一种容性负载电路的启动电路制造技术

本申请提供了一种容性负载电路的启动电路，包括：所述第一MOS管的源极接地，第一MOS管的漏极连接电阻的一端、第一电容的一端和比较器的反向输入端，第一MOS管的栅极分别连接第一开关的一端和第二开关的一端，第二开关的另一端接地，第一开关的另一端连接电压，电阻的另一端分别连接第三开关的一端和第四开关的一端，第四开关的另一端连接电源电压端，第三开关的另一端连接电流源的一端，电流源的另一端连接电源电压端，第一电容的另一端接地，比较器的同相输入端连接参考电位，比较器的输出端连接与门电路的输入端。启动电路时不需要启动时间。动时间。动时间。

【技术实现步骤摘要】
一种容性负载电路的启动电路


[0001]本申请属于电子
，尤其涉及一种容性负载电路的启动电路。

技术介绍

[0002]图1为传统的输出端接容性负载的电路，其中OPA电路可以是差大放大器、级联放大器、推挽式放大器等各种放大器电路或开关电容电路等，为使输出信号具有较高的电压霸服，当该电路工作时输出端的直流电位通常处于中间电位，而不工作时，输出端的直流电位通常会接最高电位或是最低电位。
[0003]典型的容性负载电路的启动电路，当启动电路从不工作切换至工作状态时，需要对容性负载进行充或放电，以使得输出端的直流电位处于中间电位，这需要等待一段时间，时间长短取决于电容大小和充放电电流的大小。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种容性负载电路的启动电路，旨在解决电路启动时需要时间进行等待的问题。
[0005]本申请提供了一种容性负载电路的启动电路，包括：电阻R
D
、第一电容C1、第一开关L1、第二开关L2、第三开关L3、第四开关L4、比较器OPA、与门电路和第一MOS管M1；所述第一MOS管M1的源极接地，第一MOS管M1的漏极连接电阻R
D
的一端、第一电容C1的一端和比较器OPA的反向输入端，第一MOS管M1的栅极分别连接第一开关L1的一端和第二开关L2的一端，第二开关L2的另一端接地，第一开关L1的另一端连接电压V
B
，电阻R
D
的另一端分别连接第三开关L3的一端和第四开关L4的一端，第四开关L4的另一端连接电源电压端VDD，第三开关L3的另一端连接电流源Ir的一端，电流源Ir的另一端连接电源电压端VDD，第一电容C1的另一端接地，比较器OPA的同相输入端连接参考电位Vr，比较器OPA的输出端连接与门电路的输入端。
[0006]进一步地，所述第三开关L3的导通或断开由与门电路的输出端输出的电位信号控制。
[0007]进一步地，所述第一开关L1、所述第三开关L3和所述第四开关L4都在高电平导通，在低电平断开。
[0008]进一步地，所述第二开关L2在低电平导通，在高电平断开。
[0009]进一步地，所述电流源电路包括：第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4和第五MOS管M5；
[0010]进一步地，所述电流源电路包括：第二MOS管M2和第三MOS管M3，所述第二MOS管M2的栅极连接第二MOS管M2的漏极、第三MOS管M3的栅极和电流Ii，第二MOS管M2的源极接地，所述第三MOS管M3的源极接地，第三MOS管M3的漏极连接第三开关L3的另一端。
[0011]所述第二MOS管M2的栅极连接第二MOS管M2的漏极、第三MOS管M3的栅极和第四MOS管M4的源极，第二MOS管M2的源极接地，所述第三MOS管M3的源极接地，第三MOS管M3的漏极
连接第五MOS管M5的源极，所述第四MOS管M4的漏极分别连接第四MOS管M4的栅极、第五MOS管M5的栅极和电流Ii，第五MOS管的漏极连接第三开关L3的另一端。
[0012]进一步地，所述电流源电路包括：第二MOS管M2、第三MOS管M3和第五MOS管M5；
[0013]所述第二MOS管M2的栅极连接第三MOS管M3的栅极、第三MOS管M3的漏极和第五MOS管M5的源极，第二MOS管M2的源极接地，第二MOS管M2的漏极连接第五MOS管M5的栅极，所述第三MOS管M3的源极接地，第五MOS管的漏极连接第三开关L3的另一端。
[0014]在本申请中，接入电流源Ir，使得输出端的电位处于中间电位，启动时几乎不需要时间，在放电过程中电流源Ir断开，用不产生电路功耗。
附图说明
[0015]图1是本申请提供的现有的一种容性负载电路图。
[0016]图2是本申请一实施例提供的一种容性负载电路的启动电路图。
[0017]图3是本申请另一实施例提供的一种容性负载电路的启动电路图。
[0018]图4是本申请一实施例提供的电流源电路图。
具体实施方式
[0019]为了使本申请的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0020]为了说明本申请所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0021]请参阅图2，本申请一实施例提供了一种容性负载电路的启动电路，包括：电阻R
D
、第一电容C1、第一开关L1、第二开关L2、第三开关L3、第四开关L4、比较器OPA、与门电路和第一MOS管M1；所述第一MOS管M1的源极接地，第一MOS管M1的漏极连接电阻R
D
的一端、第一电容C1的一端和比较器OPA的反向输入端，第一MOS管M1的栅极分别连接第一开关L1的一端和第二开关L2的一端，第二开关L2的另一端接地，第一开关L1的另一端连接电压V
B
，电阻R
D
的另一端分别连接第三开关L3的一端和第四开关L4的一端，第四开关L4的另一端连接电源电压端VDD，第三开关L3的另一端连接电流源Ir的一端，电流源Ir的另一端连接电源电压端VDD，第一电容C1的另一端接地，比较器OPA的同相输入端连接参考电位Vr，比较器OPA的输出端连接与门电路的输入端。
[0022]当电路不工作时负载电容开始缓慢放电，在这个过程中电流源Ir断开，不产生功耗。当节点P
L
处的电压下降至小于参考电压Vr时，比较器输出端通过与门电路输出的控制信号g为1，从而开启电流源Ir对负载电容C1进行充电，直至P
L
处的电压恢复至直流工作点电压。
[0023]电流源Ir只在电路不工作并且P
L
处的电压下降至小于参考电压Vr时才会开启。
[0024]请参阅图3，可知各开关的导通情况。
[0025]在本申请一实施例中，所述第三开关L3的导通或断开由与门电路的输出端输出的电位信号控制。
[0026]在本申请一实施例中，所述第一开关L1、所述第三开关L3和所述第四开关L4都在高电平导通，在低电平断开。
[0027]在本申请一实施例中，所述第二开关L2在低电平导通，在高电平断开。
[0028]在本申请一实施例中，所述电流源Ir可以为电流源电路。
[0029]请参阅图4，a为单管电流源、b为cascode电流源，c为威尔逊电流。也可将电路稍加修改，将NMOS管改为PMOS管。
[0030]在电流源第二电阻Rr为电阻R
D
的9倍时，电流源Ir只需正常工作电流的十分之一。
[0031]在本申请一实施例中，所述电流源电路包括：第二MOS管M2和第三MOS管M3，所述第二MOS管M2的栅极连接第二MOS管M2的漏极、第三MOS管M3的栅极和电流Ii，第二MOS管M2的源极接地，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种容性负载电路的启动电路，其特征在于，包括：电阻R
D
、第一电容C1、第一开关L1、第二开关L2、第三开关L3、第四开关L4、比较器OPA、与门电路和第一MOS管M1；所述第一MOS管M1的源极接地，第一MOS管M1的漏极连接电阻R
D
的一端、第一电容C1的一端和比较器OPA的反向输入端，第一MOS管M1的栅极分别连接第一开关L1的一端和第二开关L2的一端，第二开关L2的另一端接地，第一开关L1的另一端连接电压V
B
，电阻R
D
的另一端分别连接第三开关L3的一端和第四开关L4的一端，第四开关L4的另一端连接电源电压端VDD，第三开关L3的另一端连接电流源Ir的一端，电流源Ir的另一端连接电源电压端VDD，第一电容C1的另一端接地，比较器OPA的同相输入端连接参考电位Vr，比较器OPA的输出端连接与门电路的输入端。2.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述第三开关L3的导通或断开由与门电路的输出端输出的电位信号控制。3.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述第一开关L1、所述第三开关L3和所述第四开关L4都在高电平导通，在低电平断开。4.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述第二开关L2在低电平导通，在高电平断开。5.如权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述电流源Ir为电流源电路。6.如权利要求5所述的启动电路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张烨，涂原，刘宇，
申请(专利权)人：广州盛骐微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：