用于制造半导体器件的设备制造技术

一种用于制造半导体器件的设备。该设备包括成膜装置(53)、第一检测器(55)和第二检测器(56)。成膜装置形成用于埋封布置在半导体装置中的衬底(100)处的沟槽的埋封层。第一检测器检测衬底的设置有沟槽的第一区域(102)的状态。第二检测器检测衬底的第二区域(103)的状态，第二区域布置在第一区域的外部。成膜装置基于与第一区域的状态对应的第一检测结果和与第二区域的状态对应的第二检测结果之间的差小于或等于阈值的条件，结束埋封层的成膜。结束埋封层的成膜。结束埋封层的成膜。

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的设备


[0001]本公开涉及一种用于制造半导体器件的设备。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造中，在衬底上形成的沟槽被埋封。在沟槽的埋封中，为了精确地执行后续处理例如离子注入，可能希望沟槽埋封后的衬底表面具有不规则很少的平坦形状。为了缩短半导体器件制造中的处理时间，可能希望在沟槽埋封完成后尽早结束埋封层的成膜过程。为了使衬底表面平坦并缩短处理时间，可能需要以更高的精度检测埋封的结束。
[0003]在用于沟槽埋封的外延膜生长期间，可通过高温计检测外延膜的表面温度，并且可基于高温计的输出电平无变化来检测埋封的结束，如例如JP2007
‑
96137A中所述。

技术实现思路

[0004]然而，JP 2007
‑
96137A中描述的上述方法可能无法定量检测高温计输出电平没有改变的时间。
[0005]作为检测高温计的输出电平没有改变的方法，例如，可以基于小于或等于阈值的输出电平的变化量已经经过预定时间的条件来确定高温计的输出电平没有改变。在这种方法中，即使输出电平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的设备，所述设备包括：成膜装置(53)，其配置为用于形成用于埋封沟槽(101)的埋封层(104)，所述沟槽布置在所述半导体器件中的衬底(100)处；第一检测器(55，57)，其配置为用于检测所述衬底的布置有所述沟槽的第一区域(102)的状态；和第二检测器(56，57)，其配置为用于检测所述衬底的第二区域的状态，所述第二区域布置在所述第一区域的外部，其中，所述成膜装置进一步配置为用于基于与所述第一区域的状态相对应的第一检测结果和与所述第二区域的状态相对应的第二检测结果之间的差小于或等于阈值的条件来结束所述埋封层的成膜。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一检测器进一步配置为用于检测所述第一区域的温度作为第一检测温度，其中，所述第二检测器进一步配置为用于检测所述第二区域的温度作为第二检测温度，以及其中，所述成膜装置进一步配置为用于基于所述第一检测温度和所述第二检测温度之间的差小于或等于所述阈值的条件来结束所述埋封层的成膜。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第二区域包括所述衬底的中心部分。4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一检测器包括配置为用于拍摄所述第一区域的图像的图像传感器，以及其中，所述第二检测器包括配置为用于拍摄所述第二区域的图像的图像传感器。5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述成膜装置进一步配置为用于基于所述第一区域的所述图像的灰度与所述第二区域的所述图像的灰度之间的差小于或等于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤林裕明，小出雄也，森博隆，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：