一种采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法技术

本发明专利技术公开了一种采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，首先在等离子体处理后的柔性基底上镀覆一对金属电极，并在该金属电极表面沉积氧化物纳米线材料，使得该纳米线材料与金属电极的两端相连接；其次在激光功率50

【技术实现步骤摘要】
一种采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法


[0001]本专利技术属于忆阻器的制备领域，尤其涉及一种采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法。

技术介绍

[0002]柔性电子器件在电子皮肤、可穿戴设备等领域应用广泛，是未来功能化集成电子发展的重要方向。具有记忆功能的非线性忆阻器，其阻值能够随流经的电荷量发生变化，并在断电后保持这种变化的状态，是模拟神经突触的理想器件。为了更好地实现柔性忆阻器的功能，不仅需要每个器件在弯曲状态下可工作，还需要在拉伸的状态下仍然保持稳定的性能。氧化物纳米线材料具有可控的氧离子缺陷态，其费米能级和电阻可以通过氧缺陷态含量进行调控，是发展高性能柔性忆阻器的理想材料。
[0003]然而，由于柔性忆阻器制备过程中涉及纳米线与金属电极的连接，二者在原子结构、热胀系数等理化性质方面的差异使得连接十分困难。传统的热压、超声等键合工艺都会产生摩擦或分解，在键合区域发生形状和结构成分的变化，使得柔性器件性能损坏。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：本专利技术的目的是提供一种能够使得纳米线与电极形成牢固机械和电学接触，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)对柔性基底的表面进行等离子体处理10
‑
60s，该等离子体处理的刻蚀气体中包括氢气；(2)在等离子体处理后的柔性基底上镀覆一对金属电极，并在该金属电极表面沉积氧化物纳米线材料，使得该纳米线材料与金属电极的两端相连接；(3)在激光功率50
‑
200mW、激光光束直径1
‑
5μm、激光重复频率50
‑
100MHz条件下，对纳米线材料和金属电极的连接处实施激光焊接，制得忆阻器。2.根据权利要求1所述采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述柔性衬底为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯。3.根据权利要求1所述采用激光焊接制备柔性忆阻器的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述等离子体处理的温度为15
‑
30℃，等离子源功率为100
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵波，刘菁，张建，
申请(专利权)人：苏师大半导体材料与设备研究院邳州有限公司，
类型：发明
国别省市：