连接结构体及连接结构体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种连接结构体，其具备：第一电路部件，具有多个第一电极；第二电路部件，具有多个第二电极；以及中间层，具有多个将所述第一电极与所述第二电极电连接的接合部，由所述接合部连接的所述第一电极及所述第二电极的至少一者为金电极，多个所述接合部中的90％以上包括：第一区域，连结所述第一电极与所述第二电极且含有锡金合金；以及第二区域，与所述第一区域接触且含有铋。述第一区域接触且含有铋。述第一区域接触且含有铋。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】连接结构体及连接结构体的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种连接结构体及连接结构体的制造方法。

技术介绍

[0002]搭载于电子设备的半导体芯片在通过打线接合或使用焊球的球栅阵列(BGA)连接等安装于电路基板上之后，由绝缘性树脂材料来密封，并用作称为半导体封装的功能积集体。尤其，BGA连接由于能够缩小电极之间的间距，因此有助于半导体封装的小型化(专利文献1)。
[0003]近年来，针对智能电话或平板电脑之类的小型且高功能产品，正在推行半导体封装的短小、薄型及高功能化，若连接的电极数量增加，则电极之间的间距变窄。在半导体封装的1次连接侧，为了实现100μm以下的窄间距连接而使用在铜柱的前端层叠焊锡的带焊锡的Cu柱结构(专利文献2)。
[0004]并且，从环境性能的观点考虑，自2000年代以来使用在锡中添加了银或铜的无铅焊锡，并通过260℃前后的回焊温度来安装。然而，在作为金属、玻璃、树脂等复合体的半导体封装中，存在由于260℃的回焊引起的热历程，各材料的热膨胀率不同，而应力施加于安装部(焊接部分)并产生破坏的课题。并且，在26本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种连接结构体，其具备：第一电路部件，具有多个第一电极；第二电路部件，具有多个第二电极；以及中间层，具有多个电连接所述第一电极与所述第二电极的接合部，由所述接合部连接的所述第一电极及所述第二电极的至少一者为金电极，多个所述接合部中的90％以上包括：第一区域，连结所述第一电极与所述第二电极且含有锡金合金；以及第二区域，与所述第一区域接触且含有铋。2.根据权利要求1所述的连接结构体，其中，所述中间层还具有密封所述第一电路部件与所述第二电路部件之间的绝缘性树脂层。3.一种连接结构体的制造方法，其包括：准备工序，准备具有多个第一电极的第一电路部件、具有多个第二电极的第二电路部件、及各向异性导电膜；配置工序，将所述第一电路部件、所述第二电路部件及所述各向异性导电膜以所述第一电路部件的具有所述第一电极的面与所述第二电路部件的具有所述第二电极的面隔着所述各向异性导电膜对置的方式配置，从而得到依次层叠有所述第一电路部件、所述各向异性导电膜及所述第二电路部件的层叠体；以及连接工序，将所述层叠体在沿其厚度方向按压的状态下进行加热，由此将所述第一电极与所述第二电极经由接合部而电连接，所述第一电极及所述第二电极的至少一者为金电极，所述各向异性导电膜包括由绝缘性树脂组合物构成的绝缘性膜和配置在所述绝缘性膜中的多个焊锡粒子，所述焊锡粒子含有锡
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【专利技术属性】
技术研发人员：赤井邦彦，宫地胜将，欠畑纯一，江尻芳则，森谷敏光，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：