存储器元件、其形成方法及具有存储器元件的半导体元件技术

提供一种存储器元件及其形成方法。存储器元件包括：多条位线，沿着第一方向延伸；多条字线，沿着与第一方向不同的第二方向延伸；多个存储柱；及选择器。所述多条字线设置在所述多条位线之上。所述多个存储柱设置在所述多条位线与所述多条字线之间，且分别位于所述多条位线与所述多条字线的多个交叉部位处。选择器设置在所述多个存储柱与所述多条字线之间。选择器从一个存储柱的顶表面延伸到覆盖相邻的存储柱的顶表面。还提供具有所述存储器元件的半导体元件。导体元件。导体元件。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件、其形成方法及具有存储器元件的半导体元件


[0001]本专利技术的实施例是涉及一种存储器元件、其形成方法及具有存储器元件的半导体元件。

技术介绍

[0002]许多现代电子元件包含电子存储器。电子存储器可为易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器能够在断电的情况下储存数据，而易失性存储器则不能。下一代电子存储器的一些实例包括电阻式随机存取存储器(resistive random
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access memory，RRAM)、相变随机存取存储器(phase
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change random
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access memory，PCRAM)、磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random
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access memory，MRAM)、或类似存储器。在一些下一代电子存储器中，将选择器耦合到存储单元以缓解与按比例缩小下一代电子存储器的特征尺寸相关联的不利效应(例如，潜行路径(sneak path))。然而，在形成存储单元的图案化工艺中，选择器的侧壁可能会遭受刻蚀损坏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，包括：多条位线，沿着第一方向延伸；多条字线，沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸，且设置在所述多条位线之上；多个存储柱，设置在所述多条位线与所述多条字线之间，且分别位于所述多条位线与所述多条字线的多个交叉部位处；以及选择器，设置在所述多个存储柱与所述多条字线之间，其中所述选择器从一个存储柱的顶表面延伸覆盖相邻的存储柱的顶表面。2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述多个存储柱被排列成包括多个行及多个列的阵列，且所述选择器上覆在所述阵列的顶表面上。3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述多个存储柱中的一者包括：储存构件层，接触所述多条位线；电极层，设置在所述储存构件层上；以及缓冲金属层，设置在所述电极层上且接触所述选择器。4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述多个存储柱中的一者包括：中心部分；以及边缘部分，包绕所述中心部分，其中所述边缘部分的氮含量高于所述中心部分的氮含量。5.一种形成存储器元件的方法，包括：在衬底上形成沿着第一方向延伸的多条位线；在所述多条位线上依序形成储存构件材料、电极材料及缓冲金属材料；将所述储存构件材料、所述电极材料及所述缓冲金属材料图案化，以形成多个存储柱；形成填充在所述多个存储柱之间的介电材料；执行平坦化工艺，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林毓超，邱荣标，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：