可控硅调光控制电路及照明电路制造技术

本申请提供一种可控硅调光控制电路及照明电路，涉及电源技术领域。该控制电路的连接关系为：可控硅调光器的双输入端连接交流输入电源，可控硅调光器的双输出端分别连接第一整流桥的两个交流输入端和第二整流桥的两个交流输入端；第一整流桥的两个直流输出端之间分别连接升压电路的两个电源端，升压电路的输出端连接直流转换器的输入端；防雷击电路的输入端连接第二整流桥的一个直流输出端，防雷击电路的输出端连接升压电路，第二整流桥的两个直流输出端之间连接采样电路的两个电源端，采样电路的输出端连接处理器的输入端；处理器的输出端连接直流转换器的控制端，直流转换器的输出端输出目标电压。本申请可以保证控制电路的安全性。安全性。安全性。

【技术实现步骤摘要】
可控硅调光控制电路及照明电路


[0001]本技术涉及电源
，具体而言，涉及一种可控硅调光控制电路及照明电路。

技术介绍

[0002]随着环保问题越来越多地受到人们的重视，LED灯作为新的、最具潜力的光源，以其节能、环保的优势正在逐步替换传统的白炽灯。
[0003]可控硅调光器作为改变照明装置中发光器件的光通量、调节照度水平的一种电气装置，其基本原理是改变输入电源的电压有效值以达到调光的目的。
[0004]由于可控硅调光器直接连接交流输入电源，电路所以很容易受到雷击干扰，因此，防止电路受到雷击干扰，保证控制电路的安全性是十分必要的。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种可控硅调光控制电路及照明电路，以便防止控制电路受到雷击伤害，提高控制电路的安全性。
[0006]为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请实施例提供了一种可控硅调光控制电路，所述控制电路包括：可控硅调光器、第一整流桥、第二整流桥、升压电路、防雷击电路、直流转换器、采样电路和处理器；
[0008]所述可控硅调光器的双输入端连接交流输入电源，所述可控硅调光器的双输出端分别连接所述第一整流桥的两个交流输入端和所述第二整流桥的两个交流输入端；
[0009]所述第一整流桥的两个直流输出端之间分别连接所述升压电路的两个电源端，所述升压电路的输出端连接所述直流转换器的输入端；
[0010]所述防雷击电路的输入端连接所述第二整流桥的一个直流输出端，所述防雷击电路的输出端连接所述升压电路；
[0011]所述第二整流桥的两个直流输出端之间还分别连接所述采样电路的两个电源端，所述采样电路的输出端连接所述处理器的输入端；
[0012]所述处理器的输出端连接所述直流转换器的控制端，所述直流转换器的输出端输出目标电压。
[0013]可选的，所述升压电路包括：电感、第一开关管、第一二极管和充电电容；
[0014]所述电感的一端连接所述第一整流桥的一个直流输出端，所述电感的另一端连接所述第一开关管的输入端和所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极连接所述充电电容的正极，所述充电电容的负极和所述第一开关管的输出端连接所述第一整流桥的另一个直流输出端，所述第一开关管的控制端外接控制信号。
[0015]可选的，所述控制电路还包括：电流维持单元；
[0016]所述第二整流桥的两个直流输出端之间连接所述电流维持单元的输入端和输出
端，提供所述可控硅调光器正常工作的工作电流。
[0017]可选的，所述电流维持单元包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第二开关管、第三开关管；
[0018]所述第一电阻的一端、所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端均连接所述第二整流桥的一个直流输出端，所述第一电阻的另一端通过所述第二电阻连接所述第二整流桥的另一个直流输出端；
[0019]所述第三电阻的另一端连接所述第二开关管的输入端，所述第二开关管的输出端连接所述第二整流桥的另一个直流输出端，所述第二开关管的控制端连接所述第一电阻的另一端；
[0020]所述第四电阻的另一端连接所述第三开关管的输入端，所述第三开关管的输出端通过所述第五电阻连接所述第二整流桥的另一个直流输出端，所述第三开关管的控制端连接所述第二开关管的输入端。
[0021]可选的，所述防雷击电路包括：单向导通器件；
[0022]所述单向导通器件的输入端连接所述第二整流桥的一个直流输出端，所述单向导通器件的输出端连接所述充电电容的正极。
[0023]可选的，所述采样电路包括：第六电阻、第七电阻和电容；
[0024]所述第六电阻的一端连接所述第二整流桥的一个直流输出端，所述第六电阻的另一端通过所述第七电阻连接所述第二整流桥的另一个直流输出端，所述电容并联在所述第七电阻两端，所述电容的两端连接所述处理器的输入端。
[0025]可选的，所述第一开关管为金属氧化物半导体场效应晶体管。
[0026]可选的，所述第二开关管为三极管，所述第三开关管为金属氧化物半导体场效应晶体管。
[0027]可选的，所述单向导通器件为二极管、三极管或金属氧化物半导体场效应晶体管。
[0028]第二方面，本申请实施例还提供一种照明电路，包括如上述实施例任一所述可控硅调光控制电路和发光器件，所述发光二极管连接所述可控硅调光控制电路的直流转换器的输出端。
[0029]本申请的有益效果是：
[0030]本申请提供一种可控硅调光控制电路及照明电路，该控制电路包括：可控硅调光器、第一整流桥、第二整流桥、升压电路、直流转换器、采样电路和处理器，可控硅调光器的双输入端连接交流输入电源，可控硅调光器的双输出端分别连接第一整流桥的两个交流输入端和第二整流桥的两个交流输入端；第一整流桥的两个直流输出端之间分别连接升压电路的两个电源端，升压电路的输出端连接直流转换器的输入端；防雷击电路的输入端连接第二整流桥的一个直流输出端，防雷击电路的输出端连接升压电路；第二整流桥的两个直流输出端之间连接采样电路的两个电源端，采样电路的输出端连接处理器的输入端；处理器的输出端连接直流转换器的控制端，直流转换器的输出端输出目标电压。本申请通过防雷击电路对控制电路中的各个器件进行保护，避免各个器件因遭受雷击导致损坏，且通过采样电路确定输入电压，通过处理器控制直流转换器输出目标电压，以便在输入电源变化的过程中，为发光器件提供稳定的供电电压，保证发光器件稳定发光。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0032]图1为本申请实施例提供的一种可控硅调光控制电路的原理框图；
[0033]图2为本申请实施例提供的一种可控硅调光控制电路的电路原理图；
[0034]图3为本申请实施例提供的一种照明电路的电路原理图。
具体实施方式
[0035]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0036]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0037]此外，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可控硅调光控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：可控硅调光器、第一整流桥、第二整流桥、升压电路、防雷击电路、直流转换器、采样电路和处理器；所述可控硅调光器的双输入端连接交流输入电源，所述可控硅调光器的双输出端分别连接所述第一整流桥的两个交流输入端和所述第二整流桥的两个交流输入端；所述第一整流桥的两个直流输出端之间分别连接所述升压电路的两个电源端，所述升压电路的输出端连接所述直流转换器的输入端；所述防雷击电路的输入端连接所述第二整流桥的一个直流输出端，所述防雷击电路的输出端连接所述升压电路；所述第二整流桥的两个直流输出端之间还分别连接所述采样电路的两个电源端，所述采样电路的输出端连接所述处理器的输入端；所述处理器的输出端连接所述直流转换器的控制端，所述直流转换器的输出端输出目标电压。2.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述升压电路包括：电感、第一开关管、第一二极管和充电电容；所述电感的一端连接所述第一整流桥的一个直流输出端，所述电感的另一端连接所述第一开关管的输入端和所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极连接所述充电电容的正极，所述充电电容的负极和所述第一开关管的输出端连接所述第一整流桥的另一个直流输出端，所述第一开关管的控制端外接控制信号。3.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述控制电路还包括：电流维持单元；所述第二整流桥的两个直流输出端之间连接所述电流维持单元的输入端和输出端，提供所述可控硅调光器正常工作的工作电流。4.如权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述电流维持单元包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第二开关管、第三开关管；所述第一电阻的一端、所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚明，詹延平，阎铁生，肖开心，吴鹏飞，王海龙，范勇，李少科，陈学文，唐辉，
申请(专利权)人：四川莱福德科技有限公司，
类型：新型
国别省市：