洗方法。

【技术实现步骤摘要】
一种基板的清洗装置及清洗方法


[0001]本专利技术涉及光伏组件
，特别涉及一种基板的清洗装置及清洗方法。

技术介绍

[0002]光伏(PV or photovoltaic)，是太阳能光伏发电系统(photovoltaic power system)的简称，是一种利用太阳电池半导体材料的光伏效应，将太阳光辐射能直接转换为电能的一种新型发电系统。
[0003]其中，光伏玻璃是太阳能电池组件之一，太阳能组件以单晶硅或多晶硅电池为主，通过其将光能转换为电能，光伏玻璃用来封装硅片，目的可以提高其光的吸收性和广电的转换效率，是一种专项使用玻璃。
[0004]由于目前的太阳能电池组件需要设置在户外，用于接收并利用太阳能。但是，由于外界环境中存在大量的灰尘，而目前光伏电站较多使用硅基太阳电池组件，该组件对温度十分敏感，随灰尘在组件表面的积累，增大了光伏组件的传热热阻，成为光伏组件上的隔热层，影响其散热；此外，灰尘附着在电池板表面，会对光线产生遮挡、吸收和反射等作用，其中最主要是对光的遮挡作用。灰尘颗粒对光的反射吸收和遮挡作用，影响光伏电池板对光的吸收，从而影响光伏发电效率。
[0005]为了保证发电效率，需要对太阳能电池组件的玻璃基板进行清洗。但是，由于现有的清洗结构仅能够清洗玻璃基板的厚度相同，即为平板结构的玻璃基板，而对于厚度有变化或曲面(非标)的玻璃基板则无法清洗。
[0006]因此，如何对非标的玻璃基板进行清洗，是本
人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0007]有鉴于此，本专利技术提供了一种基板的清洗装置，对玻璃基板进行清洗。此外，本专利技术还提供了一种应用上述清洗装置的清洗方法。
[0008]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0009]一种基板的清洗装置，其包括：
[0010]滚刷组件，所述滚刷组件包括用于清洗所述基板上侧面的上滚刷和用于清洗所述基板的下侧面的下滚刷；
[0011]用于获取所述基板的厚度，并调节所述上滚刷和所述下滚刷之间的间隙的厚度检测组件。
[0012]优选的，上述的基板的清洗装置中，所述厚度检测装置为激光测距仪，并且与所述滚刷组件信号连接。
[0013]优选的，上述的基板的清洗装置中，所述激光测距仪为两个，分别为上激光测距仪和下激光测距仪，且所述上激光测距仪与所述上滚刷信号连接，所述下激光测距仪与所述下滚刷信号连接。
[0014]优选的，上述的基板的清洗装置中，所述上激光测距仪测量所述上滚刷到所述基
板的上侧面的距离d1，所述下激光测距仪测量所述下滚刷到所述基板的下侧面的距离d2，
[0015]所述基板的厚度为d3＝h
‑
d1
‑
d2，其中，h为所述上滚刷的中心轴到所述下滚刷的中心轴之间的距离。
[0016]优选的，上述的基板的清洗装置中，所述上滚刷和所述下滚刷均包括通过气压调节粗细的气压筒刷和用于调节所述气压筒刷内压力的气压调节装置，所述气压调节装置与所述激光测距仪信号连接。
[0017]优选的，上述的基板的清洗装置中，所述气压筒刷调节后的半径R1为：
[0018]R1＝(h
‑
d3)/2。
[0019]优选的，上述的基板的清洗装置中，所述气压调节装置的气浮压力y与所述气压筒刷的半径R1关系为：y＝0.034R1+0.49。
[0020]优选的，上述的基板的清洗装置中，还包括用于驱动所述上滚刷和所述下滚刷上下移动的驱动组件。
[0021]优选的，上述的基板的清洗装置中，还包括用于运输所述基板的输送轨道，所述输送轨道用于与所述基板的边缘接触支撑，所述滚刷组件位于所述输送轨道之间。
[0022]优选的，上述的基板的清洗装置中，还包括用于运输所述基板的输送组件，所述输送组件为沿输送方向布置的输送滚筒，所述滚刷组件位于所述输送滚筒中相邻的滚筒之间。
[0023]一种基板的清洗方法，其包括：
[0024]获取待清洗的基板的厚度；
[0025]根据获取的基板的厚度调节上滚刷和下滚刷之间的间隙。
[0026]优选的，上述的基板的清洗方法中，获取待清洗的基板的厚度具体包括：
[0027]确定上滚刷的中心轴线到下滚刷的中心轴线的距离h，并获取待清洗的基板的上侧面到上滚刷的距离d1，获取待清洗的基板的下侧面到下滚刷的距离d2，则所述待清洗的基板的厚度d3为：d3＝h
‑
d1
‑
d2。
[0028]优选的，上述的基板的清洗方法中，根据获取的基板的厚度调节上滚刷和下滚刷之间的间隙具体包括：
[0029]结合获取的待清洗的基板的厚度d3和上滚刷的中心轴线到下滚刷的中心轴线的距离h，且上滚刷和下滚刷关于基板对称布置且与基板接触时的半径R1为R1＝(h
‑
d3)/2。
[0030]本专利技术提供了一种基板的清洗装置，通过厚度检测组件可获取基板的厚度，并通过获取的基板的厚度调节上滚刷和下滚刷之间的间隙，从而适应不同厚度的基板，而且对于基板的厚度变化时也可实时调节，进而增大该基板的清洗装置的适用范围。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本专利技术实施例中公开的基板的清洗装置的结构示意图；
[0033]图2为本专利技术实施例中公开的基板的清洗装置的调节过程中的尺寸关系变化图；
[0034]图3为本专利技术实施例中公开的滚刷组件间隙调节的计算流程图；
[0035]其中，
[0036]1为上滚刷、2为下滚刷、3为上激光测距仪、4为下激光测距仪。
具体实施方式
[0037]本专利技术公开了一种基板的清洗装置，对玻璃基板进行清洗。此外，本专利技术还公开了一种应用上述清洗装置的清洗方法。
[0038]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
[0040]如图1所示，本专利技术公开了一种基板的清洗装置，具体包括滚刷组件和厚度检测组件。
[0041]具体的，滚刷组件包括用于清洗基板的上侧面的上滚刷1和用于清洗基板的下侧面的下滚刷2。而上述的厚度检测组件用于获取基板的厚度，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板的清洗装置，其特征在于，包括：滚刷组件，所述滚刷组件包括用于清洗所述基板上侧面的上滚刷和用于清洗所述基板的下侧面的下滚刷；用于获取所述基板的厚度，并调节所述上滚刷和所述下滚刷之间的间隙的厚度检测组件。2.根据权利要求1所述的基板的清洗装置，其特征在于，所述厚度检测装置为激光测距仪，并且与所述滚刷组件信号连接。3.根据权利要求2所述的基板的清洗装置，其特征在于，所述激光测距仪为两个，分别为上激光测距仪和下激光测距仪，且所述上激光测距仪与所述上滚刷信号连接，所述下激光测距仪与所述下滚刷信号连接。4.根据权利要求3所述的基板的清洗装置，其特征在于，所述上激光测距仪测量所述上滚刷到所述基板的上侧面的距离d1，所述下激光测距仪测量所述下滚刷到所述基板的下侧面的距离d2，所述基板的厚度为d3＝h
‑
d1
‑
d2，其中，h为所述上滚刷的中心轴到所述下滚刷的中心轴之间的距离。5.根据权利要求4所述的基板的清洗装置，其特征在于，所述上滚刷和所述下滚刷均包括通过气压调节粗细的气压筒刷和用于调节所述气压筒刷内压力的气压调节装置，所述气压调节装置与所述激光测距仪信号连接。6.根据权利要求5所述的基板的清洗装置，其特征在于，所述气压筒刷调节后的半径R1为：R1＝(h
‑
d3)/2。7.根据权利要求6所述的基板的清洗装置，其特征在于，所述气压调节装置的气浮压力y与所述气压筒刷的半径R1关系为：y＝0.034R1+0.49。...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵志国，李梦洁，赵东明，秦校军，冯笑丹，刘家梁，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：