本发明专利技术公开了一种芯片弹坑检测过程中常温腐球的方法，所述方法包含以下步骤：1.配制氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液，溶液中氢氧化钾浓度为5～15％，乙二酸四乙胺浓度为1～3％。2.将芯片置于氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠混合溶液中，腐蚀时间为5～12min。3.将腐蚀后的芯片取出，清洗，氮气枪吹干。4.显微镜下观察弹坑情况。该方法具有腐蚀液不需要加热，腐球速度快，不破坏芯片硅层，操作简单方便的特点。的特点。
【技术实现步骤摘要】
一种芯片弹坑检测过程中常温腐球的方法
[0001]本专利技术属于电子元器件封装领域，涉及一种芯片弹坑检测过程中常温腐球的方法。
技术介绍
[0002]传统的芯片电极引线是采用金丝。由于金丝的价格昂贵，当前芯片的键合工艺逐步改用铜丝。由于铜丝与金丝的材料特性不同,在与芯片上的铝压点键合时，需要更大的超声功率和键合压力,容易对铝压点下的硅造成损伤形成弹坑, 进而影响芯片的质量和可靠性。对芯片封装企业而言，弹坑的检测是一个关键的质量控制点。
[0003]行业内传统的方法是采用氢氧化钾溶液来腐蚀铝压点、去除焊球(腐球)，然后再用显微镜进行弹坑检测。但该方法中氢氧化钾溶液需要加热至100℃左右,温度不易控制,耗时长,同时易破坏压点下硅结构，给弹坑的判断和分析带来不便。
[0004]因此,本专利技术开发了一种芯片弹坑检测过程中常温腐球的方法,以提高弹坑检测的效率和分析准确性。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供一种芯片弹坑检测过程中常温腐球的方法,以提高弹坑检测的效率和分析准确性。
[0006]一种芯片弹坑检测过程中常温腐球的方法包含以下步骤：
[0007]1.配制氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液，溶液中氢氧化钾浓度为 5～15％，乙二胺四乙酸二钠浓度为1～3％。
[0008]2.将芯片置于氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠混合溶液中，腐蚀时间为5～ 12min。
[0009]3.将腐蚀后的芯片取出，清洗，氮气枪吹干。
[0010]4.显微镜下观察弹坑情况。该方法具有腐球速度快，不破坏芯片硅层，腐蚀液温度低，操作简单方便的特点。
[0011]优选地，所述氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液中，氢氧化钾浓度为10％，乙二胺四乙酸二钠浓度为2％。
[0012]优选地，所述芯片在氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液中腐蚀8min。
[0013]本专利技术的有益效果体现在：本专利技术的方法中，采用的腐球试剂不是单一的氢氧化钾溶液，而是氢氧化钾与乙二胺四乙酸二钠的混合溶液。氢氧化钾和铝反应，首先生成铝离子，再生成四羟基合铝。溶液中的乙二胺四乙酸二钠能常温和铝离子反应，生成乙二胺四乙酸合铝的螯合物。氢氧化钠与乙二胺四乙酸二钠之间有协同作用，大大加快了铝腐蚀的反应速度。因此，本专利技术优选的腐蚀液中氢氧化钾浓度为10％，低于常见的20％；腐蚀液温度为常温，不需要加热，远低于常见的100℃；处理时间为8min，低于常见的10～20min。同时，由于腐蚀液不加热，不会对铝压点下的硅基材料产生破坏。因此，本专利技术采用的腐球方法,可以提高芯片弹坑检测的效率和分析准确性。
具体实施方式
[0014]以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。
[0015]需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域技术人员所理解的通常意义。
[0016]本专利技术各实施例中所用的芯片来自东莞市通科电子有限公司。其它试剂均购自国药集团化学试剂有限公司，试剂均为分析纯。实验用水为去离子水。
[0017]实施例1
[0018]将需要进行弹坑检测的芯片按以下步骤进行处理：
[0019]1.配制氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液，溶液中氢氧化钾浓度为 10％，乙二胺四乙酸二钠浓度为2％。
[0020]2.将芯片置于氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠混合溶液中，腐蚀时间为8min。
[0021]3.将腐蚀后的芯片取出，清洗，氮气枪吹干。
[0022]4.显微镜下观察弹坑情况。
[0023]处理得到的芯片标示为A。
[0024]实施例2
[0025]氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液中氢氧化钾浓度为5％，其它工艺与步骤同实施例1。
[0026]处理得到的芯片标示为B。
[0027]实施例3
[0028]氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液中氢氧化钾浓度为15％，其它工艺与步骤同实施例1。
[0029]处理得到的芯片标示为C。
[0030]实施例4
[0031]氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液中乙二胺四乙酸二钠浓度为1％，其它工艺与步骤同实施例1。
[0032]处理得到的芯片标示为D。
[0033]实施例5
[0034]氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液中乙二胺四乙酸二钠浓度为3％，其它工艺与步骤同实施例1。
[0035]处理得到的芯片标示为E。
[0036]实施例6
[0037]芯片置于氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠混合溶液中，腐蚀时间为5min,其它工艺与步骤同实施例1。
[0038]处理得到的芯片标示为F。
[0039]实施例7
[0040]芯片置于氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠混合溶液中，腐蚀时间为12min, 其它工艺与步骤同实施例1。
[0041]处理得到的芯片标示为G。
[0042]弹坑检测的芯片经处理后，光学显微镜下观察铝压点的去除和压点下硅基材的情况，结果如附表1。
[0043]表1芯片处理后的镜检结果
[0044][0045]本专利技术的方法中，采用了氢氧化钾与乙二胺四乙酸二钠的混合溶液作腐蚀液。在氢氧化钾和铝反应的同时，溶液中的乙二胺四乙酸二钠能和铝离子反应，生成乙二胺四乙酸合铝的螯合物。氢氧化钠与乙二胺四乙酸二钠之间有协同作用，大大加快了铝腐蚀的反应速度。同时，由于腐蚀液不加热，不会对铝压点下的硅基材料产生破坏。因此，本专利技术采用的腐球方法,可以提高芯片弹坑检测的效率和分析准确性。
[0046]以上所述内容仅为本专利技术构思下的基本说明，而依据本专利技术的技术方案所作的任何等效变换，均应属于本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片弹坑检测过程中常温腐球的方法，其特征在于包括以下步骤：(1).配制氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠的混合溶液，溶液中氢氧化钾浓度为5～15％，乙二胺四乙酸二钠浓度为1～3％。(2).将芯片置于氢氧化钾和乙二胺四乙酸二钠混合溶液中，腐蚀时间为5～12min。(3).将腐蚀后的芯片取出，清洗，氮气枪吹干。(4).显微镜下观察...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟平权，郭晓明，王焦，
申请(专利权)人：东莞市通科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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