低电压控制高频开关以及复合高频部件制造技术

在发射／接收选择开关（２０３）中，第一二极管（ＧＤ１）被配置为与发射信号线串联并且第二二极管（ＧＤ２）被配置为与接收信号线并联。其中直流电流通过第一二极管（ＧＤ１）的第一电流路径与其中直流电流通过第二二极管（ＧＤ２）的第二电流路径并联连接。当将预定的正电压施加到控制端子（ＶｃＧ）时，二极管（ＧＤ１，ＧＤ２）变为导通状态，并且直流电流依次流经控制端子（ＶｃＧ）、电阻器（ＧＲ）、电感器（ＧＳＬ１）、二极管（ＧＤ１）、带状线（ＧＳＬ２）和电感器（ＧＬ），并且直流电流依次流经控制端子（ＶｃＧ）、电阻器（ＧＲ）、第二二极管（ＧＤ２）和电感器（ＧＬ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种低电压控制高频开关，包括设置在共用信号输入／输出部分和第一信号输入／输出部分之间的第一信号线并且包括设置在所述共用信号输入／输出部分和第二信号输入／输出部分之间的第二信号线，所述高频开关包括：　直流电流在其中流动的第一电流路径，所 述第一电流路径包括第一二极管，以及直流电流在其中流动的第二电流路径，所述第二电流路径包括第二二极管，　其中所述第一电流路径和所述第二电流路径并联连接使得所述直流电流在所述第一电流路径和所述第二电流路径中流动的方向相互一致，电感器设置在 所述并联连接的第一节点和接地点之间，并且所述并联连接的第二节点形成控制电压输入部分，以及　其中所述第一二极管...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川大，中山尚树，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]