一种缺陷结构的硅酸铁锂正极材料制造技术

本发明专利技术涉及锂离子电池技术领域，具体公开了一种缺陷结构的硅酸铁锂正极材料，所述正极材料包括包括硅酸铁锂和碳，所述碳对所述硅酸铁锂包覆；所述硅酸铁锂含有锂空位和铁过量缺陷，其中过量的铁占据锂的空位，并具有聚阴离子硅酸盐晶格结构，所述硅酸铁锂的化学式为[Li2‑

【技术实现步骤摘要】
一种缺陷结构的硅酸铁锂正极材料


[0001]本专利技术涉及锂离子电池
，具体是一种缺陷结构的硅酸铁锂正极材料。

技术介绍

[0002]随着人们对高比能锂离子电池需求的日益增加，寻找高能量密度的电池正极材料成为各国研究者的工作重点。近年来聚阴离子结构的硅酸盐材料如硅酸铁锂(Li2FeSiO4)由于其较高的能量密度而备受关注。理论上，Li2FeSiO4可以脱嵌两个锂离子，比容量高达330mAhg
‑1，是目前商业化正极材料的2倍，因而极具应用前景。
[0003]尽管Li2FeSiO4具有两电子反应的理论容量，然而大多数情况下研究者都只获得单电子反应的容量，这主要是由于Li2FeSiO4材料充放电的动力学极化严重，同时Fe3+/Fe4+电对的电位偏高，超出目前常规有机电解液的稳定电化学窗口。为了提高Li2FeSiO4材料的实际容量，研究者们设计了多种改进方案。中国专利(申请号： 201510061167.3，一种高倍率硅酸铁锂正极材料的制备方法)公布了制备纳米多孔硅酸铁锂的办法；中国专利(201410136971.9，类石墨烯掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缺陷结构的硅酸铁锂正极材料，其特征在于，所述正极材料包括包括硅酸铁锂和碳，所述碳对所述硅酸铁锂包覆；所述硅酸铁锂含有锂空位和铁过量缺陷，其中过量的铁占据锂的空位，并具有聚阴离子硅酸盐晶格结构，所述硅酸铁锂的化学式为[Li2‑
x
Fe
y
]
Li
[Fe]
Fe
SiO4。2.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪江锋，张金澍，蒋国强，吴晓明，缪世军，张晓，
申请(专利权)人：南通百川新材料有限公司江苏百川高科新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：