磁感应式微动开关及其状态检测校准方法技术

技术编号:34645229 阅读:11 留言:0更新日期:2022-08-24 15:21
本发明专利技术涉及微动开关领域,为了解决因回位机构疲劳磨损而导致对开关状态检测出错的技术问题,提供一种应用于磁感应式微动开关的状态检测校准方法,该磁感应式微动开关包括基体、磁传感器、感应磁体、操作件和回位机构,操作件可移动地设于基体,感应磁体随操作件移动,磁传感器用于检测感应磁体的位置,感应磁体的移动行程一端具有按压位置和第一位置范围;该状态检测校准方法包括:将磁传感器检测到的感应磁体在第三位置范围内的位置,确定为按压实测位置,第三位置范围与第一位置范围至少部分重合,以新确定的按压实测位置来校准第一位置范围。本申请能够适应微动开关对小按压行程的要求,并且能够确保长期准确地检测磁感应式微动开关的状态。应式微动开关的状态。应式微动开关的状态。

【技术实现步骤摘要】
磁感应式微动开关及其状态检测校准方法


[0001]本专利技术涉及微动开关领域,具体涉及一种磁感应式微动开关及其状态检测校准方法。

技术介绍

[0002]现有磁感应开关为了识别开关状态、识别磁体的运动状态,一般设置有固定的上限识别位置和下限识别位置,在磁体被按压于下限识别位置时,认为磁感应开关处于按压状态,在磁体被回位机构回弹至上限识别位置时,认为磁感应开关处于释放状态。
[0003]然而,对于按压行程较小(例如小于1毫米)的微动开关而言,如采用磁感应方式检测开关状态,由于磁感应微动开关在被多次按压后,其回位机构容易发生疲劳磨损,导致磁体在按压状态的位置会较为明显地偏离下限识别位置,以及导致磁体在释放状态的位置会较为明显地偏离上限识别位置,因而此时根据磁体是否处于上限识别位置/下限识别位置,可能不能正确检测出磁感应开关的状态,导致磁感应式微动开关的状态检测出错,导致磁感应微动开关的使用寿命较短。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的之一是为了克服现有技术的上述缺陷,提供一种有利于使磁感应式微动开关长期保持于高性能状态的应用于磁感应式微动开关的状态检测校准方法。
[0005]本专利技术提供的应用于磁感应式微动开关的状态检测校准方法中,磁感应式微动开关包括基体、磁传感器、感应磁体、操作件和回位机构,磁传感器固设于基体,操作件可移动地设于基体,感应磁体响应于操作件移动,磁传感器用于检测感应磁体的位置;感应磁体的移动行程的一端具有按压位置和第一位置范围,另一端具有释放位置和第二位置范围,按压位置位于第一位置范围内,释放位置位于第二位置范围内,第一位置范围与第二位置范围之间具有间距,回位机构迫使感应磁体保持于释放位置或倾向于迫使感应磁体沿其移动轨迹向释放位置回位;当磁传感器检测到感应磁体在第一位置范围内时,确定磁感应式微动开关处于按压状态;当磁传感器检测到感应磁体在第二位置范围内时,确定磁感应式微动开关处于释放状态;该状态检测校准方法包括:磁感应式微动开关具有与第一位置范围至少部分重合的第三位置范围,将磁传感器检测到的感应磁体在第三位置范围内的位置,确定为感应磁体在磁感应式微动开关处于按压状态时的按压实测位置,以当前时机之前新确定的预设数量个按压实测位置来校准第一位置范围;和/或磁感应式微动开关具有与第二位置范围至少部分重合的第四位置范围,将磁传感器检测到的感应磁体在第四位置范围内的位置,确定为感应磁体在磁感应式微动开关处于释放状态时的释放实测位置,以当前时机之前新确定的预设数量个释放实测位置来校准第二位置范围;第三位置范围与第四位置范围之间具有间距。
[0006]由上可见,第一位置范围(或第二位置范围)的设置,使得感应磁体在到达按压位置(或释放位置)后即便具有小幅抖动,仍然不容易超出对应的第一位置范围(或第二位置
范围)之外,仍然不会影响对磁感应式微动开关的状态检测结果,本申请的磁感应式微动开关不容易因为感应磁体的位置抖动而导致检测结果出错。
[0007]并且,本申请的状态检测校准方法能够在磁感应式微动开关处于使用过程中时对第一位置范围和第二位置范围进行校准,有利于确保第一位置范围与当前的按压位置保持匹配,确保第二位置范围与当前的释放位置保持匹配,有利于确保本申请磁感应式微动开关的状态检测结果长期准确,有利于提升磁感应式微动开关的性能,延长磁感应式微动开关的使用寿命。
[0008]此外,更重要的是,由于本申请能够确保第一位置范围与当前的按压位置保持匹配,以及确保第二位置范围与当前的释放位置保持匹配,因而本申请不用为了适应按压位置(或释放位置)在长期使用后可能发生的位置变化而将第一位置范围(或第二位置范围)与感应磁体的移动行程的重合范围设置得过大,不用为了避免长期使用过后的感应磁体的按压位置(或释放位置)超出第一位置范围(或第二位置范围)而将第一位置范围(或第二位置范围)与感应磁体的移动行程的重合范围设置得过大,本申请能够将第一位置范围(或第二位置范围)与感应磁体的移动行程的重合范围设置得足够小,这样一方面,使得本申请能够将磁感应式微动开关的行程(移动轨迹/移动行程的长度)设置得足够短,使之更适于微动开关对小行程的使用需求【如果为了避免感应磁体的按压位置(或释放位置)在长期使用过后超出第一位置范围(或第二位置范围),而将第一位置范围(或第二位置范围)与感应磁体的移动行程的重合范围增大,那么必然需要将移动行程的长度增长,导致该方案不符合微动开关对小行程的需求,当然,对于非微动开关而言,除了无需考虑第一位置范围(或第二位置范围)与感应磁体的移动行程的重合范围过大外,也不会存在本申请所要解决的“因回位机构疲劳磨损而导致对开关状态检测出错”的技术问题(只要将前述的重合范围设置得足够大,就不用担心按压位置超出第一位置范围之外,且不用担心释放位置超出第二位置范围之外)】,另一方面,这也使得本申请有利于确保“磁传感器检测到感应磁体在第一位置范围内”能够更准确地体现“磁感应式微动开关处于按压状态/感应磁体位于按压位置”,确保“磁传感器检测到感应磁体在第二位置范围内”能够更准确地体现“磁感应式微动开关处于释放状态/感应磁体位于释放位置”,使得本申请不容易将感应磁体未到达按压位置的情形检测为“磁感应式微动开关处于按压状态”,且不容易将感应磁体未到达释放位置的情形检测为“磁感应式微动开关处于释放状态”,本申请对磁感应式微动开关的状态检测结果能够足够准确地体现实际状态,本申请在感应磁体的移动行程足够小的情况下仍能长期准确地检测磁感应式微动开关的状态,有利于提升用户体验。
[0009]一个优选的方案是,以当前时机之前新确定的预设数量个按压实测位置的平均按压位置来校准第一位置范围,校准后的第一位置范围包括以平均按压位置为基准向感应磁体的移动方向前后分别扩展第一预设幅度和第二预设幅度所涵盖的范围;以当前时机之前新确定的预设数量个释放实测位置的平均释放位置来校准第二位置范围,校准后的第二位置范围包括以平均释放位置为基准向感应磁体的移动方向前后分别扩展第三预设幅度和第四预设幅度所涵盖的范围。
[0010]由上可见,由于操作件在到达释放位置(或按压位置)后会有轻微的机械抖动,因而每次检测到的释放实测位置(或按压实测位置)并不能准确体现当前时机的释放位置(或按压位置),因而本申请以上述的平均释放位置(或平均按压位置)来校准第二位置范围(或
第一位置范围),这样有利于提升对第二位置范围(或第一位置范围)校准的准确性。
[0011]进一步的方案是,移动行程的长度为0.4毫米至1毫米;第二预设幅度位于平均按压位置的靠近第二位置范围的一侧,第二预设幅度为0.02毫米至0.15毫米;第三预设幅度位于平均释放位置的靠近第一位置范围的一侧,第三预设幅度为0.02毫米至0.15毫米。
[0012]由上可见,本申请感应磁体的移动行程与第一位置范围的重合范围较小,且感应磁体的移动行程与第二位置范围的重合范围较小,也即第一位置范围与第二位置范围需要占用的感应磁体的移动行程长度较短,这使得本申请能够将感应磁体的移动行程设置得本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.应用于磁感应式微动开关的状态检测校准方法,所述磁感应式微动开关包括基体、磁传感器、感应磁体、操作件和回位机构,所述磁传感器固设于所述基体,所述操作件可移动地设于所述基体,所述感应磁体响应于所述操作件移动,所述磁传感器用于检测所述感应磁体的位置;所述感应磁体的移动行程的一端具有按压位置和第一位置范围,另一端具有释放位置和第二位置范围,所述按压位置位于第一位置范围内,所述释放位置位于第二位置范围内,第一位置范围与第二位置范围之间具有间距,所述回位机构迫使所述感应磁体保持于所述释放位置或倾向于迫使所述感应磁体沿其移动轨迹向所述释放位置回位;当所述磁传感器检测到所述感应磁体在第一位置范围内时,确定所述磁感应式微动开关处于按压状态;当所述磁传感器检测到所述感应磁体在第二位置范围内时,确定所述磁感应式微动开关处于释放状态;其特征在于,该状态检测校准方法包括:所述磁感应式微动开关具有与第一位置范围至少部分重合的第三位置范围,将所述磁传感器检测到的所述感应磁体在第三位置范围内的位置,确定为所述感应磁体在所述磁感应式微动开关处于按压状态时的按压实测位置,以当前时机之前新确定的预设数量个所述按压实测位置来校准第一位置范围;和/或所述磁感应式微动开关具有与第二位置范围至少部分重合的第四位置范围,将所述磁传感器检测到的所述感应磁体在第四位置范围内的位置,确定为所述感应磁体在所述磁感应式微动开关处于释放状态时的释放实测位置,以当前时机之前新确定的预设数量个所述释放实测位置来校准第二位置范围;第三位置范围与第四位置范围之间具有间距。2.根据权利要求1所述的状态检测校准方法,其特征在于:以当前时机之前新确定的预设数量个所述按压实测位置的平均按压位置来校准第一位置范围,校准后的第一位置范围包括以所述平均按压位置为基准向所述感应磁体的移动方向前后分别扩展第一预设幅度和第二预设幅度所涵盖的范围;以当前时机之前新确定的预设数量个所述释放实测位置的平均释放位置来校准第二位置范围,校准后的第二位置范围包括以所述平均释放位置为基准向所述感应磁体的移动方向前后分别扩展第三预设幅度和第四预设幅度所涵盖的范围。3.根据权利要求2所述的状态检测校准方法,其特征在于:所述移动行程的长度为0.4毫米至1毫米;第二预设幅度位于所述平均按压位置...

【专利技术属性】
技术研发人员:代明杜修富
申请(专利权)人:泉州昆泰芯微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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