储备池元件和运算电路制造技术

本发明专利技术的储备池元件具有多个单元，构成所述多个单元的单元分别与至少一个以上的其他单元连接，所述多个单元分别包括：输入第1信号的输入端子和与所述输入端子连接的电阻体；连接于所述电阻体的与所述输入端子相反的一侧，处于所述电阻体与基准电位之间的电容器；与所述电容器连接的开关元件；和与所述开关元件连接的输出端子，所述多个单元中的至少一个的RC时间常数与其他单元不同。时间常数与其他单元不同。时间常数与其他单元不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Vol.6 2018pp.4462
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4469.

技术实现思路

[0014]专利技术要解决的课题
[0015]专利文献1所记载的储备池元件利用以磁性膜为前提的物理原理，为了通过一般的CMOS工艺稳定地制造，还存在课题。
[0016]非专利文献1所记载的储备池元件利用了自旋波。然而，利用了自旋波的储备池元件在工业化方面的课题较多。
[0017]本专利技术是鉴于上述情况而完成的，提供容易实用化的储备池元件和运算电路。
[0018]用于解决课题的方法
[0019](1)第1方式的储备池元件具有多个单元，构成所述多个单元的单元分别与至少一个以上的其他单元连接，所述多个单元分别包括：被输入第1信号的输入端子；与所述输入端子连接的电阻体；连接在所述电阻体的所述输入端子的相反侧，处于所述电阻体与基准电位之间的电容器；与所述电容器连接的开关元件；和与所述开关元件连接的输出端子，所述多个单元中的至少一个单元的RC时间常数与其他单元不同。
[0020](2)在上述方式的储备池元件中，也可以所述多个单元中的至少一个单元的所述电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种储备池元件，其中，具有多个单元，构成所述多个单元的各个单元分别与至少一个以上的其他单元连接，所述多个单元的各个包括：被输入第1信号的输入端子；一端与所述输入端子连接的电阻体；连接在所述电阻体的另一端与基准电位之间的电容器；一端与所述电阻体的所述另一端连接的开关元件；和与所述开关元件的另一端连接的输出端子，所述多个单元中的至少一个单元的RC时间常数与其他单元不同。2.如权利要求1所述的储备池元件，其中，所述多个单元中的至少一个单元的所述电阻体的电阻值不同。3.如权利要求1或2所述的储备池元件，其中，所述多个单元中的至少一个单元的所述电容器的电容不同。4.如权利要求1～3中任一项所述的储备池元件，其中，所述电阻体是电阻值可变的2端子型的可变电阻。5.如权利要求4所述的储备池元件，其中，所述电阻体能够选择3个以上的电阻状态。6.如权利要求1～5中任一项所述的储备池元件，其中，所述多个单元中的第1单元的输出端子与不同于所述第1单元的第2单元的输入端子连接。7.如权利要求1～5中任一项所述的储备池元件，其中，所述多个单元中的第1单元的输出端子和与所述第1单元不同的第2单元的输出端子连接于相同的配线。8.如权利要求1～7中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺崎幸夫，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：