本实用新型专利技术涉及一种超低能重离子束流测量装置，其包括：靶室，安装在EBIS平台上；束流强度测量结构，设置在所述靶室顶部，其测量端位于所述靶室内对束流强度进行测量；束流光斑测量结构，设置在所述靶室的一侧，与所述束流强度测量结构呈垂直设置，其测量端位于所述靶室内对束流光斑进行测量。本实用新型专利技术能有效克服平台故障率的上升和运行效率降低的问题，可以广泛在加速器束流诊断测量技术领域中。以广泛在加速器束流诊断测量技术领域中。以广泛在加速器束流诊断测量技术领域中。
【技术实现步骤摘要】
一种超低能重离子束流测量装置
[0001]本技术涉及一种加速器束流诊断测量
，特别是关于一种超低能重离子束流测量装置。
技术介绍
[0002]EBIS(电子束离子源)平台可以提供更低的离子加速电压和更高的电荷态离子，能满足相关科研领域所需的极端物理实验条件。在生物学，原子物理，材料科学，等离子物理，天文学等方面有着广阔的应用前景。EBIS平台在束流强度、高电荷态、束流稳定性等方面表现突出，但平台引出系统及束流诊断系统还存在改进的方面：平台离子束引出后，并不能测量束流强度和束流光斑；平台与实验终端之间存在着较大的真空压强差，导致平台故障率的上升和运行效率的降低。
技术实现思路
[0003]针对上述问题，本技术的目的是提供一种超低能重离子束流测量装置，其能有效克服平台故障率的上升和运行效率降低的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术采取以下技术方案：一种超低能重离子束流测量装置，其包括：靶室，安装在EBIS平台上；束流强度测量结构，设置在所述靶室顶部，其测量端位于所述靶室内对束流强度进行测量；束流光斑测量结构，设置在所述靶室的一侧，与所述束流强度测量结构呈垂直设置，其测量端位于所述靶室内对束流光斑进行测量。
[0005]进一步，所述靶室上设置有连接管，通过所述连接管与所述束流强度测量结构和所述束流光斑测量结构连接。
[0006]进一步，所述束流强度测量结构包括法拉第筒、传输通道、第一连接支撑架和连接柱；所述法拉第筒作为测量端位于所述靶室内，所述法拉第筒的端部与所述传输通道的第一端连接，所述传输通道设置在所述第一连接支撑架上，且所述第一支撑架的底部固定在所述靶室顶部的所述连接管上；所述传输通道的第二端端部设置有所述连接柱，所述连接柱与高清电流计连接。
[0007]进一步，所述第一支撑架的底部与所述靶室顶部的所述连接管之间采用法兰固定连接。
[0008]进一步，所述法拉第筒的口径为3mm
×
3mm。
[0009]进一步，所述束流光斑测量结构包括荧光靶、第二连接支撑架和CCD相机；所述荧光靶作为所述束流光斑测量结构的测量端，位于所述靶室内的中央位置处；所述荧光靶的上部设置在所述第二连接支撑架上，且所述第二连接支撑架的底部固定在所述靶室一侧的所述连接管上；位于所述靶室的另一侧的所述连接管处设置有所述CCD相机。
[0010]进一步，所述荧光靶包括圆盘型结构的靶片和靶杆；所述靶片位于所述靶室内，且所述靶杆的一端与所述靶片连接，所述靶杆的另一端与所述第二连接支撑架连接。
[0011]进一步，所述靶片上涂设有荧光材料，所述靶片与所述CCD相机位于同一水平线
上。
[0012]进一步，所述第二连接支撑架的底部与所述靶室一侧的所述连接管之间采用法兰固定连接。
[0013]进一步，所述靶室的两侧分别设置有真空差分孔，所述真空差分孔分别与机械泵和双级分子泵连接。
[0014]本技术由于采取以上技术方案，其具有以下优点：
[0015]1、本技术可以提高实验数据采集精度,减少调束时间，提高装置运行效率，为超低能重离子束在原子分子物理、表面物理等领域的研究提供有力的技术支撑。
[0016]2、本技术从EBIS平台引出系统到实验终端的束线诊断系统，解决了平台故障率的上升和运行效率降低的问题。
附图说明
[0017]图1是本技术一实施例中超低能重离子束流测量装置结构示意图；
[0018]图2是本技术一实施例中的靶室结构示意图；
[0019]图3是本技术一实施例中的法拉第筒结构示意图；
[0020]图4是本技术一实施例中的荧光靶结构示意图。
具体实施方式
[0021]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0023]本技术提供一种超低能重离子束流测量装置，其包括：靶室，安装在EBIS平台上；束流强度测量结构，设置在所述靶室顶部，其测量端位于所述靶室内对束流强度进行测量；束流光斑测量结构，设置在所述靶室的一侧，与所述束流强度测量结构呈垂直设置，其测量端位于所述靶室内对束流光斑进行测量。本技术能有效克服平台故障率的上升和运行效率降低的问题。
[0024]在本技术的一个实施例中，如图1所示，提供一种超低能重离子束流测量装置。本实施例中，该装置包括：
[0025]靶室1，安装在EBIS平台2上；
[0026]束流强度测量结构3，设置在靶室1顶部，其测量端位于靶室1内，用于对靶室1内的束流强度进行测量；
[0027]束流光斑测量结构4，设置在靶室1的一侧，与束流强度测量结构3呈垂直设置，其测量端位于靶室1内，用于对靶室1内的束流光斑进行测量。
[0028]上述实施例中，如图2所示，靶室1上设置有三个连接管11，通过连接管11与束流强
度测量结构3和束流光斑测量结构4连接。
[0029]上述实施例中，如图3所示，束流强度测量结构3包括法拉第筒31、传输通道32、第一连接支撑架33和连接柱34。法拉第筒31作为束流强度测量结构3的测量端位于靶室1内，法拉第筒31的端部与传输通道32的第一端连接，传输通道32设置在第一连接支撑架33上，且第一支撑架33的底部固定在靶室1顶部的连接管11上。传输通道32的第二端端部设置有连接柱34，连接柱34与高清电流计连接，实现对束流强度的测量。
[0030]上述实施例中，第一连接支撑架33的底部与靶室1顶部的连接管11之间采用法兰固定连接。
[0031]上述实施例中，为确保束流强度和品质的测量，法拉第筒31的口径较小；在本实施例中，法拉第筒31的口径优选为3mm
×
3mm，可以使得束流测量精度达到
±
1pA。
[0032]上述实施例中，如图4所示，束流光斑测量结构4包括荧光靶41、第二连接支撑架42和CCD相机43。荧光靶41作为束流光斑测量结构4的测量端，位于靶室1内的中央位置处。荧光靶41的上部设置在第二连接支撑架42上，且第二连接支撑架42的底部固定在靶室1一侧的连接管11上。位于靶室1的另一侧的连接管11处设置有CCD相机43。
[0033]其中，荧光靶41包括圆盘型结构的靶片411和靶杆41本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超低能重离子束流测量装置，其特征在于，包括：靶室，安装在EBIS平台上；束流强度测量结构，设置在所述靶室顶部，其测量端位于所述靶室内对束流强度进行测量；束流光斑测量结构，设置在所述靶室的一侧，与所述束流强度测量结构呈垂直设置，其测量端位于所述靶室内对束流光斑进行测量。2.如权利要求1所述超低能重离子束流测量装置，其特征在于，所述靶室上设置有连接管，通过所述连接管与所述束流强度测量结构和所述束流光斑测量结构连接。3.如权利要求2所述超低能重离子束流测量装置，其特征在于，所述束流强度测量结构包括法拉第筒、传输通道、第一连接支撑架和连接柱；所述法拉第筒作为测量端位于所述靶室内，所述法拉第筒的端部与所述传输通道的第一端连接，所述传输通道设置在所述第一连接支撑架上，且所述第一连接支撑架的底部固定在所述靶室顶部的所述连接管上；所述传输通道的第二端端部设置有所述连接柱，所述连接柱与高清电流计连接。4.如权利要求3所述超低能重离子束流测量装置，其特征在于，所述第一连接支撑架的底部与所述靶室顶部的连接管之间采用法兰固定连接。5.如权利要求3所述超低能重离子束流测量装置，其特征在于，所述法拉第筒的...
【专利技术属性】
技术研发人员：康龙，李锦钰，刘会平，张桐民，李军，周军军，
申请(专利权)人：中国科学院近代物理研究所，
类型：新型
国别省市：
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