实现同步数字序列ＴＵ３／ＴＵ１２／ＴＵ１１混合低阶交叉的方法和系统技术方案

一种实现同步数字序列ＴＵ３／ＴＵ１２／ＴＵ１１混合低阶交叉的方法和系统结构，用２Ｘ２５８字节数据ＲＡＭ存放数据，用２Ｘ９０字节的ＲＡＭ存放控制字。控制矩阵ＲＡＭ的地址安排是，用０－８３ＲＡＭ地址来存放２５２个字节ＴＵ１２／ＴＵ１１的控制字和后面２５２个字节ＴＵ３的控制字，前面６个字节ＴＵ３的控制字存放在ＲＡＭ的８４－８９地址。利用构成交叉模块的每一个ＶＣ４产生３个所述控制矩阵ＲＡＭ的读地址，分别对应ＴＵ３、ＴＵ１２和ＴＵ１１，并根据不同的输出业务类型，选择一个地址作为控制矩阵ＲＡＭ的读地址，读出控制字。所述方法和系统结构相比现有技术可以节省近三分之二的控制矩阵ＲＡＭ，ＣＰＵ的读写次数也降低了三分之二。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种实现同步数字序列ＴＵ３／ＴＵ１２／ＴＵ１１混合低阶交叉的方法，其特征在于：用２Ｘ２５８字节数据ＲＡＭ存放数据，用２Ｘ９０字节的ＲＡＭ存放控制字。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘剑侠，孙一翎，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]