磁器件制造技术

根据实施方式，磁器件包括第1元件、第1导电类型的第1晶体管、第2导电类型的第2晶体管以及第1～第3布线。第1元件包括第1导电部件和第1层叠体。第1导电部件包括第1部分、第2部分、以及第1部分与第2部分之间的第3部分。第1层叠体包括第1磁性层。第1晶体管包括第1端、第1另一端以及第1栅极。第2晶体管包括第2端、第2另一端以及第2栅极。第1另一端与第1部分电连接。第2另一端与第1磁性层电连接。第1布线与第2部分电连接。第2布线与第1栅极以及第2栅极电连接。第3布线与第1端以及第2端电连接。提供能够高密度化的磁器件。高密度化的磁器件。高密度化的磁器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁器件


[0001]本专利技术的实施方式涉及磁器件。

技术介绍

[0002]使用磁性层的磁器件被应用于存储装置或者运算装置等。在磁器件中，期望高密度化。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利第6545853号公报

技术实现思路

[0006]本专利技术的实施方式提供能够高密度化的磁器件。
[0007]根据本专利技术的实施方式，磁器件包括第1元件、第1导电类型的第1晶体管、第2导电类型的第2晶体管、第1布线、第2布线以及第3布线。所述第1元件包括第1导电部件和第1层叠体。所述第1导电部件包括第1部分、第2部分以及所述第1部分与所述第2部分之间的第3部分。所述第1层叠体包括第1磁性层和设置于所述第3部分与所述第1磁性层之间的第1对置磁性层。所述第1晶体管包括第1端、第1另一端以及第1栅极。第2晶体管包括第2端、第2另一端以及第2栅极。所述第1另一端与所述第1部分电连接。所述第2另一端与所述第1磁性层电连接。所述第1布线与所述第2部分电连接。所述第2布线与所述第1栅极以及第2栅极电连接。所述第3布线与所述第1端以及所述第2端电连接。
附图说明
[0008]图1是例示第1实施方式所涉及的磁器件的示意性立体图。
[0009]图2(a)以及图2(b)是例示第1实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0010]图3(a)～图3(c)是例示第1实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0011]图4是例示第1实施方式所涉及的磁器件的示意性立体图。
[0012]图5(a)以及图5(b)是例示第1实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0013]图6是例示第1实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0014]图7是例示第1实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0015]图8是例示第1实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0016]图9是例示第2实施方式所涉及的磁器件的示意性立体图。
[0017]图10(a)以及图10(b)是例示第2实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0018]图11(a)以及图11(b)是例示第2实施方式所涉及的磁器件的示意性剖面图。
[0019]图12是例示第2实施方式所涉及的磁器件的示意性剖面图。
[0020]图13是例示第2实施方式所涉及的磁器件的示意性立体图。
[0021]图14(a)以及图14(b)是例示第3实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0022]图15(a)～图15(e)是例示第3实施方式所涉及的磁器件的示意性透射俯视图。
[0023]图16(a)～图16(f)是例示第3实施方式所涉及的磁器件的示意性透射俯视图。
[0024]图17(a)～图17(c)是例示第3实施方式所涉及的磁器件的示意性透射俯视图。
[0025]图18是例示第3实施方式所涉及的磁器件的示意性立体图。
[0026]图19是例示第3实施方式所涉及的磁器件的示意性立体图。
[0027]图20是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性立体图。
[0028]图21是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0029]图22是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0030]图23是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0031]图24是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0032]图25是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性立体图。
[0033]图26是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0034]图27是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0035]图28是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0036]图29是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0037]图30是例示第4实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0038]图31是例示第5实施方式所涉及的磁器件的示意性立体图。
[0039]图32是例示第6实施方式所涉及的磁器件的示意性立体图。
[0040]图33是例示第6实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0041]图34是例示第6实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0042]图35是例示第6实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0043]图36是例示第6实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0044]图37是例示第6实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0045]图38是例示第7实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0046]图39(a)以及图39(b)是例示第7实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0047]图40是例示第7实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0048]图41(a)以及图41(b)是例示第7实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0049]图42(a)～图42(d)是例示第7实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0050]图43是例示第7实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0051]图44(a)以及图44(b)是例示第7实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0052]图45(a)～图45(c)是例示第7实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0053]图46是例示第7实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0054]图47是例示第8实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0055]图48是例示第8实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0056]图49(a)～图49(e)是例示第8实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0057]图50是例示第8实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0058]图51(a)～图51(e)是例示第8实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0059]图52(a)以及图52(b)是例示实施方式所涉及的磁器件的一部分的示意图的剖面。
[0060]图53是例示实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0061]图54是例示实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0062]图55是例示实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0063]图56是例示实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0064]图57是例示实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0065]图58是例示实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0066]图59是例示实施方式所涉及的磁器件的示意图。
[0067]图60是例示实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0068]图61是例示实施方式所涉及的磁器件的示意性俯视图。
[0069]图62是例示实施方式所涉及的磁器件的示意性剖面图。
[0070]图63是例示实施方式所涉及的磁器件的示意性剖面图。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种磁器件，具备：第1元件；第2元件；第1晶体管，包括第1端、第1另一端以及第1栅极；第2晶体管，包括第2端、第2另一端以及第2栅极；以及第1～第6布线，所述第1元件以及所述第2元件的各个元件包括第1导电部件、第1层叠体以及第1二极管，所述第1导电部件包括第1部分、第2部分以及第3部分，所述第3部分在所述第1部分与所述第2部分之间，所述第1层叠体包括第1磁性层和设置于所述第3部分与所述第1磁性层之间的第1对置磁性层，所述第1二极管的阳极以及阴极的一方与所述第1磁性层电连接，所述第1另一端与所述第1元件的所述第1导电部件的所述第1部分电连接，所述第2另一端与所述第2元件的所述第1导电部件的所述第1部分电连接，所述第1布线与所述第1元件的所述第1导电部件的所述第2部分电连接，所述第2布线与所述第1栅极以及所述第2栅极电连接，所述第3布线与所述第1端以及所述第2端电连接，所述第4布线与所述第1元件的所述第1二极管的所述阳极以及所述阴极的另一方电连接，所述第5布线与所述第2元件的所述第1导电部件的所述第2部分电连接，所述第6布线与所述第2元件的所述第1二极管的所述阳极以及所述阴极的另一方电连接。2.根据权利要求1所述的磁器件，其中，所述第1布线、所述第3布线、所述第4布线、所述第5布线以及所述第6布线沿着第1延伸方向延伸，所述第2布线沿着与所述第1延伸方向交叉的第2延伸方向延伸。3.根据权利要求1所述的磁器件，其中，所述第1布线、所述第3布线以及所述第5布线沿着第1延伸方向延伸，所述第2布线、所述第4布线以及所述第6布线沿着与所述第1延伸方向交叉的第2延伸方向延伸。4.根据权利要求1所述的磁器件，其中，还具备：第3元件；第4元件；第3晶体管，包括第3端、第3另一端以及第3栅极；第4晶体管，包括第2端、第2另一端以及第2栅极；以及第7～第11布线，所述第3元件以及所述第4元件的各个元件包括所述第1导电部件、所述第1层叠体以及所述第1二极管，
所述第3另一端与所述第3元件的所述第1导电部件的所述第1部分电连接，所述第4另一端与所述第4元件的所述第1导电部件的所述第1部分电连接，所述第3布线还与所述第3端以及所述第4端电连接，所述第7布线与所述第3栅极以及所述第4栅极电连接，所述第8布线与所述第3元件的所述第1导电部件的所述第2部分电连接，所述第9布线与所述第3元件的所述第1二极管的所述阳极以及所述阴极的另一方电连接，所述第10布线与所述第4元件的所述第1导电部件的所述第2部分电连接，所述第11布线与所述第4元件的所述第1二极管的所述阳极以及所述阴极的另一方电连接。5.根据权利要求4所述的磁器件，其中，所述第1布线、所述第3布线、所述第4布线、所述第5布线、所述第6布线、所述第8布线、所述第9布线、所述第10布线以及所述第11布线沿着第1延伸方向延伸，所述第2布线以及所述第7布线沿着与所述第1延伸方向交叉的第2延伸方向延伸。6.根据权利要求4所述的磁器件，其中，所述第1元件的所述第1导电部件的至少一部分在与从所述第1元件的所述第1导电部件的所述第1部分向所述第1元件的所述第1导电部件的所述第2部分的第1方向交叉的第2方向上与所述第1晶体管重叠，所述第2元件的所述第1导电部件的至少一部分在所述第2方向上与所述第2晶体管重叠，所述第3元件的所述第1导电部件的至少一部分在所述第2方向上与所述第3晶体管重叠，所述第4元件的所述第1导电部件的至少一部分在所述第2方向上与所述第4晶体管重叠，从所述第1晶体管向所述第4晶体管的方向沿着所述第1方向，从所述第3晶体管向所述第2晶体管的方向沿着所述第1方向，从所述第3晶体管向所述第1晶体管的方向包含与包括所述第1方向以及所述第2方向的平面交叉的第3方向的分量，从所述第2晶体管向所述第4晶体管的方向包含所述第3方向的分量。7.根据权利要求4所述的磁器件，其中，所述第1布线、所述第3布线、所述第5布线、所述第8布线以及所述第10布线沿着第1延伸方向延伸，所述第2布线、所述第4布线、所述第6布线、所述第7布线、所述第9布线、所述第11布线沿着与所述第1延伸方向交叉的第2延伸方向延伸。8.一种磁器件，具备：第1元件；第2元件；第1晶体管，包括第1端、第1另一端以及第1栅极；第2晶体管，包括第2端、第2另一端以及第2栅极；以及
第1～第7布线，所述第1元件以及所述第2元件的各个元件包括第1导电部件、第1层叠体以及第1二极管，所述第1导电部件包括第1部分、第2部分以及第3部分，所述第3部分在所述第1部分与所述第2部分之间，所述第1层叠体包括第1磁性层和设置于所述第3部分与所述第1磁性层之间的第1对置磁性层，所述第1二极管的阳极以及阴极的一方与所述第1磁性层电连接，所述第1另一端与所述第1元件的所述第1导电部件的所述第1部分电连接，所述第2另一端与所述第2元件的所述第1导电部件的所述第1部分电连接，所述第1布线与所述第1元件的所述第1导电部件的所述第2部分以及所述第2元件的所述第1导电部件的所述第2部分电连接，所述第2布线与所述第1栅极电连接，所述第3布线与所述第1端电连接，所述第4布线与所述第1元件的所述第1二极管的所述阳极以及所述阴极的另一方电连接，所述第5布线与所述第2栅极电连接，所述第6布线与所述第2端电连接，所述第7布线与所述第2元件的所述第1二极管的所述阳极以及所述阴极的另一方电连接。9.根据权利要求8所述的磁器件，其中，所述第1布线、所述第3布线以及所述第6布线沿着第1延伸方向延伸，所述第2布线、所述第4布线、所述第5布线以及所述第7布线沿着与所述第1延伸方向交叉的第2延伸方向延伸。10.根据权利要求8所述的磁器件，其中，还具备：第3元件；第4元件；第3晶体管，包括第3端、第3另一端以及第3栅极；第4晶体管，包括第2端、第2另一端以及第2栅极；以及第8～第10布线，所述第3元件以及所述第4元件的各个元件包括所述第1导电部件、所述第1层叠体以及所述第1二极管，所述第3另一端与所述第3元件的所述第1导电部件的所述第1部分电连接，所述第4另一端与所述第4元件的所述第1导电部件的所述第1部分电连接，所述第2布线还与所述第3栅极电连接，所述第3布线还与所述第3端电连接，所述第5布线还与所述第4栅极电连接，所述第6布线与还所述第4端电连接，所述第8布线与所述第3元件的所述第1导电部件的所述第2部分以及所述第4元件的所
述第1导电部件的所述第2部分电连接，所述第9布线与所述第3元件的所述第1二极管的所述阳极以及所述阴极的另一方电连接，所述第10布线与所述第4元件的所述第1二极管的所述阳极以及所述阴极的另一方电连接。11.根据权利要求10所述的磁器件，其中，所述第1布线、所述第3布线、所述第6布线以及所述第8布线沿着第1延伸方向延伸，所述第2布线、所述第4布线、所述第5布线、所述第7布线、所述第9布线以及所述第10布线沿着与所述第1延伸方向交叉的第2延伸方向延伸。12.一种磁器件，具备：第1元件，包括第1导电部件和第1层叠体，并且所述第1导电部件包括第1部分、第2部分以及所述第1部分与所述第2部分之间的第3部分，所述第1层叠体包括第1磁性层和设置于所述第3部分与所述第1磁性层之间的第1对置磁性层；第1导电类型的第1晶体管，包括第1端、第1另一端以及第1栅极；第2导电类型的第2晶体管，包括第2端、第2另一端以及第2栅极；第1布线；第2布线；以及第3布线，所述第1另一端与所述第1部分电连接，所述第2另一端与所述第1磁性层电连接，所述第1布线与所述第2部分电连接，所述第2布线与所述第1栅极以及第2栅极电连接，所述第3布线与所述第1端以及所述第2端电连接。13.根据权利要求12所述的磁器件，其中，还具备控制部，所述控制部与所述第1布线、所述第2布线以及所述第3布线电连接，所述控制部能够实施第1写入动作和第1读出动作，在所述第1写入动作中，所述控制部使所述第2布线成为选择状态，经由所述第1晶体管对所述第1部分与所述第2部分之间供给电流，在所述第1读出动作中，所述控制部使所述第2布线成为非选择状态，经由所述第2晶体管检测与所述第1层叠体的电阻对应的值。14.根据权利要求12所述的磁器件，其中，还具备：所述第1导电类型的第3晶体管，包括第3端、第3另一端以及第3栅极；所述第2导电类型的第4晶体管，包括第4端、第4另一端以及第4栅极；以及第4布线，所述第1元件还包括第2层叠体，所述第1导电部件包括第4部分以及第5部分，所述第5部分在所述第2部分与所述第4部分之间，所述第2层叠体包括第2磁性层和设置于所述第5部分与所述第2磁性层之间的第2对置
磁性层，所述第3另一端与所述第4部分电连接，所述第4另一端与所述第2磁性层电连接，所述第4布线与所述第3栅极以及第4栅极电连接，所述第3布线与所述第3端以及所述第4端电连接。15.根据权利要求14所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大沢裕一，與田博明，加藤侑志，與田朋美，岸达也，
申请(专利权)人：YODAS株式会社，
类型：发明
国别省市：