化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法技术

本发明专利技术涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明专利技术的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且减少LER及LWR的图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物，以下式(A1)表示，及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物。式中，M为硫原子或硒原子。或硒原子。或硒原子。

【技术实现步骤摘要】
化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法


[0001]本专利技术关于化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。
现有技术
[0002]近年，伴随LSI的高集成化与高速化，图案规则的微细化也在急速进展。其中，在0.2μm以下的图案的加工主要使用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂组成物。又，使用紫外线、远紫外线、电子束(EB)等高能射线作为曝光源，尤其被利用作为超微细加工技术的EB光刻，作为制作半导体制造用的光掩膜时的空白光掩膜的加工方法也为不可或缺。
[0003]大量含有具有酸性侧链的芳香族骨架的聚合物，例如聚羟基苯乙烯作为使用KrF准分子激光的KrF光刻用抗蚀剂组成物的材料为有效，但对波长200nm附近的光展现大的吸收，故无法作为使用ArF准分子激光的ArF光刻用抗蚀剂组成物的材料来使用。但是，就用以形成比起ArF准分子激光所致的加工极限小的图案的有力的技术即EB光刻用抗蚀剂组成物、或极紫外线(EUV)光刻用抗蚀剂组成物的材料而言，在可获得高蚀刻耐性方面，为重要的材料。
[0004]就如此的光学光刻所使用的抗蚀剂组成物而言，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学增幅负型抗蚀剂组成物，含有：(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物，以下式(A1)表示，及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物；式中，R1～R4分别独立地为也可含有杂原子的碳数1～20的烃基；又，R1与R2也可互相键结并和它们所键结的L1及M一起形成环，R1与R2、及R3与R4也可分别互相键结并形成以M作为螺原子的螺环；L1及L2分别独立地为
‑
O
‑
或
‑
N(R)
‑
；R为氢原子或也可含有杂原子的碳数1～20的烃基；M为硫原子或硒原子；式中，R
A
为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基，R
11
为卤素原子、也可被卤素原子取代的碳数2～8的饱和烃基羰基氧基、也可被卤素原子取代的碳数1～6的饱和烃基、或也可被卤素原子取代的碳数1～6的饱和烃基氧基；A1为单键或碳数1～10的饱和亚烃基，且构成该饱和亚烃基的
‑
CH2‑
也可被
‑
O
‑
取代；s为0或1；w为0～2的整数；a为符合0≤a≤5+2w
‑
b的整数；b为1～3的整数。2.根据权利要求1所述的化学增幅负型抗蚀剂组成物，其中，该聚合物更含有选自下式(B2)表示的重复单元、下式(B3)表示的重复单元及下式(B4)表示的重复单元中的至少1种；式中，R
A
和前述相同；R
12
及R
13
分别独立地为羟基、卤素原子、也可被卤素原子取代的碳数1～8的饱和烃基、也
可被卤素原子取代的碳数1～8的饱和烃基氧基、或也可被卤素原子取代的碳数2～8的饱和烃基羰基氧基；R
14
为乙酰基、碳数1～20的饱和烃基、碳数1～20的饱和烃基氧基、碳数2～20的饱和烃基羰基氧基、碳数2～20的饱和烃基氧基烃基、碳数2～20的饱和烃基硫基烃基、卤素原子、硝基、氰基、亚磺酰基或磺酰基；A2为单键或碳数1～10的饱和亚烃基，且构成该饱和亚烃基的
‑
CH2‑
也可被
‑
O
‑
取代；c及d分别独立地为0～4的整数；e为0～5的整数；x为0～2的整数；t为0或1。3.根据权利要求1或2所述的化学增幅负型抗蚀剂组成物，其中，该聚合物更含有下式(B5)表示的重复单元；式中，R
A
和前述相同；A3为单键或碳数1～10的饱和亚烃基，且构成该饱和亚烃基的
‑
CH2‑
也可被
‑
O
‑
取代；R
15
分别独立地为卤素原子、也可被卤素原子取代的碳数2～8的饱和烃基羰基氧基、也可被卤素原子取代的碳数1～6的饱和烃基、或也可被卤素原子取代的碳数1～6的饱和烃基氧基；W1为氢原子、碳数1～10的脂肪族烃基、或也可具有取代基的芳基，且构成该脂肪族烃基的
‑
CH2‑
也可被
‑
O
‑
、
‑
C(＝O)
‑
、
‑
O
‑
C(＝O)
‑
或
‑
C(＝O)
‑
O
‑
取代；Rx及Ry分别独立地为氢原子、也可被羟基或饱和烃基氧基取代的碳数1～15的饱和烃基或也可具有取代基的芳基；但是，Rx及Ry不会同时为氢原子；又，Rx及Ry也可互相键结并和它们所键结的碳原子一起形成环；y为0～2的整数；u为0或1；f为符合0≤f≤5+2y
‑
g的整数；g为1～3的整数。4.根据权利要求3所述的化学增幅负型抗蚀剂组成物，其中，该聚合物更含有选自下式(B6)～(B13)表示的重复单元中的至少1种；
式中，R
B
分别独立地为氢原子或甲基，Z1为单键、碳数1～6的脂肪族亚烃基、亚苯基、亚萘基或将它们组合而得的碳数7～18的基团、
‑
O
‑
Z
11
‑
、
‑
C(＝O)
‑
O
‑
Z
11
‑
或
‑
C(＝O)
‑
NH
‑
Z
11
‑
，Z
11
为碳数1～6的脂肪族亚烃基、亚苯基、亚萘基或将它们组合而得的碳数7～18的基团，且也可含有羰基、酯键、醚键或羟基；Z2为单键或
‑
Z
21
‑
C(＝O)
‑
O
‑
，Z
21
为也可含有杂原子的...

【专利技术属性】
技术研发人员：增永惠一，渡边聪，小竹正晃，大桥正树，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：