重放保护临时随机数生成制造技术

本文中描述用于重放保护临时随机数生成的装置及技术。可从第一输入产生第一长度的哈希。可提取所述哈希的第一子集作为选择器。可使用所述选择器来选择所述哈希的第二子集。此处，所述第二子集具有小于所述第一长度的第二长度。可在重放保护通信中传输所述第二子集作为新鲜度值的临时随机数。为新鲜度值的临时随机数。为新鲜度值的临时随机数。

【技术实现步骤摘要】
重放保护临时随机数生成
[0001]本申请为专利技术名称为“重放保护临时随机数生成”、申请号为201980091228.7、申请日为2019年12月12日的中国专利技术专利申请的分案申请。
[0002]优先权申请
[0003]本申请案主张2018年12月28日申请的序列号为16/235,189的美国申请案的优先权的权益，所述申请案以应用的方式并入本文中。


[0004]本申请涉及重放保护临时随机数生成。

技术介绍

[0005]存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器及非易失性存储器。
[0006]易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。
[0007]非易失性存储器可在未被供电时保存所存储数据，且包含闪存、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)或磁阻式随机存取存储器(MRAM))等。
[0008]利用闪存作为广泛范围的电子应用的非易失性存储器。闪存装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的一或多个群组的单晶体管浮动栅极或电荷捕捉存储器单元。
[0009]两种常见类型的闪存阵列架构包含以布置每一者的基本存储器单元配置的逻辑形式命名的NAND架构及NOR架构。存储器阵列的存储器单元通常布置成矩阵。在实例中，阵列的行中的每一浮动栅极存储器单元的栅极耦合到存取线(例如，字线)。在NOR架构中，阵列的列中的每一存储器单元的漏极耦合到数据线(例如，位线)。在NAND架构中，阵列的串中的每一存储器单元的漏极在一起串联耦合(源极到漏极)于源极线与位线之间。
[0010]通过解码器存取NOR及NAND架构半导体存储器阵列两者，所述解码器通过选择耦合到其栅极的字线而激活特定存储器单元。在NOR架构半导体存储器阵列中，选定存储器单元一旦经激活便将其数据值放置于位线上，从而引起不同电流流动，此取决于特定单元编程的状态。在NAND架构半导体存储器阵列中，将高偏压电压施加到漏极侧选择栅极(SGD)线。在指定通过电压(例如，Vpass)下驱动耦合到每一群组的未选定存储器单元的栅极的字线以将每一群组的未选定存储器单元操作为传递晶体管(例如，以不受其存储数据值限制的方式传递电流)。接着，电流通过各自串联耦合的群组从源极线流动到位线，其仅受每一群组的选定存储器单元限制，从而将选定存储器单元的当前编码数据值放置于位线上。
[0011]NOR或NAND架构半导体存储器阵列中的每一闪存单元可个别或共同编程到一个或若干编程状态。举例来说，单电平单元(SLC)可表示两个编程状态(例如，1或0)中的一者，其
表示一个数据位。
[0012]然而，闪存单元还可表示两个以上编程状态中的一者，从而允许在不增加存储器单元的数目的情况下制造较高密度存储器，这是因为每一单元可表示一个以上二进制数字(例如，一个以上位)。此类单元可被称为多状态存储器单元、多数字单元或多电平单元(MLC)。在某些实例中，MLC可指代每单元可存储两个数据位(例如，四个编程状态中的一者)的存储器单元，三电平单元(TLC)可指代每单元可存储三个数据位(例如，八个编程状态中的一者)的存储器单元，且四电平单元(QLC)可每单元存储四个数据位。MLC在本文中在其更广泛内容背景中使用从而可指代每单元可存储一个以上数据位(即，可表示两个以上编程状态)的任何存储器单元。
[0013]传统存储器阵列是布置于半导体衬底的表面上的二维(2D)结构。为增加给定面积的存储器容量且降低成本，已减小个别存储器单元的大小。然而，个别存储器单元的大小减小及因此2D存储器阵列的存储器密度存在技术限制。作为响应，正在发展三维(3D)存储器结构(例如3D NAND架构半导体存储器装置)以进一步增加存储器密度且降低存储器成本。
[0014]此类3D NAND装置通常包含串联耦合(例如，漏极到源极)于靠近源极的一或多个源极侧选择栅极(SGS)与靠近位线的一或多个漏极侧选择栅极(SGD)之间的存储单元的串。在实例中，SGS或SGD可包含一或多个场效应晶体管(FET)或金属氧化物半导体(MOS)结构装置等。在一些实例中，串将垂直延伸通过含有相应字线的多个垂直间隔的层。半导体结构(例如，多晶硅结构)可在串存储单元附近延伸以形成用于串的存储单元的通道。在垂直串的实例中，多晶硅结构可呈垂直延伸支柱的形式。在一些实例中，串可“折叠”且因此相对于U形支柱布置。在其它实例中，多个垂直结构可彼此堆叠以形成存储单元串的堆叠阵列。
[0015]存储器阵列或装置可组合在一起以形成存储器系统的存储容量，例如固态驱动器(SSD)、通用快闪存储(UFS
TM
)装置、多媒体卡(MMC)固态存储装置、嵌入式MMC装置(eMMC
TM
)等。可尤其使用SSD作为计算机的主存储装置，从而在例如性能、大小、重量、坚固性、操作温度范围及功率消耗方面优于具有移动部分的传统硬驱动器。举例来说，SSD可具有减少的搜寻时间、延时或与磁盘驱动器相关联的其它延迟(例如，机电延迟等)。SSD使用例如闪存单元的非易失性存储器单元来免除内部电池供应需求，因此允许驱动器更通用且更紧凑。
[0016]SSD可包含若干存储器装置(包含若干裸片或逻辑单元(例如，逻辑单元编号或LUN))，其可包含执行操作存储器装置或与外部系统介接所需的逻辑功能的一或多个处理器或其它控制器。此类SSD可包含一或多个闪存裸片，其或其上包含若干存储器阵列及外围电路系统。闪存阵列可包含组织成若干物理页面的存储器单元的若干块。在许多实例中，SSD还将包含DRAM或SRAM(或其它形式的存储器裸片或其它存储器结构)。SSD可从主机接收与存储器操作(例如用以在存储器装置与主机之间传送数据(例如，用户数据及相关联完整性数据，例如错误数据及地址数据等)的读取或写入操作，或用以从存储器装置擦除数据的擦除操作)相关联的命令。

技术实现思路

[0017]一方面，本公开提供了一种设备，其包括：接口，其经配置以在操作时与哈希引擎通信，所述接口用以从所述哈希引擎接收哈希；及处理电路，其用以：从所述哈希的第一部分提取选择器；使用所述选择器来选择所述哈希的第二部分，所述第二部分小于所述哈希；
且传输所述哈希子集的所述第二部分作为新鲜度值的临时随机数。
[0018]另一方面，本公开进一步提供了一种方法，其包括：从哈希引擎接受哈希；从所述哈希的第一部分提取选择器；使用所述选择器来选择所述哈希的第二部分，所述第二部分小于所述哈希；及传输所述哈希子集的所述第二部分作为新鲜度值的临时随机数。
[0019]另一方面，本公开进一步提供了一种系统，其包括用以执行以上所述方法的构件。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：接口，其经配置以在操作时与哈希引擎通信，所述接口用以从所述哈希引擎接收哈希；及处理电路，其用以：从所述哈希的第一部分提取选择器；使用所述选择器来选择所述哈希的第二部分，所述第二部分小于所述哈希；且传输所述哈希子集的所述第二部分作为新鲜度值的临时随机数。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述处理电路经配置以：初始化临时随机数序列；且选择种子，其中使用所述临时随机数作为所述临时随机数序列的第一临时随机数，且其中将所述种子输入到所述哈希引擎以产生所述哈希。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述种子是几种类型中的一种类型。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述类型是自生成、未签名共享公共值、签名共享公共值或从迪菲赫尔曼协议生成的秘密值中的一种。5.根据权利要求3所述的设备，其包括：多路复用器，其包括所支持的各类型的种子的输入，所述多路复用器经配置以基于所述输入来产生所述种子。6.根据权利要求5所述的设备，其中为了选择所述种子，所述处理电路经配置以：从使用所述临时随机数序列的重放保护通信中的合作伙伴接收指定对应于所述类型的模式的命令；使用所述模式来选择对应于所述类型的所述输入；且经由所述多路复用器产生对应于所述类型的所述种子。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述命令是所述重放保护通信的初始化中的最后通信，所述初始化包含：来自所述合作伙伴以开始所述初始化的第一请求；及以零临时随机数进行重放保护的对所述第一请求的响应，所述零临时随机数并非所述临时随机数序列的一部分，其中所述命令使用所述零临时随机数来防止在所述初始化期间的重放攻击。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述命令是具有操作码字段、零临时随机数字段、参数字段、签名类型字段及签名字段的数据结构。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述参数字段包含模式识别及有效负载。10.根据权利要求2所述的设备，其中所述处理电路经配置以在所述临时随机数序列中在所述第一临时随机数之后产生第二临时随机数，其中使用所述第一临时随机数的所述哈希作为所述第二临时随机数的所述第一输入。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备经配置以包括在存储器装置中，所述存储器装置包括所述哈希引擎。12.一种方法，其包括：从哈希引擎接收哈希；从所述哈希的第一部分提...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：