用于形成集成电感电容振荡器的技术及相关方法、振荡器、半导体器件、片上系统和其他系统技术方案

本发明专利技术提供了一种片上系统，该片上系统可以包括电感电容振荡器，该电感电容振荡器单片集成到该片上系统中。与电阻电容振荡器相比，该电感电容振荡器可以被配置为提高频率稳定性并降低噪声。制造集成振荡器的方法可以涉及在衬底上形成BEOL结构的同时，至少部分地形成电感器。在形成该BEOL结构之前或同时，可以形成电容器，该电容器支撑在该衬底的该半导体材料上和/或嵌入该衬底的该半导体材料内。可以至少部分地利用该BEOL结构将该电感器并联连接到该电容器，以形成集成电感电容振荡器。以形成集成电感电容振荡器。以形成集成电感电容振荡器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成集成电感电容振荡器的技术及相关方法、振荡器、半导体器件、片上系统和其他系统
[0001]优先权声明
[0002]本申请要求于2020年1月15日提交的美国临时专利申请序列号62/961,635的申请日的权益，其公开内容全文以引用方式并入本文。


[0003]本公开整体涉及用于形成集成和/或内部电感电容振荡器的技术以及相关方法、电感电容振荡器、半导体器件、片上系统和系统。更具体地，所公开的实施方案涉及用于形成集成和/或内部电感电容振荡器的技术，该技术可以提高电感电容振荡器的准确性和可靠性，减少制造电感电容振荡器的额外处理动作的数量，并且提高对依赖于准确定时的模块采用片上系统方法的能力。

技术介绍

[0004]在专利技术人已知的常规集成电路(IC)中，使用单片构建在硅衬底上的晶体管和连接到晶体管的金属(通常为铝或铜)线来形成具有多个互连晶体管的全功能器件。除了晶体管之外，还可以将传统上设置在印刷电路板(PCB)上的其他部件单片构建到同一硅衬底上。这种配置在本领域中有时称为“片上系统”(SoC)。使用专利技术人已知的技术形成电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种片上系统，包括：电感电容振荡器，所述电感电容振荡器单片集成到所述片上系统中，其中所述电感电容振荡器的电感器的至少一部分是所述片上系统的后道工序(BEOL)结构的一部分。2.根据权利要求1所述的片上系统，其中所述电感器包括线圈的部分以及上层区域和下层区域，所述线圈的所述部分在两个相邻层内，所述两个相邻层支撑在所述片上系统的半导体衬底上，所述上层区域和所述下层区域互连所述线圈的所述部分，所述上层区域位于所述两个相邻层中的一个内，所述下层区域位于所述两个相邻层中的另一个内。3.根据权利要求1所述的片上系统，其中所述电感电容振荡器的电容器的至少一部分是所述片上系统的所述BEOL结构的一部分。4.根据权利要求3所述的片上系统，其中所述电容器的第二极板位于第二层内，所述第二层支撑在所述片上系统的半导体衬底上，所述电容器的第一极板位于第一底层内，所述第一底层支撑在所述半导体衬底上，并且所述电容器的介电材料位于所述第一极板和所述第二极板之间。5.根据权利要求4所述的片上系统，其中从所述第二极板的面向所述第一极板的表面到所述第二极板的横向侧表面的过渡是圆形的。6.根据权利要求4所述的片上系统，其中所述介电材料在所述第二极板与所述第一极板之间横向延伸，并且沿所述第二极板的周边的一部分纵向延伸，使得所述介电材料至少基本上形成杯形。7.根据权利要求4所述的片上系统，其中所述第二极板包括第一接合焊盘，所述第一接合焊盘形成在所述BEOL结构中。8.根据权利要求7所述的片上系统，其中与所述第一极板的电连接包括第二接合焊盘，所述第二接合焊盘形成在所述BEOL结构中。9.根据权利要求4所述的片上系统，其中所述第二极板包括铜或铜合金材料，并且所述第一极板包括铝或铝合金材料。10.根据权利要求1所述的片上系统，其中所述电感电容振荡器的电容器是多晶硅
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氧化物
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多晶硅(POP)电容器。11.根据权利要求1至10中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：冷耀俭，
申请(专利权)人：微芯片技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：